• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFP460 12,10 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFP460 12,10 Lei

IRFP460

NA19g
Rating 

    N-MOSFET     
    Tensiune drenă-sursă 500V     
    20A     
    Putere     280W     
    TO247AC

    12,10 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    NA19g
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFP460

    IRFP460

    N-MOSFET     
    Tensiune drenă-sursă 500V     
    20A     
    Putere     280W     
    TO247AC

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: AT7b

    UF4007 -DIO

    Recenzie(i): 0
    DIOTEC SEMICONDUCTOR     diodă     redresoare     Tensiune inversă max.     1kV     Tensiune directă la If     1.7V     Curent de sarcină 1A     Curent de sarcină max.     10A     o singură diodă     diodă ultrarapidă     Carcasă DO41     Timp de restabilire 75ns     Curent de şoc direct max. 30A     Curent de scurgere 5µA
    Pret 0,44 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: DIO-I-5

    BY228 -DIO

    Recenzie(i): 0
    DIOTEC SEMICONDUCTOR     dioda     redresoare     Montare     THT     Tensiune inversa max.     1.5kV     Curent de sarcina     3A     Curent de sarcina max.     20A     o singura dioda    Curent de soc direct max.     100A     Carcasa    DO201     Tensiune conductie max.     1.1V     Curent de scurgere     5µA     Timp de restabilire     1.5µs
    Pret 1,98 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AR13c

    1W 3K3

    Recenzie(i): 0
    rezistor carbon Montare THT Rezistenţă 3.3kΩ Putere 1W Toleranţă ±5% Tensiune de lucru 500V Tensiune de impuls max. 1kV Dimensiuni terminale Ø0,6x26mm Dimensiuni corp Ø3,2x9mm Terminale axial Lungime 9mm Diametru 3.2mm
    Pret 0,26 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BB1a

    2W 68R

    Recenzie(i): 0
    rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    68ΩPutere    2WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    500VTensiune de impuls max.    1kVDimensiuni terminale    Ø0,7x35mmDimensiuni carcasă    Ø4,2x11mmTerminale      axial   
    Pret 0,29 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AP15a

    Z0103MN - SMD

    Recenzie(i): 0
    STMicroelectronics  tiristor triac Tensiune inversă max. 0,6kV Curent de sarcină max. 1A Carcasă SOT223 Curent de poartă 3mA Curent de şoc direct max. 8A Montare SMD
    Pret 3,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NF8g

    5W 10R

    Recenzie(i): 0
    SR Passives     rezistor bobinat     rezistor cu ciment     Montare THT     Rezistenţă 10Ω     Putere     5W     Toleranţă ±5%     Dimensiuni carcasă 9.5 x 9.5 x 22mm     Dimensiuni terminale Ø0.8 x 35mm
    Pret 0,97 Lei
    Mai multe
    in stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: SA4a

    IRF3205

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
    Pret 4,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AL12b

    IRFD014PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SE4b

    IRF3205SPBF -SMD

    Recenzie(i): 0
    InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
    Pret 4,32 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AI4b

    IRFPC60

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
    Pret 16,17 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NA12p

    IRFP260

    Recenzie(i): 0
       Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
    Pret 11,69 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AG3b

    IRF640

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
    Pret 3,25 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-I6

    IRF630

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AA9a

    IRFZ44N

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AL10a

    IRG4BC30UDPBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
    Pret 8,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NB19s

    IRF5305

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AR8

    IRFZ48N

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In Stoc