Tranzistori IRFxx IRF640 3,25 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF640 3,25 Lei

    IRF640

    AG3b
    Rating 

      tranzistor    N-MOSFET
      Tehnologie    HEXFET®
      Polarizare    unipolar
      Tensiune drenă-sursă    200V
      Curent drenă    18A
      Putere disipată    150W
      Carcasă    TO220AB
      Tensiune poartă-sursă    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării    0,15Ω
      Montare    THT
      Încărcătură poartă    44,7nC
      canal    îmbogăţit

      3,25 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AG3b
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF640

      IRF640

      tranzistor    N-MOSFET
      Tehnologie    HEXFET®
      Polarizare    unipolar
      Tensiune drenă-sursă    200V
      Curent drenă    18A
      Putere disipată    150W
      Carcasă    TO220AB
      Tensiune poartă-sursă    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării    0,15Ω
      Montare    THT
      Încărcătură poartă    44,7nC
      canal    îmbogăţit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: NB49x

      220uF 35V Samwha

      Recenzie(i): 0
      Producător     SAMWHA     Tip condensator     electrolitic     Montare     THT     Capacitanţă     220µF     Tensiune de lucru     35V     Dimensiuni carcasă     Ø8 x 11.5mm  
      Pret 0,39 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NE28l

      Surub M3x16mm cap rotund set 10buc.

      Recenzie(i): 0
      KRAFTBERG     şurub     DIN 7985     Filet     M3     Lungime 16mm     cap rotund     Subtip crestătură Phillips     Material oţel     Material acoperire zinc     Dimensiune crestătură     PH1     Clasă de putere 4.8
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NE29b

      5W 0R33

      Recenzie(i): 1
      rezistor    putere rezistor    cu ciment Montare    THTRezistenta   0.33ΩPutere    5WToleranta    ±5%Dimensiuni terminale Ø0.8x35mmDimensiuni carcasă    9.5x9.5x22mm
      Pret 0,95 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: REZ.A10

      1/2W 470K

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenta  470kΩPutere    0.5WToleranta    ±5%Tensiune de lucru max.    350VDimensiuni carcasă    Ø3.2x9mmDimensiuni terminale    Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.    700VTerminale    axial
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AF3a

      BD681

      Recenzie(i): 0
      STMicroelectronics tranzistor NPN Polarizare bipolar  tranzistor Darlington Tensiune colector-emiţător 100V Curent de colector 4A Putere disipată 40W Carcasă SOT32 Amplificare curent 750 Montare THT
      Pret 2,85 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SG16b

      IRFP350

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
      Pret 13,12 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AM10a

      IRF1010E

      Recenzie(i): 0
      INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
      Pret 4,52 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SJ16b

      IRFP264

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
      Pret 17,18 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,68 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: NA12p

      IRFP260

      Recenzie(i): 0
         Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
      Pret 11,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-I6

      IRF630

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      In stoc