• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRF7313 -SMD 2,29 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRF7313 -SMD 2,29 Lei

IRF7313 -SMD

AI12a
Rating 

    Infineon      
    Tip tranzistor     N-MOSFET x2     
    Tehnologie     HEXFET®     
    Polarizare     unipolar     
    Tensiune drenă-sursă     30V     
    Curent drenă     6.5A     
    Putere disipată     2W     
    Carcasă SO8     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     
    Montare     SMD     
    Încărcătură poartă     22nC

    2,29 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    AI12a
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRF7313  -SMD

    IRF7313 -SMD

    Infineon      
    Tip tranzistor     N-MOSFET x2     
    Tehnologie     HEXFET®     
    Polarizare     unipolar     
    Tensiune drenă-sursă     30V     
    Curent drenă     6.5A     
    Putere disipată     2W     
    Carcasă SO8     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     
    Montare     SMD     
    Încărcătură poartă     22nC

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: REZ.TER.L2

    Siguranta termica 10A 240°C 12mm

    Recenzie(i): 0
    urent maxim 10A 250VAC dimensiune siguranta 12mm pentru a nu se defecta se recomanda montarea fara lipire sau terminalul tinut cu un cleste spitz pentru preluarea caldurii
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NF5x

    1000uF 35V Samwha

    Recenzie(i): 0
    Producator     SAMWHA     condensator electrolitic     Montare THT     Capacitanta     1000µF     Tensiune de lucru 35V DC     Dimensiuni carcasă Ø 12.5x20mmTemperatura de lucru     -40...105°C
    Pret 1,25 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AK9a

    AO4828

    Recenzie(i): 0
    ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor     N-MOSFET x2     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     3.6A     Putere     1.28W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     56mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     4.3nC
    Pret 2,45 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: SF11b

    IRLZ24N

    Recenzie(i): 0
    Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB
    Pret 2,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SE15a

    IRFD120 -IR

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
    Pret 2,24 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AI4b

    IRFPC60

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
    Pret 16,17 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AG3b

    IRF640

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
    Pret 3,25 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SF6a

    IRF610PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: TRA-J-1

    IRF9540N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AP4b

    IRF540NS

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SC13b

    Marca: NXP Semiconductors

    IRF7316TRPBF SMD

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
    Pret 7,58 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AL12b

    IRFD014PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc