

Infineon (IRF)
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 80A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistentă în timpul functionării 8mΩ
Montare THT
Incarcătură poarta 146nC
canal imbogătit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: ND27a
Referinta: NE45a
Referinta: NE38j
Referinta: TER.A8
Referinta: H10z
Referinta: AM4b
Referinta: AI4b
Referinta: AG3b
Referinta: AL10a
Referinta: AL10b
Referinta: TRA-I 1
Referinta: AB2c
Infineon (IRF)
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 80A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistentă în timpul functionării 8mΩ
Montare THT
Incarcătură poarta 146nC
canal imbogătit
check_circle
check_circle