Tranzistori diversi J111 1,25 Lei
    • Tranzistori diversi J111 1,25 Lei

    J111

    SE16b
    Rating 

      J111

      ONSEMI

      tranzistor N-JFET

      Polarizare unipolar

      Curent drenă 20mA

      Putere disipată 0.625W

      Carcasă TO92

      Tensiune poartă-sursă -35V

      Rezistenţă în timpul funcţionării 30Ω

      Montare THT

      Curent de poartă 50mA

      1,25 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      SE16b
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      J111

      J111

      J111

      ONSEMI

      tranzistor N-JFET

      Polarizare unipolar

      Curent drenă 20mA

      Putere disipată 0.625W

      Carcasă TO92

      Tensiune poartă-sursă -35V

      Rezistenţă în timpul funcţionării 30Ω

      Montare THT

      Curent de poartă 50mA

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: CON R6

      100nF 100V

      Recenzie(i): 0
      Capacitanţă     100nF     Tensiune de lucru     100V     Toleranţă     -20...+80%     Raster terminale     5mm     Temperatura de lucru     -55...85°C
      Pret 0,29 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: R7

      1/4W 200R

      Recenzie(i): 0
      SR Passives     rezistor de carbon     THT     Rezistenţă 200Ω     Putere     0.25W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max.     250V     Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm     Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm     Tensiune de impuls max. 500V     axial
      Pret 0,08 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AH6a

      BC639

      Recenzie(i): 0
      BC639     Tranzistor NPN 80V 1A 0.83W 100MHz capsula TO92 producator Philips
      Pret 0,65 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,98 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SG3a

      LM358P

      Recenzie(i): 0
      TEXAS INSTRUMENTS     amplificator operaţional     bandă transmisie     700kHz     Montare THT     Număr canale     2     Carcasă     DIP8     Viteză creştere tensiune     0.3V/μs     Temperatura de lucru     0...70°C     Tensiune de decalaj la intrare     7mV     Tensiune de lucru     3...32V
      Pret 1,88 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AP8a

      PHE13005.127

      Recenzie(i): 0
      WeEn Semiconductorstranzistor    NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    400VCurent de colector    4APutere disipată    75WCarcasă    TO220ABAmplificare curent    10...40Montare    THT
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SH6

      TIP36C -ST

      Recenzie(i): 0
      ST MICROELECTRONICS     Tip tranzistor     PNP     bipolar     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 25A     Putere     125W     TO247     3MHz
      Pret 6,76 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AC5b

      12N65

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă    650VCurent drenă    12APutere disipată    33.2WCarcasă    TO220FTensiune poartă-sursă    ±30VRezistenţă în timpul funcţionării    0.54ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    50.5nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SG13c

      IRLZ34N

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SD10b

      J112

      Recenzie(i): 0
      J112 ONSEMI tranzistor N-JFET Polarizare unipolar Curent drenă 5mA Putere disipată 0.625W Carcasă TO92 Tensiune poartă-sursă -35V Rezistenţă în timpul funcţionării 50Ω Montare THT Curent de poartă 50mA
      Pret 1,55 Lei
      Mai multe
      In Stoc

      Referinta: AD5b

      STP6NK60ZFP

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 600V Curent drenă 3.8A Putere disipată 110W TO220FP Tensiune poartă-sursă ±30V Rezistenţă în timpul funcţionării 1,2Ω Montare THT îmbogăţit
      Pret 4,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI6c

      WMO07N60C2

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETTehnologie     WMOS C2Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     600VCurent drenă     5APutere disipata     42WCarcasa     TO252Tensiune poartă-sursă     ±30VRezistenta în timpul functionarii     1.14ΩMontare     SMD canal     îmbogatit
      Pret 2,80 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SI7a

      AO3407A

      Recenzie(i): 0
      ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORtranzistor    P-MOSFETPolarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.3APutere disipată    1.4WCarcasă    SOT23Tensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    48mΩMontare    SMDÎncărcătură poartă    4.6nCcanal    îmbogăţit
      Pret 0,70 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AE2a

      TIP147

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     PNPPolarizare     bipolartranzistor     DarlingtonTensiune colector-emitator 100VCurent de colector 10APutere disipata 125WCarcasa     TO247-3Montare     THT
      Pret 8,03 Lei
      Mai multe
      In stoc