• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFR3910PBF 2,62 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFR3910PBF 2,62 Lei

IRFR3910PBF

AL10b
Rating 

    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     15A     
    Putere     52W     
    Carcasa     DPAK  

    2,62 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Descriere

    Producător     INTERNATIONAL RECTIFIER     
    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     15A     
    Putere     52W     
    Carcasa     DPAK     
    Tensiune poartă-sursă     20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării     115mΩ     
    Rezistenţa termică conector-carcasă     2.4K/W     
    Montare     SMD     
    Încărcătură poartă     29.3nC

    Detalii ale produsului
    AL10b
    0
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFR3910PBF

    IRFR3910PBF

    Tip tranzistor     N-MOSFET     
    Polarizare     unipolar     
    Tip tranzistor     HEXFET     
    Tensiune drenă-sursă     100V     
    Curent drenă     15A     
    Putere     52W     
    Carcasa     DPAK  

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: AJ10b

    IRFR120NPBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
    Pret 1,88 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: CON R6

    100nF 100V

    Recenzie(i): 0
    Capacitanţă     100nF     Tensiune de lucru     100V     Toleranţă     -20...+80%     Raster terminale     5mm     Temperatura de lucru     -55...85°C
    Pret 0,29 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AK7b

    Condensator 10uF 25V smd 1206

    Recenzie(i): 0
    SAMSUNG condensator ceramic condensator MLCC Capacitanţă 10µF Tensiune de lucru 25V Dielectric X7R Toleranţă ±10% Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Temperatura de lucru -55...125°C
    Pret 0,29 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: ND12ab

    Cablaj dublu placat 100x210x1.5mm

    Recenzie(i): 0
    SOLDER PEAK Tip placă laminat Material FR4, răşină epoxidică Grosime laminat 1.5mm Lungime 210mm Lăţime 0.1m acoperire placă cupru placă două feţe Grosimea stratului de placare din cupru 18µm material întărită cu fibre de sticlă
    Pret 12,90 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AI8a

    Condensator 47nF 100V smd 1206

    Recenzie(i): 0
       condensator ceramic     condensator MLCC     Capacitanţă     47nF     Tensiune de lucru 100V     Dielectric X7R     Toleranţă ±10%     Montare SMD     Carcasă - inch 1206     Carcasă - mm 3216     Temperatura de lucru -55...125°C     Capacitanţă - µF 0.047µF
    Pret 0,26 Lei
    Mai multe
    in stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: AA9a

    IRFZ44N

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SF7a

    IRF520N

    Recenzie(i): 0
    InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AK10b

    IRFP064

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AR8

    IRFZ48N

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
    Pret 4,98 Lei
    Mai multe
    In Stoc

    Referinta: AB8b

    IRFP250

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
    Pret 6,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AJ10b

    IRFR120NPBF

    Recenzie(i): 0
    Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
    Pret 1,88 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SD12a

    IRFP9240

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -200V     Curent drenă     -7.5A     Putere     150W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω     Încărcătură poartă 44nC
    Pret 9,85 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: AL12b

    IRFD014PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
    Pret 2,69 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: AG3b

    IRF640

    Recenzie(i): 0
    tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
    Pret 3,25 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: TRA-H12

    IRFPC50

    Recenzie(i): 0
     VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SG13c

    IRLZ34N

    Recenzie(i): 0
    Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
    Pret 3,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AM10a

    IRF1010E

    Recenzie(i): 0
    INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
    Pret 4,52 Lei
    Mai multe
    in stoc