Tranzistori IRFxx IRF520N 3,51 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF520N 3,51 Lei

    IRF520N

    SF7a
    Rating 

      Infineon
      N-MOSFET     
      unipolar     
      Tensiune drenă-sursă 100V     
      Curent drenă 9.7A     
      Putere     48W    

      3,51 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Descriere

      Infineon
      N-MOSFET     
      unipolar     
      Tensiune drenă-sursă 100V     
      Curent drenă 9.7A     
      Putere     48W     
      Tensiune poartă-sursă     20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     
      Rezistenţa termică conector-carcasă 3.1K/W     
      Încărcătură poartă 16.7nC

      Detalii ale produsului
      SF7a
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF520N

      IRF520N

      Infineon
      N-MOSFET     
      unipolar     
      Tensiune drenă-sursă 100V     
      Curent drenă 9.7A     
      Putere     48W    

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: NE26f

      Burghiu metal DIN338 HSS 3.9x73mm

      Recenzie(i): 0
      Burghiu pentru metal DIN338 HSS4241. Material HSS-W4%, Mo2%, Cr4%, V1%Burghiu spiralat, coada cilindrica, taiere dreapta.Pentru metal, otel, fier, forjate, neferoase, plastic 3.9x74mm
      Pret 2,65 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NF36z

      1/2W 10K

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES     rezistor     de carbon     Rezistenţă     10kΩ     Putere     0.5W     Toleranţă     ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasă     Ø3.2x9mm     Dimensiuni terminale     Ø0.6x26mm     Tensiune de impuls max. 700V     Terminale     axial
      Pret 0,08 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: DIO-D11

      BY255

      Recenzie(i): 0
      BY255 Diodă redresoare;1,3kV;3A;DO27ROHS Producător: DC COMPONENTS
      Pret 0,50 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AJ8a

      1N4005 -DIO

      Recenzie(i): 0
      DIOTEC SEMICONDUCTOR     Tip diodă     redresoare     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină 1A     Montare THT     Carcasă DO41
      Pret 0,37 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NH47j

      Multimetru digital DT700B

      Recenzie(i): 0
      Specificatii: Domenii de masurare: - tensiune continua: 200mV…1000V - tensiune alternativa: 200V…750V - curent continuu: 200uA...10A - tensiune alternativa: 600uA...10A - rezistente: 200ohmi...2000kohmi - testare diode - testare continuitate
      Pret 49,82 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: NA39t

      2W 220K

      Recenzie(i): 0
      rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    220kΩPutere    2WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    500VDimensiuni carcasă    Ø4,2x11mmDimensiuni terminale    Ø0,7x35mmTensiune de impuls max.    1kVTerminale    axial
      Pret 0,29 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: NA12p

      IRFP260

      Recenzie(i): 0
         Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     35A     Putere disipată     300W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     40mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     234nC
      Pret 11,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,68 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AL10b

      IRFR3910PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     15A     Putere     52W     Carcasa     DPAK  
      Pret 2,62 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AR15c

      IRF730

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa    400VCurent drenă     3.5APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa    ±20VRezistenta în timpul functionarii     1ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SG13c

      IRLZ34N

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SE15a

      IRFD120 -IR

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
      Pret 2,24 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF11b

      IRLZ24N

      Recenzie(i): 0
      Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB
      Pret 2,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AM4a

      IRF7319PBF

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SD12a

      IRFP9240

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -200V     Curent drenă     -7.5A     Putere     150W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω     Încărcătură poartă 44nC
      Pret 9,85 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat