- Stoc epuizat
- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRFR120NPBF
Rating
Tip tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tip tranzistor HEXFET
Tensiune drenă-sursă 100V
Curent drenă 9.1A
Putere 39W
Carcasa DPAK
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
Producător INTERNATIONAL RECTIFIER
Tip tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tip tranzistor HEXFET
Tensiune drenă-sursă 100V
Curent drenă 9.1A
Putere 39W
Carcasa DPAK
Tensiune poartă-sursă 20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 210mΩ
Rezistenţa termică conector-carcasă 3.2K/W
Montare SMD
Încărcătură poartă 16.7nC
Detalii ale produsului
AJ10b
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: L7
Ferita toroidala 10x4x6mm
FERROCORE Tip ferită toroidală Lungime 4mm Diametru interior 6mm Diametru exterior 10mm Material miez feromagnetic Ni-Zn Caracteristici ferită marginile rotunjite elimină riscul deteriorării cabluluiToleranţă ±0,20mm Serie ferită TF
Pret 1,88 Lei
in stoc
Referinta: AL8a
Condensator 2.2nF 50V smd 1206
KEMET condensator ceramic condensator MLCC Capacitanţă 2.2nF Tensiune de lucru 50V Dielectric X7R Toleranţă ±10% Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Temperatura de lucru -55...125°C Capacitanţă - µF 0.0022µF Capacitanţă - pF 2200pF
Pret 0,15 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AI1a
Condensator 15pF 50V smd 1206
KEMET condensator ceramic condensator MLCC Capacitanţă 15pF Tensiune de lucru 50V Dielectric C0G Toleranţă ±5% Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Temperatura de lucru -55...125°C Capacitanţă - nF 0.015nF
Pret 0,15 Lei
in stoc
Referinta: AG9b
Condensator 100nF 100V smd 1206
SAMSUNG
condensator ceramic
condensator MLCC
Capacitanţă 100nF ( 0.1uF )
Tensiune de lucru 100V
Dielectric X7R
Toleranţă ±10%
Montare SMD
Carcasă - inch 1206
Carcasă - mm 3216
Temperatura de lucru -55...125°C
Pret 0,19 Lei
in stoc
Referinta: SI10e
Ferita manson 7x1.6x4.4mm
ferită manşonLungime 7mmDiametru interior 1.6mmDiametru exterior 4.4mmMaterial miez feromagnetic Ni-ZnFrecventa max. 300MHz
Pret 0,98 Lei
in stoc
Referinta: AF6b
Condensator ceramic 2.2nF 3kV
Jb Capacitorscondensator ceramicCapacitanta 2.2nFTensiune de lucru 3kV DCDielectric Y5VToleranta -20...80%Raster terminale 7.5mm
Pret 0,40 Lei
Stoc epuizat
Pret 7,90 Lei
In stoc
Referinta: AJ5b
Condensator 100pF 100V smd 1206
condensator ceramic Capacitanţă 100pF Tensiune de lucru 100V Dielectric C0G Toleranţă ±5% Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Temperatura de lucru -55...125°C Capacitanţă - nF 0.1nF
Pret 0,19 Lei
in stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: G7
IRFP450
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 500V Curent drenă 8.7A Putere 190W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: AL10b
IRFR3910PBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 15A Putere 52W Carcasa DPAK
Pret 2,62 Lei
Stoc epuizat
Pret 2,54 Lei
In stoc
Referinta: TRA H8
IRF740
IRF740 Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula
TO220AB producator IR
Pret 6,00 Lei
In stoc
Referinta: AL8a
IRF4905
Infineon (IRF) tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drena-sursă -55V Curent drenă -74A Putere disipată 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ Montare THT Incărcatura poartă 120nC canal...
Pret 7,02 Lei
Stoc epuizat
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
IRF7316TRPBF SMD
tranzistor P-MOSFET x2Tehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -30VCurent drenă -4.9APutere disipată 2WCarcasă SO8Montare SMD canal îmbogăţit
Pret 7,58 Lei
In stoc
Referinta: D3
IRF2807
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 75V Curent drenă 82A Putere 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ Încărcătură poartă 106.7nC HEXFET
Pret 6,00 Lei
in stoc
Referinta: AK3b
IRFP150N
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 30A Putere disipată 160W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ Montare THT Încărcătură poartă 110nC
Pret 7,90 Lei
In stoc
Pret 10,68 Lei
in stoc
Referinta: BH4b
IRLZ44N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 55VCurent drenă 41APutere disipată 83WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±16VRezistenţă în timpul funcţionării 22mΩMontare THTÎncărcătură poartă 32nCcanal îmbogăţitlogic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Referinta: AG3b
IRF640
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 200VCurent drenă 18APutere disipată 150WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0,15ΩMontare THTÎncărcătură poartă 44,7nCcanal îmbogăţit
Pret 3,25 Lei
In stoc
Referinta: AI4b
IRFPC60
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare THTIncarcatura poarta 210nCcanal imbogatit
Pret 16,17 Lei
In stoc
Referinta: TRA-I 1
IRFD9120PBF
VISHAY tranzistor P-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -1A Putere 1.3W Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Pret 2,64 Lei
In stoc
Pret 6,56 Lei
in stoc
Referinta: AP14a
PDTA143ZT
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP
Pret 0,19 Lei
in stoc
Referinta: AL10a
IRG4BC30UDPBF
Tip tranzistor IGBT Tensiune colector-emiţător 600V Curent de colector 23A Putere 100W Carcasa TO220AB
Pret 8,97 Lei
in stoc
Tip tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tip tranzistor HEXFET
Tensiune drenă-sursă 100V
Curent drenă 9.1A
Putere 39W
Carcasa DPAK