- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
IRF634
Rating
N-Mosfet 250V 8.1A 74W capsula TO220AB producator ISC
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
TRA-A16
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: NC49v
Solutie cu lac pentru cablaj 50ml PVB 60
preparat chimic lac Culoare transparentă Aspect lichid Capacitate 50ml Utilizare substanţe izolare, protecţie împotriva coroziunii, protecţie împotriva umezelii, previne scurtcircuitul şi descărcarea corona,previne scurtcircuitul
Pret 16,90 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NH27x
1/4W 120R SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 120Ω Putere 0.25W Toleranţă ±1%
Pret 0,08 Lei
in stoc
Referinta: AP7b
1/4W 100R SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 100Ω Putere 0.25W Toleranţă ±1%
Pret 0,08 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AP9b
1/4W 10R SMD 1%
WALSIN rezistor thick filmCarcasă - inch 1206Carcasă - mm 3216Rezistenţă 10ΩToleranţă ±1%Coeficient de temperatură 400ppm/°CTensiune de lucru 200V
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: M6b
1W 0R47 - metal oxide
ROYAL OHM rezistor metal oxide Montare THT Rezistenţă 470mΩ Putere 1W Toleranţă ±5% Tensiune de lucru max. 350V Dimensiuni carcasă Ø4 x 10mm Dimensiuni terminale Ø0.7 x 28mm
Pret 0,29 Lei
In stoc
Referinta: AJ6b
1/4W 220K SMD 1%
VISHAY thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 220kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Temperatura de lucru -55...125°C
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: CON.N6
Condensator ceramic 100pF 50V
SR Passives condensator ceramic Capacitanţă 100pF Tensiune de lucru 50V Toleranţă ±10% Montare THT Raster terminale 2.54mm Temperatura de lucru -25...85°C Capacitanţă - nF 0.1nF
Pret 0,09 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AJ8b
1/4W 68K SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 68kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Tensiune de impuls max. 400V Temperatura de lucru -55...125°C Coeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,11 Lei
in stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: AP14a
PDTA143ZT
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP
Pret 0,19 Lei
in stoc
Referinta: NB19s
IRF5305
Infineon P-MOSFET Tensiune drenă-sursă -55V Curent drenă -31A Putere 110W
Pret 3,90 Lei
in stoc
Pret 11,90 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AP4b
IRF540NS
tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 33A Putere disipată 3.8W Carcasa D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ SMD Încărcătură poartă 47.3nC
Pret 2,90 Lei
In stoc
Pret 3,79 Lei
In stoc
Pret 11,50 Lei
in stoc
Referinta: AR8
IRFZ48N
N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 64A Putere disipată 94W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ Încărcătură poartă 54nC
Pret 4,90 Lei
In Stoc
Pret 4,45 Lei
in stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,20 Lei
in stoc
Referinta: AI4b
IRFPC60
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare THTIncarcatura poarta 210nCcanal imbogatit
Pret 15,90 Lei
In stoc
Referinta: TRA-J-1
IRF9540N
tranzistor P-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -100VCurent drenă -23APutere disipată 140WCarcasă TO220Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.117ΩMontare THTÎncărcătură poartă 64.7nCcanal îmbogăţit
Pret 4,90 Lei
In stoc
Pret 6,45 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AB2c
IRF830
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 500VCurent drenă 2.9APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1.5ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,65 Lei
In stoc
Referinta: SD12a
IRFP9240
VISHAY P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -200V Curent drenă -7.5A Putere 150W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.5Ω Încărcătură poartă 44nC
Pret 9,45 Lei
in stoc
Referinta: TRA-H12
IRFPC50
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare THTIncarcatura poarta 140nCcanal imbogatit
Pret 11,90 Lei
In stoc
Referinta: SF6a
IRF610PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 2.1A Putere 36W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,45 Lei
in stoc
N-Mosfet 250V 8.1A 74W capsula TO220AB producator ISC