Tranzistori IRFxx IRF640 3,25 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF640 3,25 Lei

    IRF640

    AG3b
    Rating 

      tranzistor    N-MOSFET
      Tehnologie    HEXFET®
      Polarizare    unipolar
      Tensiune drenă-sursă    200V
      Curent drenă    18A
      Putere disipată    150W
      Carcasă    TO220AB
      Tensiune poartă-sursă    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării    0,15Ω
      Montare    THT
      Încărcătură poartă    44,7nC
      canal    îmbogăţit

      3,25 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AG3b
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF640

      IRF640

      tranzistor    N-MOSFET
      Tehnologie    HEXFET®
      Polarizare    unipolar
      Tensiune drenă-sursă    200V
      Curent drenă    18A
      Putere disipată    150W
      Carcasă    TO220AB
      Tensiune poartă-sursă    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării    0,15Ω
      Montare    THT
      Încărcătură poartă    44,7nC
      canal    îmbogăţit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: SA11b

      0.5W 12V

      Recenzie(i): 0
      DIOTEC SEMICONDUCTOR     diodă Zener     Putere     0.5W     Tensiune Zener 12V     Carcasă DO35     Montare THT     Toleranţă ±5%
      Pret 0,26 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: AG6a

      BD442

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    PNPPolarizare    bipolarTensiune colector-emiţător    80VCurent de colector    4APutere disipată    36WCarcasă    TO126Amplificare curent    15...40Montare    THTFrecvenţă    3MHz
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NE29b

      5W 0R33

      Recenzie(i): 1
      rezistor    putere rezistor    cu ciment Montare    THTRezistenta   0.33ΩPutere    5WToleranta    ±5%Dimensiuni terminale Ø0.8x35mmDimensiuni carcasă    9.5x9.5x22mm
      Pret 0,95 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AB8b

      IRFP250

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AO1a

      IRFP240

      Recenzie(i): 0
        Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     20A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC
      Pret 9,89 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AD6c

      IRF530N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
      Pret 4,73 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SC13b

      Marca: NXP Semiconductors

      IRF7316TRPBF SMD

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
      Pret 7,58 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SE15a

      IRFD120 -IR

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
      Pret 2,24 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AM10a

      IRF1010E

      Recenzie(i): 0
      INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
      Pret 4,52 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AL10b

      IRFR3910PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
      Pret 2,62 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BA4h

      IRFP9140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
      Pret 6,76 Lei
      Mai multe
      In stoc