• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRF1010ZPBF 4,58 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRF1010ZPBF 4,58 Lei

IRF1010ZPBF

AG8a
Rating 

    Infineon    
    N-MOSFET     
    Tensiune drenă-sursă 55V     
    Curent drenă     94A
    Putere     140W    

    4,58 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Descriere

    Infineon    
    N-MOSFET     
    Tensiune drenă-sursă 55V     
    Curent drenă     94A
    Putere     140W     
    Tensiune poartă-sursă 20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării 7.5mΩ     
    Rezistenţa termică conector-carcasă 1.11K/W     
    Încărcătură poartă 63nC

    Detalii ale produsului
    AG8a
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRF1010ZPBF

    IRF1010ZPBF

    Infineon    
    N-MOSFET     
    Tensiune drenă-sursă 55V     
    Curent drenă     94A
    Putere     140W    

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: SG10b

    2SA719

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    PNPPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    25VCurent de colector    0,5APutere disipată    0,625WCarcasă    TO92Amplificare curent    85...340Montare    THTFrecvenţă     200MHz
    Pret 0,34 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: REZ.G8

    1/2W 2K7

    Recenzie(i): 0
    SR PASSIVES     rezistor de carbon     Montare     THT     Rezistenţă     2.7kΩ     Putere     0.5W     Toleranţă     ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasă     Ø3.2x9mm     Dimensiuni terminale     Ø0.6x26mm     Tensiune de impuls max. 700V     Terminale     axial
    Pret 0,09 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: XP4

    Semireglabil multitura 10k Vertical

    Recenzie(i): 0
    potentiometru     de montare     multitura     Rezistenta     10kΩ     Putere     500mW     Montare     THT     Toleranta     ±10%     Caracteristici     lineare     Material pista     metalo-ceramic    
    Pret 1,88 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: AA9a

    IRFZ44N

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: K2

    IRF5210 -IRF

    Recenzie(i): 0
    P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
    Pret 5,74 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AI12a

    IRF7313 -SMD

    Recenzie(i): 0
    Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
    Pret 2,29 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: D3

    IRF2807

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
    Pret 6,00 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: NA12p

    IRFP260

    Recenzie(i): 0
       Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
    Pret 11,69 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AB8b

    IRFP250

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
    Pret 6,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SA4a

    IRF3205

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
    Pret 4,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-H12

    IRFPC50

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NF24p

    IRF510

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: TRA-I 1

    IRFD9120PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
    Pret 2,64 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AR8

    IRFZ48N

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AM4a

    IRF7319PBF

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AO1a

    IRFP240

    Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     20A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC
    Pret 9,61 Lei
    Mai multe
    in stoc