



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: AN2a
Referinta: NF40c
Referinta: NF32d
Referinta: AP13a
Referinta: NB18 d
Referinta: AG3b
Referinta: AP4b
Referinta: NF24p
Referinta: AB2c
Referinta: TRA-H12
Referinta: BA4h
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
Referinta: AL8a
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
check_circle
check_circle