- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRFD014PBF
Rating
VISHAY
tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 1.2A
Putere 1.3W
Carcasă DIP4
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω
Încărcătură poartă 11nC
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
AL12b
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: AJ7a
NE555P
NE555,LM555,555, circuit integrat circuit periferic circuit integrat astabil, ceas RC, monostabil Tensiune controlată 10 V Frecvenţă 500kHz Tensiune alimentare 4.5...16V DC Carcasă DIP8 Curent alimentare DC 10mA Curent ieşire 200mA Temperatura de lucru 0...70°C Număr canale 1
Pret 1,47 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NIP-D11
Nippel TO220
NINIGI accesorii pentru semiconductori bucsa izolanta Utilizare TO220 Dimensiune D 6.1mm Dimensiune D1 3mm Dimensiune D2 3.6mm Dimensiune H 2.6mm Dimensiune S 1.1mm Temperatura de lucru max. 130°C
Pret 0,39 Lei
In stoc
Referinta: TRA-I 1
IRFD9120PBF
VISHAY tranzistor P-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -1A Putere 1.3W Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Pret 2,64 Lei
In stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Stoc epuizat
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AN8a
5.6nF 100V MLCC
condensator ceramic
Capacitanţă 5.6nF
Tensiune de lucru 100V
Dielectric X7R
Toleranţă ±10%
Montare THT
Raster terminale 5mm
Temperatura de lucru -55...125°C
Pret 0,39 Lei
in stoc
Pret 1,88 Lei
In stoc
Pret 1,78 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: AB2c
IRF830
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 500VCurent drenă 2.9APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1.5ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,71 Lei
In stoc
Referinta: BH4b
IRLZ44N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 55VCurent drenă 41APutere disipată 83WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±16VRezistenţă în timpul funcţionării 22mΩMontare THTÎncărcătură poartă 32nCcanal îmbogăţitlogic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Referinta: G7
IRFP450
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 500V Curent drenă 8.7A Putere 190W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: AR16b
IRF1407
Tranzistor N-Mosfet 75V 130A 330W capsula
TO220AB producator IR
IRF1407PBF
Pret 4,52 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NA28p
IRF3710
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 57A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ Încărcătură poartă 86.7nC HEXFET
Pret 6,65 Lei
in stoc
Referinta: AB5b
IRFU9024PBF
Tranzistor:unipolar,P-MOSFET;-60V;-8,8A;42W;TO251AA
Producător: VISHAY
Pret 2,24 Lei
In stoc
Referinta: AL8a
IRF4905
Infineon (IRF) tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drena-sursă -55V Curent drenă -74A Putere disipată 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ Montare THT Incărcatura poartă 120nC canal...
Pret 7,02 Lei
Stoc epuizat
Pret 12,10 Lei
Stoc epuizat
Referinta: BA4h
IRFP9140
tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -21A Putere disipată 120W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 117mΩ Montare THT Încărcătură poartă 64.7nC
Pret 6,76 Lei
In stoc
Referinta: SE4b
IRF3205SPBF -SMD
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 110A Putere 200W Carcasă D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ SMD Încărcătură poartă 97.3nC HEXFET
Pret 4,32 Lei
Stoc epuizat
Referinta: SD12a
IRFP9240
VISHAY P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -200V Curent drenă -7.5A Putere 150W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω Încărcătură poartă 44nC
Pret 9,85 Lei
Stoc epuizat
Referinta: D3
IRF2807
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 75V Curent drenă 82A Putere 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ Încărcătură poartă 106.7nC HEXFET
Pret 6,00 Lei
in stoc
Referinta: AB8b
IRFP250
tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 30A Putere disipată 214W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ Montare THT Incărcătura poartă 123nC canal îmbogatit
Pret 6,45 Lei
In stoc
Pret 4,52 Lei
in stoc
Referinta: SA10a
IRF540N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 100VCurent drenă 33APutere disipată 140WCarcasa TO220ABTensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 44mΩMontare THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal imbogatit
Pret 3,97 Lei
In stoc
Referinta: SG13c
IRLZ34N
Tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 55V
Curent drena 27A
Putere disipata 56W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ± 16V
Rezistenta în timpul functionarii 35mΩ
Montare THT
Incarcatura poarta 16.7 nC
Canal îmbogatit
Logic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
VISHAY
tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 1.2A
Putere 1.3W
Carcasă DIP4
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω
Încărcătură poartă 11nC