• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFP460 12,10 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFP460 12,10 Lei

IRFP460

NA19g
Rating 

    N-MOSFET     
    Tensiune drenă-sursă 500V     
    20A     
    Putere     280W     
    TO247AC

    12,10 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    NA19g
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFP460

    IRFP460

    N-MOSFET     
    Tensiune drenă-sursă 500V     
    20A     
    Putere     280W     
    TO247AC

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: CON.R3

    47uF 35V Samwha

    Recenzie(i): 0
    Producător     SAMWHA     Tip condensator     electrolitic     Dimensiuni carcasă     Ø5 x 11mm     Temperatura de lucru     -55...105°C
    Pret 0,19 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SB6a

    IR2153

    Recenzie(i): 0
    circuit integrat driver     Tensiune ieşire 625.3V     Putere     625mW     Număr canale 2     Tensiune alimentare 10...16.8V DC     Temperatura de lucru -40...125°C     DIP8
    Pret 6,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: POL-L1

    47nF 400V poliester

    Recenzie(i): 0
    SR PASSIVEScondensator     cu poliesterUtilizare condensatoare     circuite de frecvente înalte,   de filtrare,   sisteme antiperturbatii,   sisteme de impulsuriCapacitanţă     47nFRaster terminale     10mmToleranţă     ±10%Dimensiuni carcasă     12x4.2x9.1mm
    Pret 0,65 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: REZ.D16

    1/4W 18K

    Recenzie(i): 0
     rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    18kΩPutere    0.25WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    250VDimensiuni carcasă    Ø2.3x6mmDimensiuni terminale    Ø0.4x28mmTensiune de impuls max.    500VTerminale     axial
    Pret 0,08 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: REZ.D8

    1/4W 2M2

    Recenzie(i): 0
    rezistor    carbonMontare    THTRezistenta    2.2MPutere    0.25WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    250VDimensiuni carcasă    Ø2.3x6mmDimensiuni terminale    Ø0.4x28mmTensiune de impuls max.    500VTerminale     axial
    Pret 0,08 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: NB6g

    Disc abraziv 125x1.6x22.3mm BOSCH

    Recenzie(i): 0
    Discul de taiere Standard for Metal taie in mod fiabil prin metal. Discul din oxid de aluminiu este proiectat pentru uz general cu metal. Folositi acest disc pentru a taia metal. Este compatibil cu polizoare unghiulare
    Pret 4,42 Lei
    Mai multe
    in stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: AB8b

    IRFP250

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
    Pret 6,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BH4b

    IRLZ44N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
    Pret 3,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: K2

    IRF5210 -IRF

    Recenzie(i): 0
    P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
    Pret 5,74 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: TRA-I 1

    IRFD9120PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
    Pret 2,64 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NA28p

    IRF3710

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
    Pret 6,65 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: TRA H8

    IRF740

    Recenzie(i): 0
    IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
    Pret 6,00 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AM4b

    IRFZ46N -IR

    Recenzie(i): 0
    Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
    Pret 2,68 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SE15a

    IRFD120 -IR

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
    Pret 2,24 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SG16b

    IRFP350

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
    Pret 13,12 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NA12p

    IRFP260

    Recenzie(i): 0
       Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
    Pret 11,69 Lei
    Mai multe
    in stoc