Tranzistori IRFxx IRLZ44N 3,90 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRLZ44N 3,90 Lei

    IRLZ44N

    BH4b
    Rating 

      tranzistor     N-MOSFET
      Tehnologie     HEXFET®
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     55V
      Curent drenă     41A
      Putere disipată     83W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poartă-sursă     ±16V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     22mΩ
      Montare     THT
      Încărcătură poartă     32nC
      canal     îmbogăţit
      logic level

      3,90 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      BH4b
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRLZ44N

      IRLZ44N

      tranzistor     N-MOSFET
      Tehnologie     HEXFET®
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     55V
      Curent drenă     41A
      Putere disipată     83W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poartă-sursă     ±16V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     22mΩ
      Montare     THT
      Încărcătură poartă     32nC
      canal     îmbogăţit
      logic level

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AT6

      1N5408

      Recenzie(i): 0
      diodă redresoare Montare THT Tensiune inversă max. 1kV Curent de sarcină  3A o singură diodă Curent de şoc direct max. 200A Carcasă DO27 Tensiune conducţie max. 1.1V
      Pret 0,55 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: REZ.K13

      1W 1K

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă     1kΩPutere    1WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    500VDimensiuni carcasă    Ø3,2x9mmDimensiuni terminale    Ø0,6x26mmTensiune de impuls max.    1kVTerminale    axial
      Pret 0,26 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AB2a

      NE5534P

      Recenzie(i): 0
      TEXAS INSTRUMENTSamplificator operaţionalbanda transmisie     10MHzMontare     THTNumar canale     1Carcasa     DIP8Temperatura de lucru     0...70°CDomeniu tensiuni de alimentare     ± 5...15V DC
      Pret 7,02 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK6a

      47nF 100V

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES condensator     ceramicCapacitanta     47nF Tensiune de lucru     100VDielectric     Y5V Toleranta     ±5%Montare     THTRaster terminale     5mmTemperatura de lucru     -55...85°C
      Pret 0,37 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AJ10b

      IRFR120NPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
      Pret 1,88 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SE15a

      IRFD120 -IR

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
      Pret 2,24 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AR15c

      IRF730

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa    400VCurent drenă     3.5APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa    ±20VRezistenta în timpul functionarii     1ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM4a

      IRF7319PBF

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL10b

      IRFR3910PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
      Pret 2,62 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AP4b

      IRF540NS

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NB19s

      IRF5305

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc