• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFZ46N -IR 2,68 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFZ46N -IR 2,68 Lei

IRFZ46N -IR

AM4b
Rating 

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V    

    2,68 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Descriere

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     16.5mΩ     
    Rezistenţa termică conector-carcasă     1.7K/W     
    Montare     THT     
    Încărcătură poartă     48nC

    Detalii ale produsului
    AM4b
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFZ46N -IR

    IRFZ46N -IR

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V    

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: AG3b

    IRF640

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
    Pret 3,25 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: TRA H8

    IRF740

    Recenzie(i): 0
    IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
    Pret 6,00 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BH4b

    IRLZ44N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
    Pret 3,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AI12a

    IRF7313 -SMD

    Recenzie(i): 0
    Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
    Pret 2,29 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NA28p

    IRF3710

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
    Pret 6,65 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SA10a

    IRF540N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SC13b

    Marca: NXP Semiconductors

    IRF7316TRPBF SMD

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
    Pret 7,58 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AD6c

    IRF530N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
    Pret 4,73 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AI4b

    IRFPC60

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
    Pret 16,17 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: K2

    IRF5210 -IRF

    Recenzie(i): 0
    P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
    Pret 5,74 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AR8

    IRFZ48N

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AK10b

    IRFP064

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AR15c

    IRF730

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa    400VCurent drenă     3.5APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa    ±20VRezistenta în timpul functionarii     1ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
    Pret 3,71 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    In stoc