- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRF9530N
Rating
Infineon
P-MOSFET
unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -14A
Putere 79W
TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ
Încărcătură poartă 38.7nC
HEXFET
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
SI14a
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Pret 1,01 Lei
In stoc
Referinta: NG10z
Cleste dezizolat cabluri 0.6 - 2.6mm
Cleste pentru dezizolat, taiat si prins cu varful D 0.6 - 2.6 mm.
Pentru conductori multifilari. 6 amprente calibrate prin rectificare.
Arc de rapel si blocare.
Pret 22,88 Lei
In Stoc
Referinta: AA7ab
0.5W 5V6 -SMD
VISHAY diodă Zener Putere disipată 0.5W Tensiune Zener 5.6V Montare SMD Toleranţă ±5% Carcasă quadroMELF o singură diodă
Pret 0,26 Lei
In Stoc
Referinta: NF28d
Siguranta fuzibila 3.15A 5x20mm
Siguranta fuzibila 3.15A 5x20mm
siguranta rapida
Pret 0,18 Lei
In stoc
Referinta: AO8a
Adaptor SSOP16, SOP16 PCB dublu placat
- dimensiuni: 21.1x15.6x1.5mm - distanta intre pini SOP: 0.65mm - distanta intre pini SOT: 1.27mm
Pret 2,80 Lei
in stoc
Referinta: SD1a
MJE340
CDIL tranzistor NPN Polarizare bipolar Tensiune colector-emitator 300V Curent de colector 0.5A Putere disipată 20W Carcasa TO126 Amplificare curent 30...240 Montare THT
Pret 1,98 Lei
In stoc
Referinta: ND21a
1/2W 2K2
rezistor carbonMontare THTRezistenţă 2.2kΩPutere 0.5WToleranţă ±5%Tensiune de lucru max. 350VDimensiuni carcasă Ø3.2x9mmDimensiuni terminale Ø0.6x26mmTensiune de impuls max. 700VTerminale axial
Pret 0,10 Lei
In Stoc
Pret 11,69 Lei
in stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: AR8
IRFZ48N
N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 64A Putere disipată 94W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ Încărcătură poartă 54nC
Pret 4,98 Lei
In Stoc
Referinta: AR15c
IRF730
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drenă 3.5APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poarta-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,71 Lei
In stoc
Referinta: BA4h
IRFP9140
tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -21A Putere disipată 120W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 117mΩ Montare THT Încărcătură poartă 64.7nC
Pret 6,76 Lei
In stoc
Referinta: AD6c
IRF530N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 100VCurent drenă 17APutere disipata 79WCarcasă TO220ABTensiune poarta-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 90mΩMontare THTIncarcatură poarta 24.7nCcanal îmbogatit
Pret 4,73 Lei
In stoc
Referinta: AP4b
IRF540NS
tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 33A Putere disipată 3.8W Carcasa D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ SMD Încărcătură poartă 47.3nC
Pret 2,95 Lei
In stoc
Referinta: AI12a
IRF7313 -SMD
Infineon Tip tranzistor N-MOSFET x2 Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 30V Curent drenă 6.5A Putere disipată 2W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 22nC
Pret 2,29 Lei
In stoc
Referinta: AM4a
IRF7319PBF
Infineon (IRF) Tip tranzistor N/P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 30/-30V Curent drenă 6.5/-4.9A Putere 2W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 29/58mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 22/23nC
Pret 2,95 Lei
In stoc
Referinta: AL12b
IRFD014PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 1.2A Putere 1.3W Carcasă DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω Încărcătură poartă 11nC
Pret 2,69 Lei
in stoc
Referinta: AB8b
IRFP250
tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 30A Putere disipată 214W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ Montare THT Incărcătura poartă 123nC canal îmbogatit
Pret 6,45 Lei
In stoc
Pret 2,24 Lei
In Stoc
Referinta: SA10a
IRF540N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 100VCurent drenă 33APutere disipată 140WCarcasa TO220ABTensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 44mΩMontare THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal imbogatit
Pret 3,97 Lei
In stoc
Referinta: AL8a
IRF4905
Infineon (IRF) tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drena-sursă -55V Curent drenă -74A Putere disipată 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ Montare THT Incărcatura poartă 120nC canal...
Pret 7,02 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NA12p
IRFP260
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 35A Putere disipată 300W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ Montare THT Încărcătură poartă 234nC
Pret 11,69 Lei
in stoc
Referinta: G7
IRFP450
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 500V Curent drenă 8.7A Putere 190W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: SF7a
IRF520N
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.7A Putere 48W
Pret 3,51 Lei
in stoc
Pret 4,52 Lei
in stoc
Infineon
P-MOSFET
unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -14A
Putere 79W
TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ
Încărcătură poartă 38.7nC
HEXFET