



N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursa 400V
Curent drena 10A
Putere disipata 190W
Carcasa TO247AC
Tensiune poartă-sursa ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0.3Ω
Încarcatura poarta 150nC
canal îmbogătit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: BI2a
Referinta: ND38s
Referinta: SE4b
Referinta: AS1b
Referinta: INT.I.9
Referinta: NE33d
Referinta: NA26z
Referinta: VAR-C10
Referinta: AJ10b
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
Referinta: K2
Referinta: AB5b
Referinta: AG8a
Referinta: SE15a
Referinta: AB2c
Referinta: AL12b
Referinta: NF24p
Referinta: AR15c
N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursa 400V
Curent drena 10A
Putere disipata 190W
Carcasa TO247AC
Tensiune poartă-sursa ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0.3Ω
Încarcatura poarta 150nC
canal îmbogătit
check_circle
check_circle