



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 100V
Curent drenă 33A
Putere disipată 140W
Carcasa TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ
Montare THT
Incărcătură poarta 47.3nC
canal imbogatit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: B2b
Referinta: AP2a
Referinta: AI12a
Referinta: AB5b
Referinta: AR15c
Referinta: AB2c
Referinta: AI4b
Referinta: SE4b
Referinta: AI12a
Referinta: AL10a
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 100V
Curent drenă 33A
Putere disipată 140W
Carcasa TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ
Montare THT
Incărcătură poarta 47.3nC
canal imbogatit
check_circle
check_circle