• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFZ46N -IR 2,68 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFZ46N -IR 2,68 Lei

IRFZ46N -IR

AM4b
Rating 

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V    

    2,68 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Descriere

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     16.5mΩ     
    Rezistenţa termică conector-carcasă     1.7K/W     
    Montare     THT     
    Încărcătură poartă     48nC

    Detalii ale produsului
    AM4b
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFZ46N -IR

    IRFZ46N -IR

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V    

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: NB21a

    1/2W 3R3

    Recenzie(i): 0
    rezistor    carbonMontare    THTRezistenta  3.3ΩPutere    0.5WToleranta    ±5%Tensiune de lucru max.    350VDimensiuni carcasă    Ø3.2x9mmDimensiuni terminale    Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.    700VTerminale    axial
    Pret 0,11 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: LED.B2

    Led 5mm galben transparent

    Recenzie(i): 0
    diodă     LEDDiametru diodă LED     5mmCuloare diodă LED     galbenăLuminozitate     3000...9000mcdUnghi lum.     30°Curent diode LED     20mAParte frontală     convexLungime undă λd     588-594nmLentilă diodă     transparent 1.8V - 2.2VMontare     THT
    Pret 0,43 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: BH6a

    1N4148

    Recenzie(i): 0
    diodă     comutaţie     THT     Tensiune inversă max.     100V     Curent de sarcină     0.2A     o singură diodă     Capacitanţă     4pF     Carcasă DO35     Timp de restabilire     4ns     Curent de şoc direct max. 1A     Tensiune conducţie max. 1V     Putere disipată 500mW
    Pret 0,11 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AG3b

    IRF640

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
    Pret 3,25 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: NA28p

    IRF3710

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
    Pret 6,65 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SF11b

    IRLZ24N

    Recenzie(i): 0
    Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB
    Pret 2,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: TRA-J-1

    IRF9540N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AL10b

    IRFR3910PBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
    Pret 2,62 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SC13b

    Marca: NXP Semiconductors

    IRF7316TRPBF SMD

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
    Pret 7,58 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-I 1

    IRFD9120PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
    Pret 2,64 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-H12

    IRFPC50

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AI12a

    IRF7313 -SMD

    Recenzie(i): 0
    Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
    Pret 2,29 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-I6

    IRF630

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    In stoc