Tranzistori IRFxx IRF9540N 4,98 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF9540N 4,98 Lei

    IRF9540N

    TRA-J-1
    Rating 

      tranzistor     P-MOSFET
      Tehnologie     HEXFET®
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     -100V
      Curent drenă     -23A
      Putere disipată     140W
      Carcasă     TO220
      Tensiune poartă-sursă     ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     0.117Ω
      Montare     THT
      Încărcătură poartă     64.7nC
      canal     îmbogăţit

      4,98 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      TRA-J-1
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF9540N

      IRF9540N

      tranzistor     P-MOSFET
      Tehnologie     HEXFET®
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     -100V
      Curent drenă     -23A
      Putere disipată     140W
      Carcasă     TO220
      Tensiune poartă-sursă     ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     0.117Ω
      Montare     THT
      Încărcătură poartă     64.7nC
      canal     îmbogăţit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: NH39z

      2W 47R

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    47ΩPutere    2WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    500VDimensiuni carcasă    Ø4.2x11mmDimensiuni terminale    Ø0.7x35mmTensiune de impuls max.    1kVTerminale     axial
      Pret 0,34 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: Tra E15

      TIP2955

      Recenzie(i): 0
      STMicroelectronicstranzistor     PNPPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător     100VCurent de colector     15APutere disipata     90WCarcasa    TO247-3Montare     THT
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: REZ.D1

      1/2W 22K

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenta  22kΩPutere    0.5WToleranta    ±5%Tensiune de lucru max.    350VDimensiuni carcasă    Ø3.2x9mmDimensiuni terminale    Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.    700VTerminale    axial
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: SF7a

      IRF520N

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NF24p

      IRF510

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SG16b

      IRFP350

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
      Pret 13,12 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SE4b

      IRF3205SPBF -SMD

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
      Pret 4,32 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AL10b

      IRFR3910PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
      Pret 2,62 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NA28p

      IRF3710

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
      Pret 6,65 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NA12p

      IRFP260

      Recenzie(i): 0
         Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
      Pret 11,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SA4a

      IRF3205

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
      Pret 4,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SA10a

      IRF540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      In stoc