- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRLZ24N
Rating
Tip: Canal N
Tensiune de rupere dren-sursă: 55V
Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V
Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ
Curent continuu la dren: 18A
Sarcină totală a porții: 10nC
Disipare de putere: 45W
Carcasă: TO-220AB
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
VISHAY
tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 100V
Curent drenă 6.5A
Putere disipată 60W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 270mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 16nC
canal îmbogăţit
Detalii ale produsului
SF11b
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: NA27x
Condensator ceramic 10nF 50V
SR Passives condensator ceramic Capacitanţă 10nF Tensiune de lucru 50V Toleranţă ±10% Montare THT Raster terminale 2.54mm Temperatura de lucru -25...85°C Capacitanţă - µF 0.01µF
Pret 0,10 Lei
Stoc epuizat
Referinta: REZ.A10
1/2W 470K
rezistor carbonMontare THTRezistenta 470kΩPutere 0.5WToleranta ±5%Tensiune de lucru max. 350VDimensiuni carcasă Ø3.2x9mmDimensiuni terminale Ø0.6x26mmTensiune de impuls max. 700VTerminale axial
Pret 0,09 Lei
In stoc
Pret 0,09 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AP8b
1/4W 3K3 SMD 1%
ROYAL OHM rezistor thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 3.3kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Tensiune de impuls max. 400V Temperatura de lucru -55...125°C Coeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: AJ8b
1/4W 68K SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 68kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Tensiune de impuls max. 400V Temperatura de lucru -55...125°C Coeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,11 Lei
in stoc
Referinta: NC30b
Condensator poliester 220nf 63V
KEMET cu poliester Capacitanţă 220nF Tensiune de lucru max. 100V DC, 63V AC Raster terminale 5mm
Pret 0,87 Lei
In stoc
Referinta: AJ6b
1/4W 220K SMD 1%
YAGEO
rezistor thick film
Montare SMD
Carcasă - inch 1206
Carcasă - mm 3216
Rezistenţă 220kΩ
Putere 0.25W
Toleranţă ±1%
Pret 0,10 Lei
in stoc
Referinta: NB8L
22nF 100V MLCC
condensator ceramic
Capacitanţă 22nF
Tensiune de lucru 100V
Dielectric X7R
Toleranţă ±10%
Montare THT
Raster terminale 5mm
Temperatura de lucru -55...125°C
Pret 0,44 Lei
in stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Pret 9,05 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AI12a
IRF7313 -SMD
Infineon Tip tranzistor N-MOSFET x2 Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 30V Curent drenă 6.5A Putere disipată 2W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 22nC
Pret 2,29 Lei
In stoc
Referinta: D3
IRF2807
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 75V Curent drenă 82A Putere 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ Încărcătură poartă 106.7nC HEXFET
Pret 6,00 Lei
in stoc
Referinta: TRA-I6
IRF630
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursă 200VCurent drenă 5.7APutere disipată 75WCarcasă TO220-3Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 400mΩMontare THTcanal îmbogăţit
Pret 2,69 Lei
In stoc
Referinta: G7
IRFP450
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 500V Curent drenă 8.7A Putere 190W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: SF7a
IRF520N
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.7A Putere 48W
Pret 3,51 Lei
in stoc
Referinta: XI2
IRF644N
Tranzistor N-Mosfet 250V 14A 125W capsula TO220AB producator IR
Pret 3,97 Lei
in stoc
Referinta: SG16b
IRFP350
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata 190WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.3ΩÎncarcatura poarta 150nCcanal îmbogătit
Pret 13,12 Lei
in stoc
Referinta: AG8a
IRF1010ZPBF
Infineon N-MOSFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 94A Putere 140W
Pret 4,58 Lei
Stoc epuizat
Referinta: BH4b
IRLZ44N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 55VCurent drenă 41APutere disipată 83WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±16VRezistenţă în timpul funcţionării 22mΩMontare THTÎncărcătură poartă 32nCcanal îmbogăţitlogic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Referinta: AJ10b
IRFR120NPBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.1A Putere 39W Carcasa DPAK
Pret 1,88 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NF24p
IRF510
tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa 100V Curent drena 4A Putere disipata 43W Carcasa TO220AB Tensiune poarta-sursa ±20V Rezistenta în timpul functionarii 540mΩ Montare THT Incărcatura poarta 8.3nC canal îmbogatit
Pret 2,95 Lei
Stoc epuizat
Referinta: SG13c
IRLZ34N
Tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 55V
Curent drena 27A
Putere disipata 56W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ± 16V
Rezistenta în timpul functionarii 35mΩ
Montare THT
Incarcatura poarta 16.7 nC
Canal îmbogatit
Logic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Referinta: XN4
IRF840
Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula
TO220AB producator Fairchild
Pret 4,45 Lei
In stoc
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
IRF7316TRPBF SMD
tranzistor P-MOSFET x2Tehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -30VCurent drenă -4.9APutere disipată 2WCarcasă SO8Montare SMD canal îmbogăţit
Pret 7,58 Lei
In stoc
Referinta: NA12p
IRFP260
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 35A Putere disipată 300W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ Montare THT Încărcătură poartă 234nC
Pret 11,69 Lei
in stoc
Tip: Canal N
Tensiune de rupere dren-sursă: 55V
Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V
Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ
Curent continuu la dren: 18A
Sarcină totală a porții: 10nC
Disipare de putere: 45W
Carcasă: TO-220AB