



Infineon
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 6.5A
Putere disipată 2W
Carcasă SO8
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ
Montare SMD
Încărcătură poartă 22nC
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: AK9a
Referinta: NF39b
Referinta: SA12a
Referinta: REZ.TER.L2
Referinta: NF5x
Referinta: AL8a
Referinta: AM10a
Referinta: AG3b
Referinta: AJ10b
Referinta: AD6c
Infineon
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 6.5A
Putere disipată 2W
Carcasă SO8
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ
Montare SMD
Încărcătură poartă 22nC
check_circle
check_circle