• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFZ46N -IR 2,68 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFZ46N -IR 2,68 Lei

IRFZ46N -IR

AM4b
Rating 

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V    

    2,68 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Descriere

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     16.5mΩ     
    Rezistenţa termică conector-carcasă     1.7K/W     
    Montare     THT     
    Încărcătură poartă     48nC

    Detalii ale produsului
    AM4b
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFZ46N -IR

    IRFZ46N -IR

    Producător     Infineon (IRF)     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     55V     
    Curent drenă     46A     
    Putere     88W     
    Carcasa     TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     20V    

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: NB6s DB101S

    Punte redresoare 1A 50V SMD

    Recenzie(i): 0
    Producător     DC COMPONENTS     Tip componentă semiconductor     punte redresoare Tensiune inversă max.     50V     Curent nominal     1A     Carcasa     DB-1S     Curent de şoc direct max.     50A     Montare     SMD
    Pret 0,59 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BH2a

    BC547C

    Recenzie(i): 0
    DIOTEC SEMICONDUCTOR     tranzistor NPN     Polarizare bipolar     Tensiune colector-emiţător 45V     Curent de colector 100mA     Putere     500mW     
    Pret 0,26 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NG7b

    Carcasa 59x84x23mm

    Recenzie(i): 0
    KRADEX carcasă     universalăDimensiune X     59mmDimensiune Y     84mmDimensiune Z     23mmMaterial carcasă     polistirenCuloare carcasă     neagrăCuloare capac     negru
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: NA12p

    IRFP260

    Recenzie(i): 0
       Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
    Pret 11,69 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NF24p

    IRF510

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SI14a

    IRF9530N

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: K2

    IRF5210 -IRF

    Recenzie(i): 0
    P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
    Pret 5,74 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: D3

    IRF2807

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
    Pret 6,00 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AL10a

    IRG4BC30UDPBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
    Pret 8,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NA28p

    IRF3710

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
    Pret 6,65 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SG16b

    IRFP350

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
    Pret 13,12 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NB19s

    IRF5305

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AB8b

    IRFP250

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
    Pret 6,45 Lei
    Mai multe
    In stoc