- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
PDTA143ZT
Rating
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Detalii ale produsului
AP14a
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: AP3b
1/4W 18K SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 18kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Tensiune de impuls max. 400V Temperatura de lucru -55...125°C Coeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: NG23a
1/2W 33K
rezistor carbonMontare THTRezistenţă 33kΩPutere 0,5WToleranţă ±5%Tensiune de lucru max. 350VDimensiuni carcasă Ø3,2x9mmDimensiuni terminale Ø0,6x26mmTensiune de impuls max. 700VTerminale axial
Pret 0,10 Lei
In stoc
Pret 0,86 Lei
In stoc
Referinta: AN11a
Z0109MN- SMD
ST MICROELECTRONICS componentă semiconductor triac Tensiune inversă max. 600V Curent de sarcină max. 1A Curent de poartă 10mA Montare SMD Carcasă SOT223
Pret 1,01 Lei
In stoc
Referinta: AH8b
1/4W 4K7 SMD 1%
ROYAL OHM thick film Montare SMD Carcasă - inch 1206 Carcasă - mm 3216 Rezistenţă 4.7kΩ Putere 0.25W Toleranţă ±1% Tensiune de lucru max. 200V Tensiune de impuls max. 400V Temperatura de lucru -55...125°C Coeficient de temperatură 100ppm/°C
Pret 0,09 Lei
in stoc
Referinta: CON NH47 B
1nF 100V
Capacitanţă 1nF Tensiune de lucru 100V Dielectric Y5P Toleranţă ±10% Raster terminale 5mm Temperatura de lucru -55...85°C
Pret 0,11 Lei
In Stoc
Pret 1,88 Lei
in stoc
Referinta: AG4b
PC817
SHARPoptocuplorMontare THTNumăr canale 1tranzistoriTensiune izolaţie 5kVTensiune colector-emiţător 80VCarcasă DIP4Timp activare 4µsTimp dezactivare 3µs
PC817X3CSZ9F
Pret 1,35 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: SI14a
IRF9530N
Infineon P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -14A Putere 79W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ Încărcătură poartă 38.7nC HEXFET
Pret 3,97 Lei
in stoc
Referinta: TRA-J-1
IRF9540N
tranzistor P-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -100VCurent drenă -23APutere disipată 140WCarcasă TO220Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.117ΩMontare THTÎncărcătură poartă 64.7nCcanal îmbogăţit
Pret 4,98 Lei
In stoc
Pret 4,52 Lei
in stoc
Referinta: SF11b
IRLZ24N
Tip: Canal N
Tensiune de rupere dren-sursă: 55V
Tensiune poartă-sursă, max.: ±16V
Rezistență în stare activă dren-sursă, max.: 60mΩ
Curent continuu la dren: 18A
Sarcină totală a porții: 10nC
Disipare de putere: 45W
Carcasă: TO-220AB
Pret 2,90 Lei
in stoc
Referinta: AA9a
IRFZ44N
Infineon (IRF) tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 48A Putere disipată 110W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ
Pret 3,51 Lei
In stoc
Referinta: AL10b
IRFR3910PBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 15A Putere 52W Carcasa DPAK
Pret 2,62 Lei
Stoc epuizat
Pret 11,69 Lei
in stoc
Referinta: SE4b
IRF3205SPBF -SMD
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 110A Putere 200W Carcasă D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ SMD Încărcătură poartă 97.3nC HEXFET
Pret 4,32 Lei
in stoc
Referinta: AJ10b
IRFR120NPBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.1A Putere 39W Carcasa DPAK
Pret 1,88 Lei
Stoc epuizat
Referinta: BH4b
IRLZ44N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 55VCurent drenă 41APutere disipată 83WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±16VRezistenţă în timpul funcţionării 22mΩMontare THTÎncărcătură poartă 32nCcanal îmbogăţitlogic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Referinta: NA28p
IRF3710
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 57A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ Încărcătură poartă 86.7nC HEXFET
Pret 6,65 Lei
in stoc
Referinta: AI4b
IRFPC60
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare THTIncarcatura poarta 210nCcanal imbogatit
Pret 16,17 Lei
In stoc
Referinta: AG8a
IRF1010ZPBF
Infineon N-MOSFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 94A Putere 140W
Pret 4,58 Lei
Stoc epuizat
Referinta: TRA-I6
IRF630
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursă 200VCurent drenă 5.7APutere disipată 75WCarcasă TO220-3Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 400mΩMontare THTcanal îmbogăţit
Pret 2,69 Lei
In stoc
Referinta: D3
IRF2807
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 75V Curent drenă 82A Putere 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ Încărcătură poartă 106.7nC HEXFET
Pret 6,00 Lei
in stoc
Pret 10,68 Lei
in stoc
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP