Tranzistori IRFxx IRF530N 4,73 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF530N 4,73 Lei

    IRF530N

    AD6c
    Rating 

      tranzistor N-MOSFET
      Tehnologie HEXFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drena-sursa     100V
      Curent drenă     17A
      Putere disipata     79W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poarta-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii     90mΩ
      Montare     THT
      Incarcatură poarta     24.7nC
      canal     îmbogatit

      4,73 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AD6c
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF530N

      IRF530N

      tranzistor N-MOSFET
      Tehnologie HEXFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drena-sursa     100V
      Curent drenă     17A
      Putere disipata     79W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poarta-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii     90mΩ
      Montare     THT
      Incarcatură poarta     24.7nC
      canal     îmbogatit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AD2ab

      1.3W 30V

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     diodă     Zener     Putere disipată 1.3W     Tensiune Zener     30V     Carcasă     DO41     Montare     THT     Toleranţă     ±5%     o singură diodă
      Pret 0,29 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: NB32e

      470uF 35V Samwha

      Recenzie(i): 0
      Producător     SAMWHA     Tip condensator     electrolitic     Montare     THT     Capacitanţă     470µF     Tensiune de lucru     35V     Dimensiuni carcasă     Ø10 x 16mm   
      Pret 0,69 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI10b

      CD4047

      Recenzie(i): 0
      TEXAS INSTRUMENTScircuit integrat     digitalcircuit integrat instabil/monostabil,   multivibratorNumăr canale     1Tehnologie     CMOSTensiune alimentare     3...18V DCMontare     THTCarcasa DIP14Serie     4000B
      Pret 4,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: REZ.G2

      1/2W 470R

      Recenzie(i): 0
      SR Passives     Tip rezistor de carbon     Montare THT     Rezistenţă 470Ω     Putere     0.5W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasă     Ø3.2 x 9mm     Dimensiuni terminale     Ø0.6 x 26mm     Tensiune de impuls max. 700V     Terminale axial
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AR8

      IRFZ48N

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: SA10a

      IRF540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: XN4

      IRF840

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula TO220AB producator Fairchild
      Pret 4,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: D3

      IRF2807

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL10a

      IRG4BC30UDPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
      Pret 8,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SE4b

      IRF3205SPBF -SMD

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
      Pret 4,32 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: BH4b

      IRLZ44N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SG13c

      IRLZ34N

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc