• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFP140N 6,56 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFP140N 6,56 Lei

IRFP140N

NA42d
Rating 

    N-FET 100V 33A 140W

    6,56 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    NA42d
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFP140N

    IRFP140N

    N-FET 100V 33A 140W

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: SH6

    TIP36C -ST

    Recenzie(i): 0
    ST MICROELECTRONICS     Tip tranzistor     PNP     bipolar     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 25A     Putere     125W     TO247     3MHz
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NC31b

    Condensator poliester 2.2nf 100V

    Recenzie(i): 0
         condensator cu poliester     Capacitanţă     2.2nF     Tensiune de lucru max.     100V DC, 63V AC     Raster terminale     5mm     Toleranţă     ±5%     Dimensiuni carcasă     7.2x2.5x6.5mm     Categorie climatică     55/105/56 IEC 60068-1     Temperatura de lucru     -55...105°C     Rezistenţa la impuls     200V/μs     Montare     THT...
    Pret 0,56 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: XG3

    1.3W 12V

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     diodă Zener     Putere     1.3W     Tensiune Zener 12V     Carcasă DO41     Montare THT     Toleranţă ±5%
    Pret 0,50 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AC10a

    1W 47R

    Recenzie(i): 0
    rezistor     carbonMontare     THTRezistenţă     47ΩPutere     1WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     500VDimensiuni carcasă     Ø3.2x9mmDimensiuni terminale     Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.     1kVTerminale     axial
    Pret 0,26 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: TRA-H12

    IRFPC50

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SC13b

    Marca: NXP Semiconductors

    IRF7316TRPBF SMD

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
    Pret 7,58 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SE15a

    IRFD120 -IR

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
    Pret 2,24 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AB2c

    IRF830

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
    Pret 3,71 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AG3b

    IRF640

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
    Pret 3,25 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AP4b

    IRF540NS

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SI14a

    IRF9530N

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: D3

    IRF2807

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
    Pret 6,00 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SF6a

    IRF610PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AM10a

    IRF1010E

    Recenzie(i): 0
    INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
    Pret 4,52 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NF24p

    IRF510

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    In stoc