• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRF4905 7,02 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRF4905 7,02 Lei

IRF4905

AL8a
Rating 

    Infineon (IRF)     
    tranzistor     P-MOSFET     
    Tehnologie     HEXFET®     
    Polarizare     unipolar     
    Tensiune drena-sursă     -55V     
    Curent drenă     -74A     
    Putere disipată     200W     
    Carcasă TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     
    Montare     THT     
    Incărcatura poartă 120nC     
    canal     îmbogăţit

    7,02 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    AL8a
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRF4905

    IRF4905

    Infineon (IRF)     
    tranzistor     P-MOSFET     
    Tehnologie     HEXFET®     
    Polarizare     unipolar     
    Tensiune drena-sursă     -55V     
    Curent drenă     -74A     
    Putere disipată     200W     
    Carcasă TO220AB     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     
    Montare     THT     
    Incărcatura poartă 120nC     
    canal     îmbogăţit

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: AK6a

    47nF 100V

    Recenzie(i): 0
    SR PASSIVES condensator     ceramicCapacitanta     47nF Tensiune de lucru     100VDielectric     Y5V Toleranta     ±5%Montare     THTRaster terminale     5mmTemperatura de lucru     -55...85°C
    Pret 0,37 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Statie de lipit cu afisaj digital al temperaturii ZD-937

    Recenzie(i): 0
    Statie de lipit cu afisaj digital al temperaturii. Este perfecta pentru aplicaţii de amatori, scoli, electricieni auto, laboratoare, etc. Puterea de incalzire 48 W - Temperatura varfului reglabila intre 150° - 450° C Alimentare: AC 220 ~ 240 V / 50 Hz - Toleranta afisaj: ± 5% - Dimensiuni 210 x 125 x 135 cm - Greutate: 1.8 kg.
    Pret 364,02 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: NH18b

    1/2W 100R

    Recenzie(i): 0
    rezistor     carbonMontare     THTRezistenţă     100ΩPutere     0.5WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     350VDimensiuni carcasă     Ø3x9mmDimensiuni terminale     Ø0.54x28mmTensiune de impuls max.     700VTerminale     axial
    Pret 0,09 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AA11b

    1.3W 24V

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     diodă Zener     Putere     1.3W     Tensiune Zener 24V     Carcasă DO41     Montare THT     Toleranţă ±5%
    Pret 0,54 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AF9a

    1W 5K6

    Recenzie(i): 0
    rezistor     carbonMontare     THTRezistenţă     5.6kΩPutere     1WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     500VDimensiuni carcasă     Ø3.2x9mmDimensiuni terminale     Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.     1kVTerminale     axial
    Pret 0,26 Lei
    Mai multe
    In stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: NB19s

    IRF5305

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SC13b

    Marca: NXP Semiconductors

    IRF7316TRPBF SMD

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
    Pret 7,58 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SG16b

    IRFP350

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
    Pret 13,12 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: TRA-J-1

    IRF9540N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SI14a

    IRF9530N

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AM4b

    IRFZ46N -IR

    Recenzie(i): 0
    Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
    Pret 2,68 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SF7a

    IRF520N

    Recenzie(i): 0
    InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AD6c

    IRF530N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
    Pret 4,73 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AL12b

    IRFD014PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SA10a

    IRF540N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    In stoc