
Staţie de lipit cu letcon Putere:...
- Stoc epuizat
Staţie de lipit cu letcon Putere:...


Infineon (IRF)
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 80A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistentă în timpul functionării 8mΩ
Montare THT
Incarcătură poarta 146nC
canal imbogătit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NB27h
Referinta: NG17a
Referinta: NF24v
Referinta: BC6b
Referinta: AL10a
Referinta: AR15c
Referinta: SA10a
Referinta: AM4b
Referinta: BA4h
Referinta: NF24p
Referinta: AG8a
Referinta: AB2c
Referinta: AB8b
Infineon (IRF)
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 80A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistentă în timpul functionării 8mΩ
Montare THT
Incarcătură poarta 146nC
canal imbogătit
check_circle
check_circle