- Stoc epuizat



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 41A
Putere disipată 83W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±16V
Rezistenţă în timpul funcţionării 22mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 32nC
canal îmbogăţit
logic level
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NG28n
Referinta: LED.C4
Referinta: AP6a
Referinta: AE8a
Referinta: NE40d
Referinta: AL12b
Referinta: AB8b
Referinta: AI4b
Referinta: AP4b
Referinta: SE15a
Referinta: K2
Referinta: AJ10b
Referinta: AM4a
Referinta: AD6c
Referinta: AK3b
Referinta: TRA-J-1
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 41A
Putere disipată 83W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±16V
Rezistenţă în timpul funcţionării 22mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 32nC
canal îmbogăţit
logic level
check_circle
check_circle