• Stoc epuizat
IRFR120NPBF
  • IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

AJ10b
Rating 

    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     9.1A     
    Putere     39W     
    Carcasa     DPAK  

    1,85 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Descriere

    Producător     INTERNATIONAL RECTIFIER
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     9.1A     
    Putere     39W     
    Carcasa     DPAK     
    Tensiune poartă-sursă     20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     210mΩ     
    Rezistenţa termică conector-carcasă     3.2K/W     
    Montare     SMD     
    Încărcătură poartă     16.7nC

    Detalii ale produsului
    AJ10b
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFR120NPBF

    IRFR120NPBF

    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     9.1A     
    Putere     39W     
    Carcasa     DPAK  

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: AI8a

    Condensator 47nF 100V smd 1206

    Recenzie(i): 0
       condensator ceramic     condensator MLCC     Capacitanţă     47nF     Tensiune de lucru 100V     Dielectric X7R     Toleranţă ±10%     Montare SMD     Carcasă - inch 1206     Carcasă - mm 3216     Temperatura de lucru -55...125°C     Capacitanţă - µF 0.047µF
    Pret 0,26 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: BJ3c

    Modul incarcator Li-Po/Li--Ion OKY3402-1

    Recenzie(i): 0
    modul     încărcător Li-Po/Li-Ionconector     USB B microCircuit integrat     TP4056Curent încărcare max.     1ATensiune ieşire     4.2VDimensiuni     26x16x10mmprodusul nu este un dispozitiv de lucru ci doar un componentTensiune alimentare    5V DC
    Pret 6,85 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AD9b

    Condensator 10nF 50V smd 1206

    Recenzie(i): 0
    YAGEO     condensator ceramic     condensator MLCC     Capacitanţă 10nF     Tensiune de lucru 50V     Dielectric X7R     Toleranţă ±10%     Montare SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm     3216     Temperatura de lucru -55...125°C     Capacitanţă - µF 0.01µF
    Pret 0,18 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AM6a

    Condensator 1uF 50V smd 1206

    Recenzie(i): 0
    SAMSUNG     condensator ceramic     condensator MLCC     Capacitanţă 1µF     Tensiune de lucru 50V     Dielectric X7R     Toleranţă ±10%     Montare SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm     3216     Temperatura de lucru -55...125°C     Capacitanţă - nF 1000nF
    Pret 0,17 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AL10b

    IRFR3910PBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
    Pret 2,58 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: AB8b

    IRFP250

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
    Pret 7,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AA9a

    IRFZ44N

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
    Pret 3,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SD12a

    IRFP9240

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -200V     Curent drenă     -7.5A     Putere     150W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω     Încărcătură poartă 44nC
    Pret 9,45 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AK10a

    IRFR320PBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     400V     Curent drenă     3.1A     Putere     42W     Carcasa     TO252AA Montare     SMD
    Pret 2,58 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AB2c

    IRF830

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
    Pret 3,65 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AL12b

    IRFD014PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
    Pret 2,65 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AD6c

    IRF530N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
    Pret 3,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NB19s

    IRF5305

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
    Pret 3,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,65 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: D3

    IRF2807

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
    Pret 5,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AL10b

    IRFR3910PBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
    Pret 2,58 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat