• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFR3910PBF 2,62 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFR3910PBF 2,62 Lei

IRFR3910PBF

AL10b
Rating 

    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     15A     
    Putere     52W     
    Carcasa     DPAK  

    2,62 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Descriere

    Producător     INTERNATIONAL RECTIFIER     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     15A     
    Putere     52W     
    Carcasa     DPAK     
    Tensiune poartă-sursă     20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     115mΩ     
    Rezistenţa termică conector-carcasă     2.4K/W     
    Montare     SMD     
    Încărcătură poartă     29.3nC

    Detalii ale produsului
    AL10b
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFR3910PBF

    IRFR3910PBF

    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     15A     
    Putere     52W     
    Carcasa     DPAK  

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: CON NH47 B

    1nF 100V

    Recenzie(i): 0
    Capacitanţă     1nF     Tensiune de lucru     100V     Dielectric     Y5P     Toleranţă     ±10%     Raster terminale     5mm     Temperatura de lucru     -55...85°C
    Pret 0,11 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AP4b

    IRF540NS

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NG19p

    Sarma bobina cupru 0.4mm 0.5Kg

    Recenzie(i): 0
    SYNFLEX     Tip cablu     sârmă bobină     Caracteristici cablu     emailată separat     Diametru exterior     0.4mm     Conţinut ambalaj     0,5kg     Lungime rolă     397m     Temperatura de lucru     max. 180°C     Material izolaţie exterioară     email poliuretanic     Subtip fire     Cu     Subtip cablu     V 180
    Pret 75,75 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: D6

    Inductor 120uH 1A vertical

    Recenzie(i): 0
    FERROCORE     Tip inductor fir     Montare THT     Inductanţă     120µH     Curent de lucru 1A     Rezistenţă     420mΩ     Toleranţă     ±10%     Orientare spaţială verticale     Dimensiuni carcasă Ø7.5 x 9.5mm     Raster terminale 3mm     Terminale     2pin     Curent de saturaţie 900mA
    Pret 1,27 Lei
    Mai multe
    in stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: AB8b

    IRFP250

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
    Pret 6,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-I 1

    IRFD9120PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
    Pret 2,64 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AK10b

    IRFP064

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AD6c

    IRF530N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
    Pret 4,73 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AL8a

    IRF4905

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...
    Pret 7,02 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AM4a

    IRF7319PBF

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-I6

    IRF630

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AM4b

    IRFZ46N -IR

    Recenzie(i): 0
    Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
    Pret 2,68 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SF11b

    IRLZ24N

    Recenzie(i): 0
    Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB
    Pret 2,90 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AI4b

    IRFPC60

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
    Pret 16,17 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-J-1

    IRF9540N

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In stoc