Tranzistori IRFxx IRF630 2,69 Lei
    • Tranzistori IRFxx IRF630 2,69 Lei

    IRF630

    TRA-I6
    Rating 

      tranzistor     N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     200V
      Curent drenă     5.7A
      Putere disipată     75W
      Carcasă     TO220-3
      Tensiune poartă-sursă     ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     400mΩ
      Montare     THT
      canal     îmbogăţit

      2,69 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      TRA-I6
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF630

      IRF630

      tranzistor     N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     200V
      Curent drenă     5.7A
      Putere disipată     75W
      Carcasă     TO220-3
      Tensiune poartă-sursă     ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     400mΩ
      Montare     THT
      canal     îmbogăţit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BE7c

      Supercondensator 4.7F 2.7V

      Recenzie(i): 0
       SAMXONcondensator     supercondensatorcondensator de backupMontare     THTCapacitanţă     4.7FTensiune de lucru     2.7V DCToleranţă     ±20%Dimensiuni carcasă     Ø10x20mmRaster terminale     5mmCurent de şoc direct max.     6.3ACurent de lucru     1.3AUtilizare condensatoare     înmagazinare de energie
      Pret 5,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NB49b

      5W 0R1

      Recenzie(i): 0
      SR PASSIVES     rezistor     putere     rezistor     cu ciment     Montare     THT     Rezistenta     100mΩ     Putere     5W     Toleranta    ±5%     Dimensiuni carcasa     9.5x9.5x22mm     Dimensiuni terminale     Ø0.8x35mm
      Pret 0,95 Lei
      Mai multe
      In Stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: NA28p

      IRF3710

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SA4a

      IRF3205

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
      Pret 4,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AA9a

      IRFZ44N

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM10a

      IRF1010E

      Recenzie(i): 0
      INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
      Pret 4,52 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,74 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL12b

      IRFD014PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SI14a

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,97 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AJ10b

      IRFR120NPBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     9.1A     Putere     39W     Carcasa     DPAK  
      Pret 1,88 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: SF7a

      IRF520N

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AL8a

      IRF4905

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...
      Pret 7,02 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat