IRF630
    • IRF630

    IRF630

    TRA-I6
    Rating 

      tranzistor     N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     200V
      Curent drenă     5.7A
      Putere disipată     75W
      Carcasă     TO220-3
      Tensiune poartă-sursă     ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     400mΩ
      Montare     THT
      canal     îmbogăţit

      2,65 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      TRA-I6
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRF630

      IRF630

      tranzistor     N-MOSFET
      Polarizare     unipolar
      Tensiune drenă-sursă     200V
      Curent drenă     5.7A
      Putere disipată     75W
      Carcasă     TO220-3
      Tensiune poartă-sursă     ±20V
      Rezistenţă în timpul funcţionării     400mΩ
      Montare     THT
      canal     îmbogăţit

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: ND 46D

      10nF / 100V

      Recenzie(i): 0
      Capacitanţă     10nF     Tensiune de lucru 100V     Dielectric Y5V     Toleranţă     -20...+80%     Raster terminale 5mm     Temperatura de lucru -55...85°C
      Pret 0,33 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NA29a

      Condensator poliester 10nf 100V

      Recenzie(i): 0
      condensator     cu poliesterCapacitanţă     10nFRaster terminale     5mmToleranţă     ±5%Dimensiuni carcasă     2.5x6.5x7.2mmTemperatura de lucru     -55...105°CRezistenţa la impuls     200V/μsMontare     THTTensiune de lucru max.     63V AC,   100V DC
      Pret 0,33 Lei
      Mai multe
      In stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 11,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA H8

      IRF740

      Recenzie(i): 0
      IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
      Pret 4,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK10a

      IRFR320PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     400V     Curent drenă     3.1A     Putere     42W     Carcasa     TO252AA Montare     SMD
      Pret 2,58 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: ND28p

      IRF3205SPBF -SMD

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
      Pret 4,25 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: BH4b

      IRLZ44N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
      Pret 4,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AG3b

      IRF640

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit
      Pret 3,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: NB6p

      IRF9530N

      Recenzie(i): 0
      Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,65 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AD6c

      IRF530N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
      Pret 3,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL8a

      IRF4905

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...
      Pret 6,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SE15a

      IRFD120 -IR

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 0.94A     Putere     1.3W     DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     Încărcătură poartă 16nC
      Pret 2,20 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AI4b

      IRFPC60

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
      Pret 15,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AO1b

      IRFB4227PBF

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     200V     Curent drenă     65A     Putere     190W     Carcasa     TO220AB     
      Pret 8,53 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat