MD2310FX

PNP-Darlington-Transistor +Diode, 60V 5A, 65W

J112 ONSEMI tranzistor N-JFET Polarizare unipolar Curent drenă 5mA Putere disipată 0.625W Carcasă TO92 Tensiune poartă-sursă -35V Rezistenţă în timpul funcţionării 50Ω Montare THT Curent de poartă 50mA

tranzistor     IGBT     Tensiune colector-emiţător 1.3kV     Curent de colector 30A     Putere     250W     TO247     Tensiunea poartă - emitor ±25V     Curent de colector pulsat 90A     THT     Încărcătură poartă 372.3nC

tranzistor    PNPPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    300VCurent de colector    0,5APutere disipată    0,625WCarcasă    TO92Amplificare curent    40Montare    THTFrecvenţă     70MHz

NPN Darlington 100V 10A 80W capsula TO-220

Tranzistor N-Mosfet 30V 140A capsula TO220AB producator IR

NPN 400V 1A 40W capsula TO220 producator ISC

ON4377

Tranzistor IGBT 600V 30A 122W capsula TO247AC producator IR

WeEn Semiconductorstranzistor    NPNPolarizare     bipolarTensiune colector-emiţător    400VCurent de colector    8APutere disipată    80WCarcasă    TO220ABAmplificare curent    8...40Montare    THT

MOS-FET 400V 6A 40W (TO-220-ISO)

NPN     Polarizare bipolar     Darlington + diodă     Tensiune colector-emiţător 100V     Curent de colector 10A     Putere     125W     Carcasa TO247

tranzistor     NPNPolarizare     bipolartranzistor     DarlingtonTensiune colector-emitator     100VCurent de colector     5APutere disipată     65WCarcasă     TO220AB

tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 600V Curent drenă 3.8A Putere disipată 110W TO220FP Tensiune poartă-sursă ±30V Rezistenţă în timpul funcţionării 1,2Ω Montare THT îmbogăţit

N-FET 600V 10A 35W 0.75R TO220-ISO producator ST MICROELECTRONICS

ONSEMI tranzistor NPN Polarizare bipolar Tensiune colector-emiţător 40V Curent de colector 0,2A Putere disipată 0,225W Carcasă SOT23, TO236AB Amplificare curent 100...300 Montare SMD Frecvenţă 300MHz