



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NB21x
Referinta: INT.I.9
Referinta: AF4a
Referinta: NB24f
Referinta: ND1a
Referinta: AI12a
Referinta: AL8a
Referinta: AR15c
Referinta: AB8b
Referinta: AG3b
Referinta: TRA-H12
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drenă 17A
Putere disipata 79W
Carcasă TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 90mΩ
Montare THT
Incarcatură poarta 24.7nC
canal îmbogatit
check_circle
check_circle