Tranzistori IRFxx IRFP350 13,12 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRFP350 13,12 Lei

    IRFP350

    SG16b
    Rating 

      N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursa 400V
      Curent drena 10A
      Putere disipata    190W
      Carcasa    TO247AC
      Tensiune poartă-sursa    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării  0.3Ω
      Încarcatura poarta    150nC
      canal    îmbogătit

      13,12 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      SG16b
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRFP350

      IRFP350

      N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursa 400V
      Curent drena 10A
      Putere disipata    190W
      Carcasa    TO247AC
      Tensiune poartă-sursa    ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării  0.3Ω
      Încarcatura poarta    150nC
      canal    îmbogătit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: BG1e

      LM2575T -5.0

      Recenzie(i): 0
      circuit integrat     PMICcircuit integrat     adaptor DC/DCTensiune intrare     4...40V DCTensiune iesire     5V DCCurent iesire     1ACarcasa     TO220-5Montare     THTFrecventa    42...63kHzTopologie     buckNumar canale     1Temperatura de lucru  -40...125°C
      Pret 10,68 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BG2b

      UA7812

      Recenzie(i): 0
      UA7812     Circuit integrat regulator de tensiune 12V 1A pozitiv capsula TO220 producator ST
      Pret 1,47 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: CON D10

      10pF 100V

      Recenzie(i): 0
      Capacitanţă     10pF     Tensiune de lucru     100V     Dielectric     C0G     Toleranţă     ±5%     Raster terminale     5mm     Temperatura de lucru     -55...85°C
      Pret 0,26 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AJ10b

      IRFR120NPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
      Pret 1,88 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AR8

      IRFZ48N

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SJ16b

      IRFP264

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
      Pret 17,18 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SC13b

      Marca: NXP Semiconductors

      IRF7316TRPBF SMD

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
      Pret 7,58 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NF24p

      IRF510

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: D3

      IRF2807

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: BH4b

      IRLZ44N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
      Pret 4,52 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: BA4h

      IRFP9140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
      Pret 6,76 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc