Tranzistori IRFxx IRF3205 4,90 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF3205 4,90 Lei

    IRF3205

    SA4a
    Rating 

      Infineon (IRF)     
      tranzistor     N-MOSFET     
      Tehnologie     HEXFET®     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     55V     
      Curent drenă     80A     
      Putere disipată     200W     
      Carcasă     TO220AB     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     
      Montare     THT     
      Incarcătură poarta     146nC     
      canal     imbogătit

      4,90 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      SA4a
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF3205

      IRF3205

      Infineon (IRF)     
      tranzistor     N-MOSFET     
      Tehnologie     HEXFET®     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     55V     
      Curent drenă     80A     
      Putere disipată     200W     
      Carcasă     TO220AB     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     
      Montare     THT     
      Incarcătură poarta     146nC     
      canal     imbogătit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AA4b

      TIP122

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     NPNPolarizare     bipolartranzistor     DarlingtonTensiune colector-emitator     100VCurent de colector     5APutere disipată     65WCarcasă     TO220AB
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AU5a

      Varistor 25VAC

      Recenzie(i): 0
      LITTELFUSE     varistor     oxid de metal     Montare     THT     Tensiunea varistorului     39V     Curent max. varistor 8/20µs     250A     Raster terminale     5mm     Dimensiuni max. ale carcasei     Ø7mm     Energie 2 ms     1.2J     Tensiune de lucru max.     25V AC, 31V DC
      Pret 0,76 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: REZ.E9

      1/4W 1K5

      Recenzie(i): 0
       rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    1.5kΩPutere    0.25WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    250VDimensiuni carcasă    Ø2.3x6mmDimensiuni terminale    Ø0.4x28mmTensiune de impuls max.    500VTerminale     axial
      Pret 0,08 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: BH4b

      IRLZ44N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM10a

      IRF1010E

      Recenzie(i): 0
      INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
      Pret 4,52 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AD6c

      IRF530N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
      Pret 4,73 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In stoc