• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRF1405 9,05 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRF1405 9,05 Lei

IRF1405

SB7a
Rating 

    N-MOSFET 55V; 133A; 200W

    9,05 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    SB7a
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRF1405

    IRF1405

    N-MOSFET 55V; 133A; 200W

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: NE33b

    5W 1R

    Recenzie(i): 0
    SR PASSIVES     rezistor     putere     rezistor     cu ciment     Montare     THT     Rezistenţă     1Ω     Putere     5W     Toleranţă     ±5%     Dimensiuni carcasă     9.5x9.5x22mm     Dimensiuni terminale     Ø0.8x35mm  
    Pret 0,97 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NF11a

    Carcasa neagra 91x66x39mm

    Recenzie(i): 0
    KRADEX     Tip carcasă     cu panou     Dimensiune X     91mm     Dimensiune Y     66mm     Dimensiune Z     39mm     Material carcasă     polistiren     Culoare carcasă     neagră     Coloare panou     negru
    Pret 15,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NIP-D11

    Nippel TO220

    Recenzie(i): 0
    NINIGI     accesorii pentru semiconductori bucsa izolanta     Utilizare     TO220     Dimensiune D     6.1mm     Dimensiune D1     3mm     Dimensiune D2     3.6mm     Dimensiune H     2.6mm     Dimensiune S     1.1mm     Temperatura de lucru     max. 130°C
    Pret 0,37 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: REZ.F7

    1/4W 1K3

    Recenzie(i): 0
    rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    1.3kΩPutere    0.25WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    250VTensiune de impuls max.    500VDimensiuni terminale    Ø0,4x28mmDimensiuni corp    Ø2,3x6mmTerminale     axial
    Pret 0,08 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AH6a

    1W 47K metal oxide

    Recenzie(i): 0
    rezistor     metal oxideMontare     THTRezistenţă     47kΩPutere     1WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     350VDimensiuni carcasă     Ø3.2x9mmDimensiuni terminale     Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.     700VTerminale     axial
    Pret 0,29 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: XG5

    1.3W 6V2

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     diodă Zener     Putere     1.3W     Tensiune Zener6.2V     Carcasă DO41     Montare THT     Toleranţă ±5%
    Pret 0,50 Lei
    Mai multe
    In Stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: TRA H8

    IRF740

    Recenzie(i): 0
    IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
    Pret 6,00 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AM10a

    IRF1010E

    Recenzie(i): 0
    INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
    Pret 4,52 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AJ10b

    IRFR120NPBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
    Pret 1,88 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AI12a

    IRF7313 -SMD

    Recenzie(i): 0
    Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
    Pret 2,29 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SI14a

    IRF9530N

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AD6c

    IRF530N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
    Pret 4,73 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: XN4

    IRF840

    Recenzie(i): 0
    Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula TO220AB producator Fairchild
    Pret 4,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AO1a

    IRFP240

    Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     20A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC
    Pret 9,89 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AB2c

    IRF830

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
    Pret 3,71 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AB8b

    IRFP250

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
    Pret 6,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SG16b

    IRFP350

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
    Pret 13,12 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AL12b

    IRFD014PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    in stoc