- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRFD014PBF
Rating
VISHAY
tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 1.2A
Putere 1.3W
Carcasă DIP4
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω
Încărcătură poartă 11nC
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
AL12b
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Pret 1,78 Lei
In stoc
Referinta: ND23t
MJ15024 PMC
PMCtranzistor NPNPolarizare bipolarTensiune colector-emitator 250VCurent de colector 16APutere disipata 250WCarcasa TO3Amplificare curent 5...60Montare THTFrecventa 4MHz
Pret 9,05 Lei
Stoc epuizat
Referinta: CON NH47 B
1nF 100V
Capacitanţă 1nF Tensiune de lucru 100V Dielectric Y5P Toleranţă ±10% Raster terminale 5mm Temperatura de lucru -55...85°C
Pret 0,11 Lei
In Stoc
Referinta: TRA-I 1
IRFD9120PBF
VISHAY tranzistor P-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -1A Putere 1.3W Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Pret 2,64 Lei
In stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Stoc epuizat
Referinta: BB1c
2N7000
ON SEMICONDUCTORtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 60VCurent drena 0.2ACurent de drena în impuls 0.5APutere disipata 0.4W
Pret 0,56 Lei
in stoc
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
Stoc epuizat
Pret 5,46 Lei
in stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: NA12p
IRFP260
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 35A Putere disipată 300W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ Montare THT Încărcătură poartă 234nC
Pret 11,69 Lei
in stoc
Referinta: SF6a
IRF610PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 2.1A Putere 36W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,51 Lei
in stoc
Referinta: BA4h
IRFP9140
tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -21A Putere disipată 120W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 117mΩ Montare THT Încărcătură poartă 64.7nC
Pret 6,76 Lei
In stoc
Pret 12,10 Lei
Stoc epuizat
Pret 2,24 Lei
In Stoc
Referinta: AM4b
IRFZ46N -IR
Producător Infineon (IRF) Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 46A Putere 88W Carcasa TO220AB Tensiune poartă-sursă 20V
Pret 2,68 Lei
Stoc epuizat
Pret 6,76 Lei
in stoc
Referinta: AM10a
IRF1010E
INFINEON TECHNOLOGIES
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 84A
Putere disipată 140W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 58nC
canal îmbogăţit
Pret 4,52 Lei
in stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AK10b
IRFP064
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 98A Putere 150W Carcasa TO247AC
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: TRA-J-1
IRF9540N
tranzistor P-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -100VCurent drenă -23APutere disipată 140WCarcasă TO220Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.117ΩMontare THTÎncărcătură poartă 64.7nCcanal îmbogăţit
Pret 4,98 Lei
In stoc
Referinta: SI14a
IRF9530N
Infineon P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -14A Putere 79W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ Încărcătură poartă 38.7nC HEXFET
Pret 3,97 Lei
in stoc
Referinta: AL10a
IRG4BC30UDPBF
Tip tranzistor IGBT Tensiune colector-emiţător 600V Curent de colector 23A Putere 100W Carcasa TO220AB
Pret 8,97 Lei
in stoc
Referinta: SD12a
IRFP9240
VISHAY P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -200V Curent drenă -7.5A Putere 150W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω Încărcătură poartă 44nC
Pret 9,85 Lei
in stoc
Referinta: G7
IRFP450
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 500V Curent drenă 8.7A Putere 190W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: AP14a
PDTA143ZT
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP
Pret 0,19 Lei
in stoc
VISHAY
tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 1.2A
Putere 1.3W
Carcasă DIP4
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω
Încărcătură poartă 11nC