- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRF3205SPBF -SMD
Rating
Infineon
N-MOSFET
unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 110A
Putere 200W
Carcasă D2PAK
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ
SMD
Încărcătură poartă 97.3nC
HEXFET
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
SE4b
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: AF3b
1/4W 33K SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 33kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Tensiune de impuls max. 400V Temperatura de lucru -55...125°C Coeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: CON R6
100nF 100V
Capacitanţă 100nF Tensiune de lucru 100V Toleranţă -20...+80% Raster terminale 5mm Temperatura de lucru -55...85°C
Pret 0,29 Lei
Stoc epuizat
Tub termocontractabil 1.5mm/1m negru
Tub termocontractabil 1.5mm negru - 0,75mm dupa incalzire pret pe buc. lungime 1 m
Pret 0,67 Lei
in stoc
Pret 0,17 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AF2a
1/4W 47K SMD 1%
ROYAL OHM rezistor thick filmMontare SMDCarcasă - inch 1206Carcasă - mm 3216Rezistenţă 47kΩPutere 0.25WToleranţă ±1%Tensiune de lucru max. 200VTensiune de impuls max. 400VTemperatura de lucru -55...125°CCoeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: AD6a
Condensator 22nF 50V smd 1206
SAMSUNG condensator ceramic condensator MLCC Capacitanţă 22nF Tensiune de lucru 50V Dielectric X7R Toleranţă ±10% Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Temperatura de lucru-55...125°C Capacitanţă - µF 0.022µF
Pret 0,10 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AM2a
1/4W 1R SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 1Ω Putere 0.25W Toleranţă ±1%
Pret 0,11 Lei
in stoc
Referinta: AO5b
1/4W 3K9 SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 3.9kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Tensiune de impuls max. 400V Temperatura de lucru -55...125°C Coeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,09 Lei
in stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Pret 2,54 Lei
In stoc
Referinta: SF6a
IRF610PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 2.1A Putere 36W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,51 Lei
in stoc
Referinta: AB2c
IRF830
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 500VCurent drenă 2.9APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1.5ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,71 Lei
In stoc
Referinta: SJ16b
IRFP264
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata 280WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.75ΩÎncarcatura poarta 0.21µCcanal îmbogătit
Pret 17,18 Lei
In stoc
Referinta: BA4h
IRFP9140
tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -21A Putere disipată 120W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 117mΩ Montare THT Încărcătură poartă 64.7nC
Pret 6,76 Lei
In stoc
Referinta: AG8a
IRF1010ZPBF
Infineon N-MOSFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 94A Putere 140W
Pret 4,58 Lei
Stoc epuizat
Pret 9,05 Lei
Stoc epuizat
Pret 11,69 Lei
in stoc
Referinta: AI12a
IRF7313 -SMD
Infineon Tip tranzistor N-MOSFET x2 Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 30V Curent drenă 6.5A Putere disipată 2W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 22nC
Pret 2,29 Lei
In stoc
Referinta: SD12a
IRFP9240
VISHAY P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -200V Curent drenă -7.5A Putere 150W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω Încărcătură poartă 44nC
Pret 9,61 Lei
Stoc epuizat
Referinta: SG16b
IRFP350
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata 190WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.3ΩÎncarcatura poarta 150nCcanal îmbogătit
Pret 13,12 Lei
in stoc
Referinta: AB5b
IRFU9024PBF
Tranzistor:unipolar,P-MOSFET;-60V;-8,8A;42W;TO251AA
Producător: VISHAY
Pret 2,24 Lei
In stoc
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
in stoc
Referinta: NB19s
IRF5305
Infineon P-MOSFET Tensiune drenă-sursă -55V Curent drenă -31A Putere 110W
Pret 3,97 Lei
in stoc
Pret 10,68 Lei
in stoc
Referinta: AR15c
IRF730
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drenă 3.5APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poarta-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,71 Lei
In stoc
Infineon
N-MOSFET
unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 110A
Putere 200W
Carcasă D2PAK
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ
SMD
Încărcătură poartă 97.3nC
HEXFET