IRF2807
    • IRF2807

    IRF2807

    D3
    Rating 

      N-MOSFET     
      unipolar     
      Tensiune drenă-sursă 75V     
      Curent drenă 82A     
      Putere     200W     
      Carcasă TO220AB     
      Tensiune poartă-sursă ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     
      Încărcătură poartă 106.7nC     
      HEXFET

      5,90 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      D3
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF2807

      IRF2807

      N-MOSFET     
      unipolar     
      Tensiune drenă-sursă 75V     
      Curent drenă 82A     
      Putere     200W     
      Carcasă TO220AB     
      Tensiune poartă-sursă ±20V     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     
      Încărcătură poartă 106.7nC     
      HEXFET

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: XP6

      Semireglabil multitura 1k vertical

      Recenzie(i): 0
          potentiometru     de montare     potentiometru     multitura   Rezistenta    1kΩ     Putere     500mW     Montare     THT     Toleranta     ±10%     Caracteristici     lineare     Material pista     metalo-ceramic     Temperatura de lucru     -55...125°C   
      Pret 1,85 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NE4g

      SB5100

      Recenzie(i): 0
      dioda     redresoare SchottkyMontare     THTTensiune inversa max.     100VCurent de sarcină     5Ao singură diodaCapacitanta     300pFCarcasă     DO201Curent desoc direct max. 125A
      Pret 1,39 Lei
      Mai multe
      in stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: ND28p

      IRF3205SPBF -SMD

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
      Pret 4,25 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,65 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK10a

      IRFR320PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     400V     Curent drenă     3.1A     Putere     42W     Carcasa     TO252AA Montare     SMD
      Pret 2,58 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,65 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AR8

      IRFZ48N

      Recenzie(i): 0
      producator IRN-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     64A     Putere disipată 94W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ     Încărcătură poartă 54nC
      Pret 2,90 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: TRA-I6

      IRF630

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     200VCurent drenă     5.7APutere disipată     75WCarcasă     TO220-3Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     400mΩMontare     THTcanal     îmbogăţit
      Pret 2,65 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BA4h

      IRFP9140

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
      Pret 6,65 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AO1a

      IRFP240

      Recenzie(i): 0
        Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     20A     Putere     150W     Carcasa     TO247AC
      Pret 9,45 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: NB6p

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA-J-1

      IRF9540N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     P-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     -100VCurent drenă     -23APutere disipată     140WCarcasă     TO220Tensiune poartă-sursă     ±20VRezistenţă în timpul funcţionării     0.117ΩMontare     THTÎncărcătură poartă     64.7nCcanal     îmbogăţit
      Pret 4,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NB19s

      IRF5305

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      in stoc