- Nou

Staţie de lipit cu letcon Putere:...


Tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 55V
Curent drena 27A
Putere disipata 56W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ± 16V
Rezistenta în timpul functionarii 35mΩ
Montare THT
Incarcatura poarta 16.7 nC
Canal îmbogatit
Logic level
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: NC22s
Referinta: BD2f
Referinta: XG5b
Referinta: AC5b
Referinta: AM12b
Referinta: TRA-I6
Tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 55V
Curent drena 27A
Putere disipata 56W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ± 16V
Rezistenta în timpul functionarii 35mΩ
Montare THT
Incarcatura poarta 16.7 nC
Canal îmbogatit
Logic level
check_circle
check_circle