



tranzistor N-MOSFET
Tehnologie WMOS C2
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 600V
Curent drenă 5A
Putere disipata 42W
Carcasa TO252
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenta în timpul functionarii 1.14Ω
Montare SMD
canal îmbogatit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: AO1a
Referinta: AP2a
Referinta: AE4a
Referinta: AP3b
Referinta: AN4b
Referinta: XG4b
Referinta: AN7b
Referinta: AG7a
Referinta: AP8a
Referinta: TRA E16
Referinta: BB2c
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie WMOS C2
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 600V
Curent drenă 5A
Putere disipata 42W
Carcasa TO252
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenta în timpul functionarii 1.14Ω
Montare SMD
canal îmbogatit
check_circle
check_circle