- Stoc epuizat



Infineon
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 6.5A
Putere disipată 2W
Carcasă SO8
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ
Montare SMD
Încărcătură poartă 22nC
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: REZ.TER.L2
Referinta: NG9t
Referinta: NF8c
Referinta: NF39b
Referinta: NF5x
Referinta: AK9a
Referinta: SF11b
Referinta: SE15a
Referinta: AI4b
Referinta: AG3b
Referinta: TRA-J-1
Referinta: AP4b
Referinta: AB5b
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
Referinta: AL12b
Infineon
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 6.5A
Putere disipată 2W
Carcasă SO8
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ
Montare SMD
Încărcătură poartă 22nC
check_circle
check_circle