Tranzistori SMD

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORtranzistor    P-MOSFETPolarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.3APutere disipată    1.4WCarcasă    SOT23Tensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    48mΩMontare    SMDÎncărcătură poartă    4.6nCcanal    îmbogăţit

 tranzistor    NPNPolarizare    bipolarTensiune colector-emiţător    65VCurent de colector    0.1APutere disipată    250mWCarcasă    SOT23, TO236ABCurent de colector pulsat    0.2AAmplificare curent    110...450Montare    SMDFrecvenţă    100MHzUtilizare    domeniul auto

tranzistor     N-MOSFETTehnologie     WMOS C2Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     600VCurent drenă     5APutere disipata     42WCarcasa     TO252Tensiune poartă-sursă     ±30VRezistenta în timpul functionarii     1.14ΩMontare     SMD canal     îmbogatit

tranzistor     PNPPolarizare     bipolar tranzistor     DarlingtonTensiune colector-emiţător     100VCurent de colector     2APutere disipată     20WCarcasă     DPAKAmplificare curent     200...12000Montare     SMDFrecvenţă     25MHz

tranzistor     NPNPolarizare     bipolar tranzistor     DarlingtonTensiune colector-emiţător     100VCurent de colector     2APutere disipată     20WCarcasă     DPAKMontare     SMDFrecvenţă     25MHz

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor     N/P-MOSFET     Polarizare     unipolar     tranzistor     complementare     Tensiune drenă-sursă     40/-40V     Curent drenă     12/-12A     Putere disipată     14/15W     Carcasă     TO252-4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 30/45mΩ    

AOD607,AOD 607, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor N/P-MOSFET     Polarizare     unipolar     tranzistor     complementare     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     8/-9.4A     Putere disipată     7.5/12W     Carcasă     TO252-4    

Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC

tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC

Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor     N-MOSFET x2     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     3.6A     Putere     1.28W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     56mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     4.3nC

Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm capsula SOT23 producator NXP