



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: AE8a
Referinta: NA10z
Referinta: ND10Y
Referinta: AL10b
Referinta: SF11b
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
Referinta: AP4b
Referinta: NF24p
Referinta: AM4b
Referinta: AJ10b
Referinta: NA12p
Referinta: AI4b
Referinta: SG13c
Referinta: AM4a
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
check_circle
check_circle