Tranzistori IRFxx IRFP250 6,45 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRFP250 6,45 Lei

    IRFP250

    AB8b
    Rating 

      tranzistor     N-MOSFET     
      Tehnologie     HEXFET®     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     200V     
      Curent drenă     30A     
      Putere disipată     214W     
      Carcasă     TO247AC     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     
      Montare     THT     
      Incărcătura poartă     123nC     
      canal     îmbogatit

      6,45 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AB8b
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRFP250

      IRFP250

      tranzistor     N-MOSFET     
      Tehnologie     HEXFET®     
      Polarizare     unipolar     
      Tensiune drenă-sursă     200V     
      Curent drenă     30A     
      Putere disipată     214W     
      Carcasă     TO247AC     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     
      Montare     THT     
      Incărcătura poartă     123nC     
      canal     îmbogatit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: NH20p

      6800uF 63V Samwha

      Recenzie(i): 1
      SAMWHA     electrolitic     Capacitanţă 6800µF     Tensiune de lucru 63V DC     Dimensiuni carcasă Ø30 x 50mm     Toleranţă ±20%     Terminale snap-in     Temperatura de lucru -40...105°C
      Pret 17,79 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: BF8b

      MBR20200CT

      Recenzie(i): 0
      Dioda redresoare Schottky cu catod comun dublu Iav = 20A Vrrm = 200V capsula TO220AB producator On Semiconductor
      Pret 4,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: REZ.C15

      1/2W 10R

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES     rezistor de carbon     Montare     THT     Rezistenţă     10Ω     Putere     0.5W     Toleranţă     ±5%     Tensiune de lucru max.     350V     Dimensiuni carcasă     Ø3.2x9mm     Dimensiuni terminale     Ø0.6x26mm     Tensiune de impuls max. 700V     Terminale     axial
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: NI32c

      Radiator extrudat aluminiu 50x30x15mm

      Recenzie(i): 0
       STONECOLDradiator     extrudatUtilizare     TO220,   TO247Culoare     neagraLungime     50mmLatime     30mmInaltime     15mmRezistenta termică     6.6K/WMaterial     aluminiuFinisarea materialului  anodizat2x rotita conducătoare
      Pret 3,30 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AM7b

      TIP3055

      Recenzie(i): 0
      STMicroelectronics     tranzistor     NPN     Polarizare     bipolar     Tensiune colector-emitator     100V     Curent de colector     15A     Putere disipata     90W     Carcasa TO247-3
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AK10b

      IRFP064

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     98A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC   
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL10a

      IRG4BC30UDPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător     600V     Curent de colector     23A     Putere     100W     Carcasa     TO220AB
      Pret 8,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SC13b

      Marca: NXP Semiconductors

      IRF7316TRPBF SMD

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
      Pret 7,58 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AO1a

      IRFP240

      Recenzie(i): 0
        Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     20A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC
      Pret 9,89 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AR8

      IRFZ48N

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: SF7a

      IRF520N

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SA10a

      IRF540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,68 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat