Tranzistori IRFxx IRF5305 3,97 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF5305 3,97 Lei

    IRF5305

    NB19s
    Rating 

      Infineon
      P-MOSFET     
      Tensiune drenă-sursă     -55V     
      Curent drenă     -31A     
      Putere     110W     

      3,97 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Descriere

      Infineon
      P-MOSFET     
      Tensiune drenă-sursă     -55V     
      Curent drenă     -31A     
      Putere     110W     
      Tensiune poartă-sursă     20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     
      Rezistenţa termică conector-carcasă 1.4K/W     
      42nC

      Detalii ale produsului
      NB19s
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF5305

      IRF5305

      Infineon
      P-MOSFET     
      Tensiune drenă-sursă     -55V     
      Curent drenă     -31A     
      Putere     110W     

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: NB25t

      2N2222

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător 40VCurent de colector     0.6APutere disipata     625mWCarcasa     TO92Montare     THTFrecventa     250MHz
      Pret 0,26 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NA13g

      470uF 50V Samwha

      Recenzie(i): 0
      Producător     SAMWHA     Tip condensator     electrolitic     Dimensiuni carcasă     Ø10 x 20mm     Temperatura de lucru     -55...105°C
      Pret 1,25 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SE1a

      BD140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    PNPPolarizare    bipolarTensiune colector-emiţător    80VCurent de colector    1.5APutere disipată    12.5WCarcasă    TO126Amplificare curent    63...160Montare    THT
      Pret 1,47 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AE12a

      1/4W 39R

      Recenzie(i): 0
      SR Passives     rezistor de carbon     THT     Rezistenţă 39Ω     Putere     0.25W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max. 250V     Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm     Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm     Tensiune de impuls max. 500V     axial
      Pret 0,06 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BJ7c

      Led 4.8mm Alb transparent 100 grade

      Recenzie(i): 0
      Led 4.8mm alb lentila transparenta 100 grade     unghi luminozitate: 100⁰ intensitate luminoasa: 3.000mcd tensiunea de alimentare: 3.0 - 3.6V curent de alimentare: 20mA producator: Optosupply
      Pret 0,67 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: NA12p

      IRFP260

      Recenzie(i): 0
         Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
      Pret 11,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SG13c

      IRLZ34N

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF11b

      IRLZ24N

      Recenzie(i): 0
      Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB
      Pret 2,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA H8

      IRF740

      Recenzie(i): 0
      IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AD6c

      IRF530N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
      Pret 4,73 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AP4b

      IRF540NS

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NF24p

      IRF510

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AR15c

      IRF730

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa    400VCurent drenă     3.5APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa    ±20VRezistenta în timpul functionarii     1ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-I6

      IRF630

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc