Tranzistori IRFxx IRFD014PBF 2,69 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRFD014PBF 2,69 Lei

    IRFD014PBF

    AL12b
    Rating 

      VISHAY     
      tranzistor N-MOSFET     
      Polarizare unipolar     
      Tensiune drenă-sursă 60V     
      Curent drenă 1.2A     
      Putere     1.3W     
      Carcasă DIP4     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     
      Încărcătură poartă 11nC

      2,69 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AL12b
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRFD014PBF

      IRFD014PBF

      VISHAY     
      tranzistor N-MOSFET     
      Polarizare unipolar     
      Tensiune drenă-sursă 60V     
      Curent drenă 1.2A     
      Putere     1.3W     
      Carcasă DIP4     
      Tensiune poartă-sursă     ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     
      Încărcătură poartă 11nC

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AJ7a

      NE555P

      Recenzie(i): 0
      NE555,LM555,555,   circuit integrat     circuit periferic     circuit integrat astabil, ceas RC, monostabil     Tensiune controlată     10 V     Frecvenţă     500kHz     Tensiune alimentare     4.5...16V DC     Carcasă     DIP8     Curent alimentare DC     10mA     Curent ieşire     200mA     Temperatura de lucru     0...70°C     Număr canale     1
      Pret 1,47 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: BK1a

      Semireglabil orizontal 100K

      Recenzie(i): 0
      potenţiometru     de montare     singură tură, orizontal     Rezistenţă     100kΩ     Putere     100mW     Toleranţă     ±30%     Caracteristici     lineare     Standard trimer     6mm     Unghi rotaţie mecanică     200°     Moment de torsiune     0,4...3,5Ncm     Tensiune de lucru max.     50V    
      Pret 0,45 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,25 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AD6c

      IRF530N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
      Pret 4,73 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM4a

      IRF7319PBF

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NF24p

      IRF510

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AP4b

      IRF540NS

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI4b

      IRFPC60

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
      Pret 16,17 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BA4h

      IRFP9140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
      Pret 6,76 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AB8b

      IRFP250

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     30A     Putere disipată     214W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ     Montare     THT     Incărcătura poartă     123nC     canal     îmbogatit
      Pret 6,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AJ10b

      IRFR120NPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
      Pret 1,88 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SD12a

      IRFP9240

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -200V     Curent drenă     -7.5A     Putere     150W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω     Încărcătură poartă 44nC
      Pret 9,85 Lei
      Mai multe
      in stoc