Tranzistori IRFxx IRF640 3,25 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF640 3,25 Lei

    IRF640

    AG3b
    Rating 

      tranzistor    N-MOSFET
      Tehnologie    HEXFET®
      Polarizare    unipolar
      Tensiune drenă-sursă    200V
      Curent drenă    18A
      Putere disipată    150W
      Carcasă    TO220AB
      Tensiune poartă-sursă    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării    0,15Ω
      Montare    THT
      Încărcătură poartă    44,7nC
      canal    îmbogăţit

      3,25 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AG3b
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF640

      IRF640

      tranzistor    N-MOSFET
      Tehnologie    HEXFET®
      Polarizare    unipolar
      Tensiune drenă-sursă    200V
      Curent drenă    18A
      Putere disipată    150W
      Carcasă    TO220AB
      Tensiune poartă-sursă    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării    0,15Ω
      Montare    THT
      Încărcătură poartă    44,7nC
      canal    îmbogăţit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: BB5b

      22nF 100V

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES condensator     ceramicCapacitanta     22nF Tensiune de lucru     100VDielectric     Y5V Toleranta     ±5%Montare     THTRaster terminale     5mmTemperatura de lucru     -55...85°C
      Pret 0,37 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AR7b

      Led 1W alb rece

      Recenzie(i): 0
       ProLight Opto diodă     LED putere LED     EMITERCuloare diodă LED     alb receUnghi lum.     130°Curent diode LED     350mAPutere maximă     1WTemperatură culoare     4500-5650KLentilă diodă     transparentTemperatura de lucru     -40...90°CSerie     ProeonFormă     lambertianTensiune de lucru     2.85...3.85VLuminozitate     120...130lm
      Pret 4,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AT6

      1N5408

      Recenzie(i): 0
      diodă redresoare Montare THT Tensiune inversă max. 1kV Curent de sarcină  3A o singură diodă Curent de şoc direct max. 200A Carcasă DO27 Tensiune conducţie max. 1.1V
      Pret 0,55 Lei
      Mai multe
      in stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SJ16b

      IRFP264

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
      Pret 17,18 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SE4b

      IRF3205SPBF -SMD

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
      Pret 4,32 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: BH4b

      IRLZ44N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL10b

      IRFR3910PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
      Pret 2,62 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NA28p

      IRF3710

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
      Pret 6,65 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NA12p

      IRFP260

      Recenzie(i): 0
         Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
      Pret 11,69 Lei
      Mai multe
      in stoc