Tranzistori IRFxx IRFZ48N 4,98 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRFZ48N 4,98 Lei

    IRFZ48N

    AR8
    Rating 

      N-MOSFET     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     55V     
      Curent drenă     64A     
      Putere disipată 94W     
      Carcasă TO220AB     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     
      Încărcătură poartă 54nC

      4,98 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In Stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AR8
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRFZ48N

      IRFZ48N

      N-MOSFET     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     55V     
      Curent drenă     64A     
      Putere disipată 94W     
      Carcasă TO220AB     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     
      Încărcătură poartă 54nC

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AH13a

      1/4W 560R

      Recenzie(i): 0
      SR Passives     rezistor de carbon     THT     Rezistenţă 560Ω     Putere     0.25W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max. 250V     Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm     Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm     Tensiune de impuls max. 500V     axial
      Pret 0,08 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NF48b

      BC557C -DIO

      Recenzie(i): 0
      tranzistor PNP Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 50V Curent de colector 0.1A Putere disipată 0.5W Carcasă TO92 Montare THT Frecvenţă 150MHz
      Pret 0,39 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NH31t

      2W 120R

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    120ΩPutere    2WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    500VDimensiuni carcasă    Ø4.2x11mmDimensiuni terminale    Ø0.7x35mmTensiune de impuls max.    1kVTerminale     axial
      Pret 0,34 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: SF11b

      IRLZ24N

      Recenzie(i): 0
      Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB
      Pret 2,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NB19s

      IRF5305

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: XN4

      IRF840

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula TO220AB producator Fairchild
      Pret 4,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BA4h

      IRFP9140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
      Pret 6,76 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-I6

      IRF630

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AR15c

      IRF730

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa    400VCurent drenă     3.5APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa    ±20VRezistenta în timpul functionarii     1ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: D3

      IRF2807

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AB8b

      IRFP250

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SE15a

      IRFD120 -IR

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
      Pret 2,24 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat