- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRG4BC30UDPBF
Rating
Tip tranzistor IGBT
Tensiune colector-emiţător 600V
Curent de colector 23A
Putere 100W
Carcasa TO220AB
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
Producător INTERNATIONAL RECTIFIER
Tip tranzistor IGBT
Tensiune colector-emiţător 600V
Curent de colector 23A
Putere 100W
Carcasa TO220AB
Detalii ale produsului
AL10a
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: AD9b
Condensator 10nF 50V smd 1206
YAGEO condensator ceramic condensator MLCC Capacitanţă 10nF Tensiune de lucru 50V Dielectric X7R Toleranţă ±10% Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Temperatura de lucru -55...125°C Capacitanţă - µF 0.01µF
Pret 0,18 Lei
in stoc
Pret 1,17 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AG5a
NE555 (LM555)
NE555 Circuit integrat temporizator simplu
pentru uz general capsula DIP8
producator Texas Instruments
Pret 1,27 Lei
In stoc
Pret 1,78 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AF4a
LM324N
circuit integrat amplificator operaţionalbandă transmisie 1.2MHzMontare THTNumăr canale 4Carcasă DIP14Domeniu tensiuni de alimentare± 1.5...16V DC/3...32V DC
Inlocuitor pt:AN1324,AN6564,BA10324,CA324,CA324E,DBL324,HA17324,KA324,LA6324, MC3303N,MC3403,RC4156,TDB0124,UPC324, XR3403
Pret 1,88 Lei
In stoc
Pret 2,29 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NI32c
Radiator extrudat aluminiu 50x30x15mm
STONECOLDradiator extrudatUtilizare TO220, TO247Culoare neagraLungime 50mmLatime 30mmInaltime 15mmRezistenta termică 6.6K/WMaterial aluminiuFinisarea materialului anodizat2x rotita conducătoare
Pret 3,30 Lei
Stoc epuizat
Pret 0,54 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: AA9a
IRFZ44N
Infineon (IRF) tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 48A Putere disipată 110W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ
Pret 3,51 Lei
In stoc
Pret 2,54 Lei
In stoc
Referinta: AM10a
IRF1010E
INFINEON TECHNOLOGIES
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 84A
Putere disipată 140W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 58nC
canal îmbogăţit
Pret 4,52 Lei
in stoc
Referinta: AP4b
IRF540NS
tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 33A Putere disipată 3.8W Carcasa D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ SMD Încărcătură poartă 47.3nC
Pret 2,95 Lei
In stoc
Referinta: AM4a
IRF7319PBF
Infineon (IRF) Tip tranzistor N/P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 30/-30V Curent drenă 6.5/-4.9A Putere 2W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 29/58mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 22/23nC
Pret 2,95 Lei
In stoc
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
IRF7316TRPBF SMD
tranzistor P-MOSFET x2Tehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -30VCurent drenă -4.9APutere disipată 2WCarcasă SO8Montare SMD canal îmbogăţit
Pret 7,58 Lei
In stoc
Referinta: BA4h
IRFP9140
tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -21A Putere disipată 120W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 117mΩ Montare THT Încărcătură poartă 64.7nC
Pret 6,76 Lei
In stoc
Referinta: AK3b
IRFP150N
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 30A Putere disipată 160W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ Montare THT Încărcătură poartă 110nC
Pret 7,90 Lei
In stoc
Referinta: NA12p
IRFP260
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 35A Putere disipată 300W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ Montare THT Încărcătură poartă 234nC
Pret 11,69 Lei
in stoc
Referinta: AO1a
IRFP240
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 20A Putere 150W Carcasa TO247AC
Pret 9,89 Lei
Stoc epuizat
Referinta: SE4b
IRF3205SPBF -SMD
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 110A Putere 200W Carcasă D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ SMD Încărcătură poartă 97.3nC HEXFET
Pret 4,32 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NA28p
IRF3710
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 57A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ Încărcătură poartă 86.7nC HEXFET
Pret 6,65 Lei
in stoc
Referinta: TRA-J-1
IRF9540N
tranzistor P-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -100VCurent drenă -23APutere disipată 140WCarcasă TO220Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.117ΩMontare THTÎncărcătură poartă 64.7nCcanal îmbogăţit
Pret 4,98 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AL8a
IRF4905
Infineon (IRF) tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drena-sursă -55V Curent drenă -74A Putere disipată 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ Montare THT Incărcatura poartă 120nC canal...
Pret 7,02 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AB2c
IRF830
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 500VCurent drenă 2.9APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1.5ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,71 Lei
In stoc
Referinta: SF11b
IRLZ24N
Tip: Canal N
Tensiune de rupere dren-sursă: 55V
Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V
Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ
Curent continuu la dren: 18A
Sarcină totală a porții: 10nC
Disipare de putere: 45W
Carcasă: TO-220AB
Pret 2,90 Lei
in stoc
Tip tranzistor IGBT
Tensiune colector-emiţător 600V
Curent de colector 23A
Putere 100W
Carcasa TO220AB