



Infineon (IRF)
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 80A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistentă în timpul functionării 8mΩ
Montare THT
Incarcătură poarta 146nC
canal imbogătit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: AJ2b
Referinta: REZ.TER.L2
Referinta: NE10 m
Referinta: NH7e
Referinta: XP4
Referinta: NB31x
Referinta: AM4b
Referinta: AM4a
Referinta: TRA-I 1
Referinta: AB8b
Referinta: AD6c
Referinta: AB5b
Referinta: SE15a
Referinta: AP4b
Referinta: AJ10b
Referinta: SA10a
Infineon (IRF)
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 80A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistentă în timpul functionării 8mΩ
Montare THT
Incarcătură poarta 146nC
canal imbogătit
check_circle
check_circle