- Stoc epuizat



Infineon (IRF)
tranzistor P-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursă -55V
Curent drenă -74A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ
Montare THT
Incărcatura poartă 120nC
canal îmbogăţit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NE8m
Referinta: AF4a
Referinta: NI11a
Referinta: NG42b
Referinta: SC1a
Referinta: SEM.I10
Referinta: AI12a
Referinta: BA4h
Referinta: AB5b
Referinta: TRA-I 1
Infineon (IRF)
tranzistor P-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursă -55V
Curent drenă -74A
Putere disipată 200W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ
Montare THT
Incărcatura poartă 120nC
canal îmbogăţit
check_circle
check_circle