Tranzistori IRFxx IRFP260 11,69 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRFP260 11,69 Lei

    IRFP260

    NA12p
    Rating 

        
      Tip tranzistor     N-MOSFET     
      Tehnologie     HEXFET®     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     200V     
      Curent drenă     35A     
      Putere disipată     300W     
      Carcasă     TO247AC     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     
      Montare     THT     
      Încărcătură poartă     234nC

      11,69 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      NA12p
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRFP260

      IRFP260

        
      Tip tranzistor     N-MOSFET     
      Tehnologie     HEXFET®     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     200V     
      Curent drenă     35A     
      Putere disipată     300W     
      Carcasă     TO247AC     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     
      Montare     THT     
      Încărcătură poartă     234nC

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: BI8b

      7824CV

      Recenzie(i): 0
      UA7824     Circuit integrat regulator de tensiune 24V 1A pozitiv capsula TO220 producator ST
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NC29t

      2W 0R47 metal oxide

      Recenzie(i): 0
      rezistor metal oxideMontare     THTRezistenta     470mΩPutere     2WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     350VDimensiuni carcasa     Ø5x12mmDimensiuni terminale     Ø0.7x28mmTerminale     axial
      Pret 0,44 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: NE23a

      1/2W 150K

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES     rezistor de carbon     Rezistenţă     150kΩ     Putere     0.5W     Toleranţă     ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasă     Ø3.2x9mm     Dimensiuni terminale     Ø0.6x26mm     Tensiune de impuls max. 700V     Terminale     axial
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: XG4

      1.3W 15V

      Recenzie(i): 0
        diodă     Zener     Putere disipată     1.3W     Tensiune Zener     15V     Curent Zener     15mA     Carcasă     DO41     Montare     THT     Toleranţă     ±5%     o singură diodă     Curent de scurgere     0.5µA 
      Pret 0,49 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: TRA H8

      IRF740

      Recenzie(i): 0
      IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SE15a

      IRFD120 -IR

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
      Pret 2,24 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SA10a

      IRF540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AJ10b

      IRFR120NPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
      Pret 1,88 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SG16b

      IRFP350

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
      Pret 13,12 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AI4b

      IRFPC60

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
      Pret 16,17 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NF24p

      IRF510

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      in stoc