• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRF3710 6,00 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRF3710 6,00 Lei

IRF3710

NA28p
Rating 


    N-MOSFET     
    unipolar     
    Tensiune drenă-sursă 100V     
    Curent drenă 57A     
    Putere     200W     
    TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     
    Încărcătură poartă 86.7nC     
    HEXFET

    6,00 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    NA28p
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRF3710

    IRF3710


    N-MOSFET     
    unipolar     
    Tensiune drenă-sursă 100V     
    Curent drenă 57A     
    Putere     200W     
    TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     
    Încărcătură poartă 86.7nC     
    HEXFET

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: NF13a

    Carcasa 90x109x49mm

    Recenzie(i): 0
    KRADEX     Tip carcasă     cu panou     Dimensiune X     90mm     Dimensiune Y     109mm     Dimensiune Z     49mm     Material carcasă polistiren     Culoare carcasă     neagră     Coloare panou     negru
    Pret 15,15 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: REZ.G2

    1/2W 470R

    Recenzie(i): 0
    SR Passives     Tip rezistor de carbon     Montare THT     Rezistenţă 470Ω     Putere     0.5W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasă     Ø3.2 x 9mm     Dimensiuni terminale     Ø0.6 x 26mm     Tensiune de impuls max. 700V     Terminale axial
    Pret 0,09 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: ND21a

    1/2W 2K2

    Recenzie(i): 0
    rezistor     carbonMontare     THTRezistenţă     2.2kΩPutere     0.5WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     350VDimensiuni carcasă     Ø3.2x9mmDimensiuni terminale     Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.     700VTerminale     axial
    Pret 0,10 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: BB8a

    2W 2K2

    Recenzie(i): 0
    rezistor    carbonMontare    THT    Rezistenţă    2.2kΩPutere    2WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    500VDimensiuni carcasă    Ø4.2x11mmDimensiuni terminale    Ø0.7x35mmTensiune de impuls max.    1kVTerminale     axial
    Pret 0,34 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: NF24p

    IRF510

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SA10a

    IRF540N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AD6c

    IRF530N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
    Pret 4,73 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AR8

    IRFZ48N

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: TRA-H12

    IRFPC50

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BH4b

    IRLZ44N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
    Pret 4,52 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SC13b

    Marca: NXP Semiconductors

    IRF7316TRPBF SMD

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
    Pret 7,58 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SI14a

    IRF9530N

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SE4b

    IRF3205SPBF -SMD

    Recenzie(i): 0
    InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
    Pret 4,32 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AM4a

    IRF7319PBF

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SF6a

    IRF610PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AL10a

    IRG4BC30UDPBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
    Pret 8,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: K2

    IRF5210 -IRF

    Recenzie(i): 0
    P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
    Pret 5,74 Lei
    Mai multe
    in stoc