Tranzistori IRFxx IRF830 3,71 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF830 3,71 Lei

    IRF830

    AB2c
    Rating 

      tranzistor     N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drena-sursa    500V
      Curent drenă     2.9A
      Putere disipata     74W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poartă-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii     1.5Ω
      Montare     THT
      Incarcatura poarta     38nC
      Subtip canal     îmbogatit

      3,71 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AB2c
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF830

      IRF830

      tranzistor     N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drena-sursa    500V
      Curent drenă     2.9A
      Putere disipata     74W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poartă-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii     1.5Ω
      Montare     THT
      Incarcatura poarta     38nC
      Subtip canal     îmbogatit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: SA2c

      0.3W 6V8 SMD

      Recenzie(i): 0
      BZX84C6V8 diodă Zener Putere disipată 0.3W Tensiune Zener 6.8V Montare SMD Toleranţă ±5% Carcasă SOT23 o singură diodă
      Pret 0,39 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AE4a

      1/4W 1K5 SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     rezistor     thick film     Montare     SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm     3216     Rezistenţă     1.5kΩ     Putere     0.25W     Toleranţă     ±1%     Tensiune de lucru max.     200V     Temperatura de lucru     -55...125°C
      Pret 0,11 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AL11a

      LM235Z

      Recenzie(i): 0
      STMicroelectronics     circuit integrat senzor temperatura    senzor temperatura     dioda     Interval masurare temperatura     -40...125°C     Carcasa     TO92     Montare     THT     Acuratete masurare temperatura     ±1,5°C     Tensiune alimentare     2.95...3.01V
      Pret 1,47 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BD7c

      SBX2550

      Recenzie(i): 0
      diodă redresoare Schottky Montare THT Tensiune inversă max. 50V Curent de sarcină 25A o singură diodă Carcasă P600 Tensiune conducţie max. 0,57V Curent de şoc direct max. 290A Capacitanţă 1nF
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NH17c

      1/2W 150R

      Recenzie(i): 0
      rezistor carbonMontare    THTRezistenţă    150ΩPutere    0,5WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    350VDimensiuni carcasă    Ø3,2x9mmDimensiuni terminale    Ø0,6x26mmTensiune de impuls max.    700VTerminale    axial
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,68 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AP4b

      IRF540NS

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NA12p

      IRFP260

      Recenzie(i): 0
         Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
      Pret 11,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF7a

      IRF520N

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SJ16b

      IRFP264

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
      Pret 17,18 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL12b

      IRFD014PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AL10a

      IRG4BC30UDPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
      Pret 8,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: BA4h

      IRFP9140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
      Pret 6,76 Lei
      Mai multe
      In stoc