Tranzistori IRFxx IRG4BC30UDPBF 8,97 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRG4BC30UDPBF 8,97 Lei

    IRG4BC30UDPBF

    AL10a
    Rating 

      Tip tranzistor     IGBT     
      Tensiune colector-emiţător     600V     
      Curent de colector     23A     
      Putere     100W     
      Carcasa     TO220AB

      8,97 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Descriere

      Producător     INTERNATIONAL RECTIFIER     
      Tip tranzistor     IGBT     
      Tensiune colector-emiţător     600V     
      Curent de colector     23A     
      Putere     100W     
      Carcasa     TO220AB

      Detalii ale produsului
      AL10a
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRG4BC30UDPBF

      IRG4BC30UDPBF

      Tip tranzistor     IGBT     
      Tensiune colector-emiţător     600V     
      Curent de colector     23A     
      Putere     100W     
      Carcasa     TO220AB

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: NF3z

      Set TO220 izolante pentru tranzistori

      Recenzie(i): 0
      STONECOLD     seturi izolante pentru tranzistori     Utilizare     TO220     Conţinut set:    piuliţă    şaibă din mică    şaibă cu tablă    bucşe izolante    şuruburi de montare
      Pret 0,98 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM2a

      1/4W 1R SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      ROYAL OHM     thick film     Montare SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm 3216     Rezistenţă 1Ω     Putere     0.25W     Toleranţă ±1%    
      Pret 0,11 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SJ10a

      LM339N

      Recenzie(i): 0
      comparator    universalNumăr comparatoare    4Timp propagare    1.3µsMontare    THTCarcasă    DIP14Temperatura de lucru    0...70°CTensiune de decalaj la intrare    9mVcolector deschisCurent de decalaj la intrare    150nADomeniu tensiuni de alimentare    ± 1...18V DC/2...36V DCCurent de intrare de polarizare    0.4nA
      Pret 2,49 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF11b

      IRLZ24N

      Recenzie(i): 0
      Tip: Canal N Tensiune de rupere dren-sursă: 55V Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ Curent continuu la dren: 18A Sarcină totală a porții: 10nC Disipare de putere: 45W Carcasă: TO-220AB
      Pret 2,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AP4b

      IRF540NS

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SG16b

      IRFP350

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata    190WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.3ΩÎncarcatura poarta    150nCcanal    îmbogătit
      Pret 13,12 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AM10a

      IRF1010E

      Recenzie(i): 0
      INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
      Pret 4,52 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SF7a

      IRF520N

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AI4b

      IRFPC60

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
      Pret 16,17 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AJ10b

      IRFR120NPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
      Pret 1,88 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SC13b

      Marca: NXP Semiconductors

      IRF7316TRPBF SMD

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
      Pret 7,58 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SG13c

      IRLZ34N

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc