- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRF7313 -SMD
Rating
Infineon
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 6.5A
Putere disipată 2W
Carcasă SO8
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ
Montare SMD
Încărcătură poartă 22nC
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
AI12a
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: NF5x
1000uF 35V Samwha
Producator SAMWHA condensator electrolitic Montare THT Capacitanta 1000µF Tensiune de lucru 35V DC Dimensiuni carcasă Ø 12.5x20mmTemperatura de lucru -40...105°C
Pret 1,25 Lei
In stoc
Referinta: REZ.TER.L2
Siguranta termica 10A 240°C 12mm
urent maxim 10A 250VAC dimensiune siguranta 12mm pentru a nu se defecta se recomanda montarea
fara lipire sau terminalul tinut cu un cleste spitz pentru preluarea caldurii
Pret 2,95 Lei
In stoc
Referinta: AK9a
AO4828
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR tranzistor N-MOSFET x2 Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 3.6A Putere 1.28W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 56mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 4.3nC
Pret 2,45 Lei
In stoc
Pret 2,24 Lei
In Stoc
Referinta: XC5
FDS4559
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4559
Dual MOSFET N/P-CH
60V 4.5/3.5A SO8
Pret 4,20 Lei
In Stoc
Referinta: NF39b
1000uF 25V Samwha
Temperatura operare: -55 +105grade Dimensiuni: 10x20
Pret 0,99 Lei
In stoc
Referinta: SA12a
MUR1660
diodă redresoareMontare THTTensiune inversă max. 0,6kVCurent de sarcină 16Ao singură diodăCurent de şoc direct max. 200ACarcasă TO220ACTensiune conducţie max. 1,5VTimp de restabilire 50ns comutare super-rapidă glass passivated
Pret 3,81 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: SF6a
IRF610PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 2.1A Putere 36W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,51 Lei
in stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AK3b
IRFP150N
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 30A Putere disipată 160W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ Montare THT Încărcătură poartă 110nC
Pret 7,90 Lei
In stoc
Referinta: AI4b
IRFPC60
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare THTIncarcatura poarta 210nCcanal imbogatit
Pret 16,17 Lei
In stoc
Referinta: AM4a
IRF7319PBF
Infineon (IRF) Tip tranzistor N/P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 30/-30V Curent drenă 6.5/-4.9A Putere 2W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 29/58mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 22/23nC
Pret 2,95 Lei
In stoc
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
Stoc epuizat
Referinta: BH4b
IRLZ44N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 55VCurent drenă 41APutere disipată 83WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±16VRezistenţă în timpul funcţionării 22mΩMontare THTÎncărcătură poartă 32nCcanal îmbogăţitlogic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Referinta: TRA-H12
IRFPC50
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare THTIncarcatura poarta 140nCcanal imbogatit
Pret 12,10 Lei
In stoc
Referinta: AB5b
IRFU9024PBF
Tranzistor:unipolar,P-MOSFET;-60V;-8,8A;42W;TO251AA
Producător: VISHAY
Pret 2,24 Lei
In stoc
Pret 6,56 Lei
in stoc
Pret 10,68 Lei
in stoc
Referinta: SJ16b
IRFP264
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata 280WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.75ΩÎncarcatura poarta 0.21µCcanal îmbogătit
Pret 17,18 Lei
In stoc
Pret 2,24 Lei
In Stoc
Referinta: AG3b
IRF640
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 200VCurent drenă 18APutere disipată 150WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0,15ΩMontare THTÎncărcătură poartă 44,7nCcanal îmbogăţit
Pret 3,25 Lei
In stoc
Referinta: AM4b
IRFZ46N -IR
Producător Infineon (IRF) Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 46A Putere 88W Carcasa TO220AB Tensiune poartă-sursă 20V
Pret 2,68 Lei
Stoc epuizat
Pret 3,85 Lei
In stoc
Infineon
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 6.5A
Putere disipată 2W
Carcasă SO8
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ
Montare SMD
Încărcătură poartă 22nC