



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NB32e
Referinta: AG3b
Referinta: AM8b
Referinta: REZ.G2
Referinta: AL10a
Referinta: SA4a
Referinta: NF24p
Referinta: SA10a
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
Referinta: SE4b
Referinta: AM4b
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
check_circle
check_circle