Tranzistori IRFxx IRG4BC30UDPBF 8,97 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRG4BC30UDPBF 8,97 Lei

    IRG4BC30UDPBF

    AL10a
    Rating 

      Tip tranzistor     IGBT     
      Tensiune colector-emiţător     600V     
      Curent de colector     23A     
      Putere     100W     
      Carcasa     TO220AB

      8,97 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Descriere

      Producător     INTERNATIONAL RECTIFIER     
      Tip tranzistor     IGBT     
      Tensiune colector-emiţător     600V     
      Curent de colector     23A     
      Putere     100W     
      Carcasa     TO220AB

      Detalii ale produsului
      AL10a
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRG4BC30UDPBF

      IRG4BC30UDPBF

      Tip tranzistor     IGBT     
      Tensiune colector-emiţător     600V     
      Curent de colector     23A     
      Putere     100W     
      Carcasa     TO220AB

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: BH6a

      1N4148

      Recenzie(i): 0
      diodă     comutaţie     THT     Tensiune inversă max.     100V     Curent de sarcină     0.2A     o singură diodă     Capacitanţă     4pF     Carcasă DO35     Timp de restabilire     4ns     Curent de şoc direct max. 1A     Tensiune conducţie max. 1V     Putere disipată 500mW
      Pret 0,11 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: REZ.C8

      1/4W 11R

      Recenzie(i): 0
      Putere 0,25 W Toleranţă ±5% Tens. lucru max. 250 V Tens. de impuls max. 500 V
      Pret 0,03 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AL12b

      IRFD014PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SA4a

      IRF3205

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
      Pret 4,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SA10a

      IRF540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    100VCurent drenă    33APutere disipată    140WCarcasa    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    44mΩMontare    THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal    imbogatit
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: BA4h

      IRFP9140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
      Pret 6,76 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI12a

      IRF7313 -SMD

      Recenzie(i): 0
      Infineon      Tip tranzistor     N-MOSFET x2     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30V     Curent drenă     6.5A     Putere disipată     2W     Carcasă SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22nC
      Pret 2,29 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NF24p

      IRF510

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AB8b

      IRFP250

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc