Tranzistori IRFxx IRF530N 4,73 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF530N 4,73 Lei

    IRF530N

    AD6c
    Rating 

      tranzistor N-MOSFET
      Tehnologie HEXFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drena-sursa     100V
      Curent drenă     17A
      Putere disipata     79W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poarta-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii     90mΩ
      Montare     THT
      Incarcatură poarta     24.7nC
      canal     îmbogatit

      4,73 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AD6c
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF530N

      IRF530N

      tranzistor N-MOSFET
      Tehnologie HEXFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drena-sursa     100V
      Curent drenă     17A
      Putere disipata     79W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poarta-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii     90mΩ
      Montare     THT
      Incarcatură poarta     24.7nC
      canal     îmbogatit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: XP8

      Semireglabil multitura 5k orizontal

      Recenzie(i): 0
      SR Passives     multitură     Rezistenţă 5kΩ     Putere     500mW     Montare THT     Toleranţă ±10%     Caracteristici     lineare     Material pistă     metalo-ceramic     Temperatura de lucru -55...125°C     Standard trimer 3/8"     Coeficient de temperatură 100ppm/°C     Dimensiuni carcasă 10 x 9.5 x 4.8mm     Raster terminale 2.5mm     Număr de ture...
      Pret 1,89 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: CON R4

      100pF /100V

      Recenzie(i): 0
      Capacitanţă     100pF     Tensiune de lucru     100V     Dielectric P350-N1000     Toleranţă ±5%     Raster terminale 5mm     Temperatura de lucru -55...85°C
      Pret 0,22 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: ND29b

      5W 0R47

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES     rezistor     putere     rezistor     cu ciment     Montare     THT     Rezistenta     470mΩ     Putere     5W     Toleranta     ±5%     Dimensiuni carcasa     9.5x9.5x22mm     Dimensiuni terminale     Ø0.8x35mm
      Pret 0,95 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: NB21a

      1/2W 3R3

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenta  3.3ΩPutere    0.5WToleranta    ±5%Tensiune de lucru max.    350VDimensiuni carcasă    Ø3.2x9mmDimensiuni terminale    Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.    700VTerminale    axial
      Pret 0,11 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NB19s

      IRF5305

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-I6

      IRF630

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: NA12p

      IRFP260

      Recenzie(i): 0
         Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
      Pret 11,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: D3

      IRF2807

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SA4a

      IRF3205

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
      Pret 4,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AR8

      IRFZ48N

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: NA28p

      IRF3710

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
      Pret 6,65 Lei
      Mai multe
      in stoc