Tranzistori IRFxx IRLZ24N 2,90 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRLZ24N 2,90 Lei

    IRLZ24N

    SF11b
    Rating 

      Tip: Canal N

      Tensiune de rupere dren-sursă: 55V

      Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V

      Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ

      Curent continuu la dren: 18A

      Sarcină totală a porții: 10nC

      Disipare de putere: 45W

      Carcasă: TO-220AB

      2,90 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Descriere

      VISHAY
      tranzistor     N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     100V
      Curent drenă     6.5A
      Putere disipată     60W
      Carcasă     TO220AB
      Tensiune poartă-sursă     ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării 270mΩ
      Montare     THT
      Încărcătură poartă     16nC
      canal     îmbogăţit

      Detalii ale produsului
      SF11b
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRLZ24N

      IRLZ24N

      Tip: Canal N

      Tensiune de rupere dren-sursă: 55V

      Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V

      Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ

      Curent continuu la dren: 18A

      Sarcină totală a porții: 10nC

      Disipare de putere: 45W

      Carcasă: TO-220AB

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AO2b

      1/4W 1M SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      YAGEO     thick film     Montare SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm 3216     Rezistenţă 1MΩ     Putere     0.25W     Toleranţă ±1%     Tensiune de lucru max.    200V     Tensiune de impuls max. 500V     Temperatura de lucru -55...155°C
      Pret 0,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AP8b

      1/4W 3K3 SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      ROYAL OHM     rezistor thick film     Montare     SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm     3216     Rezistenţă     3.3kΩ     Putere     0.25W     Toleranţă     ±1%     Tensiune de lucru max.     200V     Tensiune de impuls max.     400V     Temperatura de lucru     -55...125°C     Coeficient de temperatură     100ppm/°C
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NB8L

      22nF 100V MLCC

      Recenzie(i): 0
      condensator ceramic Capacitanţă 22nF Tensiune de lucru 100V Dielectric X7R Toleranţă ±10% Montare THT Raster terminale 5mm Temperatura de lucru -55...125°C
      Pret 0,44 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AF3b

      1/4W 33K SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      ROYAL OHM     thick film     Montare SMD     Carcasă - inch 1206     Carcasă - mm 3216     Rezistenţă 33kΩ     Putere     0.25W     Toleranţă ±1%     Tensiune de lucru max.    200V     Tensiune de impuls max. 400V     Temperatura de lucru     -55...125°C     Coeficient de temperatură 100ppm/°C
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NF2a

      Microintrerupator 6x6x4.3mm

      Recenzie(i): 0
      Nr. poziţii stabile     cu 1 poziţie     Configuraţie pini     SPST-NO     Sarcină admisibilă contacte DC(la sarcina rezistivă)     0.05 A / 12 VDC     Forţă de comutare     1.6N     Dimensiuni carcasă 6x6mm
      Pret 0,40 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AO8b

      1/4W 1K SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      ROYALOHM rezistor thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 1kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1%
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AK6a

      47nF 100V

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES condensator     ceramicCapacitanta     47nF Tensiune de lucru     100VDielectric     Y5V Toleranta     ±5%Montare     THTRaster terminale     5mmTemperatura de lucru     -55...85°C
      Pret 0,37 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: SJ16b

      IRFP264

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
      Pret 17,18 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: D3

      IRF2807

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AR8

      IRFZ48N

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,68 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL8a

      IRF4905

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...
      Pret 7,02 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AB8b

      IRFP250

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-I6

      IRF630

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc