- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRF5305
Rating
Infineon
P-MOSFET
Tensiune drenă-sursă -55V
Curent drenă -31A
Putere 110W
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
Infineon
P-MOSFET
Tensiune drenă-sursă -55V
Curent drenă -31A
Putere 110W
Tensiune poartă-sursă 20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ
Rezistenţa termică conector-carcasă 1.4K/W
42nC
Detalii ale produsului
NB19s
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: AG12A
1/4W 270R
SR Passives rezistor de carbon THT Rezistenţă 270Ω Putere 0.25W Toleranţă ±5% Tensiune de lucru max. 250V Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm Tensiune de impuls max. 500V axial
Pret 0,08 Lei
in stoc
Referinta: NC17z
Cablaj simplu placat 125x150x1.5mm
Cablaj simplu placat 125x150mm material FR4 sticlotextolit grosime 1,5mm
Pret 8,59 Lei
in stoc
Referinta: K14
1/2W 1R
SR Passives rezistor de carbon THT Rezistenţă 1Ω Putere 500mW Toleranţă ±5% Tensiune de lucru max. 350V Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm Tensiune de impuls max. 700V axial
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: NC18e
Siguranta fuzibila 8A 5x20mm
Siguranta fuzibila 8A 5x20mm
siguranta rapida
Pret 0,18 Lei
In stoc
Referinta: SE3a
TL431
TL431A Circuit integrat programabil tensiune 2,5-36V 1-100mA
capsula TO92 producator HTC Korea
Pret 0,90 Lei
In stoc
Referinta: REZ.K10
1W 10R metal film
rezistor metal filmMontare THTRezistenţă 10ΩPutere 1WToleranţă ±1%Tensiune de lucru max. 350VDimensiuni terminale Ø0,54x28mmDimensiuni corp Ø3,5x10mmCaracteristici ale rezistorilor zgomote reduseCoeficient de temperatură 50ppm/°CTerminale axial
Pret 0,26 Lei
In stoc
Pret 19,65 Lei
in stoc
Referinta: NC47z
1W 0R33 - metal oxide
ROYAL OHM Tip rezistor metal oxide Montare THT Rezistenţă 330mΩ Putere 1W Toleranţă ±5% Tensiune de lucru max. 350V Dimensiuni carcasă Ø4 x 10mm Dimensiuni terminale Ø0.7 x 28mm
Pret 0,37 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: AK3b
IRFP150N
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 30A Putere disipată 160W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ Montare THT Încărcătură poartă 110nC
Pret 7,90 Lei
In stoc
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
in stoc
Referinta: SF6a
IRF610PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 2.1A Putere 36W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,51 Lei
in stoc
Referinta: NF24p
IRF510
tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa 100V Curent drena 4A Putere disipata 43W Carcasa TO220AB Tensiune poarta-sursa ±20V Rezistenta în timpul functionarii 540mΩ Montare THT Incărcatura poarta 8.3nC canal îmbogatit
Pret 2,95 Lei
Stoc epuizat
Referinta: SF7a
IRF520N
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.7A Putere 48W
Pret 3,51 Lei
in stoc
Pret 2,24 Lei
In Stoc
Referinta: AL12b
IRFD014PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 1.2A Putere 1.3W Carcasă DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω Încărcătură poartă 11nC
Pret 2,69 Lei
in stoc
Referinta: AL10b
IRFR3910PBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 15A Putere 52W Carcasa DPAK
Pret 2,62 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AO1a
IRFP240
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 20A Putere 150W Carcasa TO247AC
Pret 9,61 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NA28p
IRF3710
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 57A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ Încărcătură poartă 86.7nC HEXFET
Pret 6,00 Lei
Stoc epuizat
Referinta: XN4
IRF840
Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula
TO220AB producator Fairchild
Pret 4,45 Lei
In stoc
Referinta: G7
IRFP450
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 500V Curent drenă 8.7A Putere 190W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: AD6c
IRF530N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 100VCurent drenă 17APutere disipata 79WCarcasă TO220ABTensiune poarta-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 90mΩMontare THTIncarcatură poarta 24.7nCcanal îmbogatit
Pret 4,73 Lei
In stoc
Pret 2,54 Lei
In stoc
Referinta: SE4b
IRF3205SPBF -SMD
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 110A Putere 200W Carcasă D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ SMD Încărcătură poartă 97.3nC HEXFET
Pret 4,32 Lei
in stoc
Referinta: SJ16b
IRFP264
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata 280WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.75ΩÎncarcatura poarta 0.21µCcanal îmbogătit
Pret 17,18 Lei
In stoc
Infineon
P-MOSFET
Tensiune drenă-sursă -55V
Curent drenă -31A
Putere 110W