- Stoc epuizat
- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRF510
Rating
tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drena 4A
Putere disipata 43W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 540mΩ
Montare THT
Incărcatura poarta 8.3nC
canal îmbogatit
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
NF24p
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Pret 1,78 Lei
In stoc
Referinta: NB24z
Buton potentiometru plastic galben 28x16mm
dimensiuni (Lxl): 28x16mm -
pentru ax zimtat cu diametru de 6mm
Pret 0,97 Lei
Stoc epuizat
Referinta: XG4
1.3W 15V
diodă Zener Putere disipată 1.3W Tensiune Zener 15V Curent Zener 15mA Carcasă DO41 Montare THT Toleranţă ±5% o singură diodă Curent de scurgere 0.5µA
Pret 0,49 Lei
In Stoc
Referinta: NE4l
Radiator aluminiu 30x40x20mm
STONECOLD radiator presat Utilizare TO220, TO247 Culoare neagră Lungime 30mm Lăţime 40mm Înălţime 20mm Rezistenţă termică 6.9K/W Material aluminiu Finisarea materialului anodizat 2x rotiţă conducătoare
Pret 2,95 Lei
in stoc
Pret 1,88 Lei
In stoc
Referinta: BA6b
820pF 100V
SR PASSIVES condensator ceramicCapacitanta 820pFTensiune de lucru 100VDielectric Y5P Toleranta ±5%Montare THTRaster terminale 5mmTemperatura de lucru -55...85°C
Pret 0,22 Lei
in stoc
Referinta: REZ.B5
1/2W 330R
rezistor carbonMontare THTRezistenta 330ΩPutere 0.5WToleranta ±5%Tensiune de lucru max. 350VDimensiuni carcasă Ø3.2x9mmDimensiuni terminale Ø0.6x26mmTensiune de impuls max. 700VTerminale axial
Pret 0,10 Lei
In stoc
Referinta: AE8a
Semireglabil orizontal 1K
potenţiometru de montare potenţiometru singură tură, orizontal Rezistenţă 1kΩ Putere 100mW Toleranţă ±30% Caracteristici lineare Standard trimer 6mm Unghi rotaţie mecanică 200° Moment de torsiune 0,4...3,5Ncm Tensiune de lucru max. 50V Temperatura de lucru -25...40°C
Pret 0,56 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: BA4h
IRFP9140
tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -21A Putere disipată 120W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 117mΩ Montare THT Încărcătură poartă 64.7nC
Pret 6,76 Lei
In stoc
Referinta: SI14a
IRF9530N
Infineon P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -14A Putere 79W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ Încărcătură poartă 38.7nC HEXFET
Pret 3,97 Lei
in stoc
Referinta: AJ10b
IRFR120NPBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.1A Putere 39W Carcasa DPAK
Pret 1,88 Lei
Stoc epuizat
Referinta: TRA-J-1
IRF9540N
tranzistor P-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -100VCurent drenă -23APutere disipată 140WCarcasă TO220Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.117ΩMontare THTÎncărcătură poartă 64.7nCcanal îmbogăţit
Pret 4,98 Lei
In stoc
Referinta: AP14a
PDTA143ZT
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP
Pret 0,19 Lei
in stoc
Pret 11,69 Lei
in stoc
Referinta: SE4b
IRF3205SPBF -SMD
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 110A Putere 200W Carcasă D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ SMD Încărcătură poartă 97.3nC HEXFET
Pret 4,32 Lei
in stoc
Referinta: AB2c
IRF830
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 500VCurent drenă 2.9APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1.5ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,71 Lei
In stoc
Referinta: SJ16b
IRFP264
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata 280WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.75ΩÎncarcatura poarta 0.21µCcanal îmbogătit
Pret 17,18 Lei
In stoc
Referinta: AM4a
IRF7319PBF
Infineon (IRF) Tip tranzistor N/P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 30/-30V Curent drenă 6.5/-4.9A Putere 2W Carcasă SO8 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 29/58mΩ Montare SMD Încărcătură poartă 22/23nC
Pret 2,95 Lei
In stoc
Pret 6,56 Lei
Stoc epuizat
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
Stoc epuizat
Referinta: SG13c
IRLZ34N
Tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 55V
Curent drena 27A
Putere disipata 56W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ± 16V
Rezistenta în timpul functionarii 35mΩ
Montare THT
Incarcatura poarta 16.7 nC
Canal îmbogatit
Logic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Referinta: SG16b
IRFP350
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata 190WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.3ΩÎncarcatura poarta 150nCcanal îmbogătit
Pret 13,12 Lei
in stoc
Pret 3,85 Lei
In stoc
Referinta: AM10a
IRF1010E
INFINEON TECHNOLOGIES
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 84A
Putere disipată 140W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 58nC
canal îmbogăţit
Pret 4,52 Lei
in stoc
tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 100V
Curent drena 4A
Putere disipata 43W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ±20V
Rezistenta în timpul functionarii 540mΩ
Montare THT
Incărcatura poarta 8.3nC
canal îmbogatit