



Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 200V
Curent drenă 35A
Putere disipată 300W
Carcasă TO247AC
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 234nC
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NE3a
Referinta: BC3a
Referinta: AB2c
Referinta: NF24p
Referinta: AK3b
Referinta: AL12b
Referinta: TRA-H12
Referinta: K2
Referinta: AD6c
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
Referinta: BH4b
Referinta: SE4b
Referinta: AM4b
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 200V
Curent drenă 35A
Putere disipată 300W
Carcasă TO247AC
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 234nC
check_circle
check_circle