



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NC26y
Referinta: XP8
Referinta: CON R4
Referinta: NA5a
Referinta: ND2b
Referinta: TRA-I 1
Referinta: AK3b
Referinta: K2
Referinta: NA12p
Referinta: TRA-H12
Referinta: SA4a
Referinta: TRA-J-1
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
check_circle
check_circle