• Stoc epuizat
IRFP260
  • IRFP260

IRFP260

NA12p
Rating 

      
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Tehnologie     HEXFET®     
    Polarizare     unipolar     
    Tensiune drenă-sursă     200V     
    Curent drenă     35A     
    Putere disipată     300W     
    Carcasă     TO247AC     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     
    Montare     THT     
    Încărcătură poartă     234nC

    12,50 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    NA12p
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFP260

    IRFP260

      
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Tehnologie     HEXFET®     
    Polarizare     unipolar     
    Tensiune drenă-sursă     200V     
    Curent drenă     35A     
    Putere disipată     300W     
    Carcasă     TO247AC     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     
    Montare     THT     
    Încărcătură poartă     234nC

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: AO1a

    IRFP240

    Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     20A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC
    Pret 9,45 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: BJ4b

    2W 470R

    Recenzie(i): 0
    SR PASSIVESrezistor     carbonMontare     THTRezistenţă     470ΩPutere     2WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     500VDimensiuni carcasă     Ø4.2x11mmDimensiuni terminale     Ø0.7x35mmTensiune de impuls max.     1kVTerminale     axial
    Pret 0,29 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SH11c

    NE5532DR -SMD

    Recenzie(i): 0
    circuit integrat    amplificator operaţionalbandă transmisie    10MHzMontare    SMTNumăr canale    2Carcasă    SO8Temperatura de lucru    0...70°CDomeniu tensiuni de alimentare    ± 5...15V DC
    Pret 2,65 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: BC3a

    2W 27K metal oxide

    Recenzie(i): 0
    SR PASSIVES     rezistor     metal oxide     Montare THT     Rezistenta     27kΩ      Putere     2W     Toleranta    ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasa     Ø4.2x11mm     Dimensiuni terminale     Ø0.7x35mm     Tensiune de impuls max.     700V     Terminale     axial
    Pret 0,29 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: TRA H8

    IRF740

    Recenzie(i): 0
    IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
    Pret 4,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SF6a

    IRF610PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
    Pret 3,45 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AL10a

    IRG4BC30UDPBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
    Pret 8,83 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SF7a

    IRF520N

    Recenzie(i): 0
    InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
    Pret 2,75 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NB19s

    IRF5305

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
    Pret 3,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NA17g

    IRF9Z34NPBF

    Recenzie(i): 0
    InfineonTip tranzistor     P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă   -19A     Putere     68W    
    Pret 2,18 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NB6p

    IRF9530N

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
    Pret 3,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AL10b

    IRFR3910PBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
    Pret 2,58 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: ND28p

    IRF3205SPBF -SMD

    Recenzie(i): 0
    InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
    Pret 4,25 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AM4b

    IRFZ46N -IR

    Recenzie(i): 0
    Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
    Pret 2,64 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat