Tranzistori IRFxx IRFPC50 12,10 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRFPC50 12,10 Lei

    IRFPC50

    TRA-H12
    Rating 

       VISHAY
      tranzistor N-MOSFET
      Polarizare unipolar
      Tensiune drenă-sursa 600V
      Curent drena     7A
      Putere disipata 180W
      Carcasă TO247AC
      Tensiune poartă-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii 600mΩ
      Montare     THT
      Incarcatura poarta 140nC
      canal     imbogatit

      12,10 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      TRA-H12
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRFPC50

      IRFPC50

       VISHAY
      tranzistor N-MOSFET
      Polarizare unipolar
      Tensiune drenă-sursa 600V
      Curent drena     7A
      Putere disipata 180W
      Carcasă TO247AC
      Tensiune poartă-sursa     ±20V
      Rezistenta în timpul functionarii 600mΩ
      Montare     THT
      Incarcatura poarta 140nC
      canal     imbogatit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: NB23x

      Condensator ceramic 100nF 50V

      Recenzie(i): 0
      SR Passives     condensator     ceramic     Capacitanţă     100nF     Tensiune de lucru     50V     Toleranţă     ±10%     Montare     THT     Raster terminale     2.54mm     Temperatura de lucru     -25...85°C     Capacitanţă - µF 0.1µF
      Pret 0,11 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AR8

      IRFZ48N

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: REZ H5

      1/4W 33K

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenta    33KPutere    0.25WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    250VDimensiuni carcasă    Ø2.5x6.8mmDimensiuni terminale    Ø0.4x28mmTensiune de impuls max.    500VTerminale     axial
      Pret 0,13 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BK3a

      BC337

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emitator     45VCurent de colector     0.8APutere disipata     625mWCarcasa     TO92Amplificare curent     400Montare     THT
      Pret 0,55 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AI4b

      IRFPC60

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
      Pret 16,17 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SD12a

      IRFP9240

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -200V     Curent drenă     -7.5A     Putere     150W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω     Încărcătură poartă 44nC
      Pret 9,85 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL12b

      IRFD014PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-I6

      IRF630

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL10a

      IRG4BC30UDPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
      Pret 8,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SG13c

      IRLZ34N

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,68 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SJ16b

      IRFP264

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
      Pret 17,18 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AB8b

      IRFP250

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL10b

      IRFR3910PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
      Pret 2,62 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat