Tranzistori IRFxx PDTA143ZT 0,19 Lei
    • Tranzistori IRFxx PDTA143ZT 0,19 Lei
    • Tranzistori IRFxx PDTA143ZT 0,19 Lei

    PDTA143ZT

    AP14a
    Rating 

      Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm

      capsula SOT23 producator NXP

      0,19 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      in stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Detalii ale produsului
      AP14a
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      PDTA143ZT

      PDTA143ZT

      Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm

      capsula SOT23 producator NXP

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AP8b

      1/4W 3K3 SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      ROYAL OHM     rezistor thick film     Montare     SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm     3216     Rezistenţă     3.3kΩ     Putere     0.25W     Toleranţă     ±1%     Tensiune de lucru max.     200V     Tensiune de impuls max.     400V     Temperatura de lucru     -55...125°C     Coeficient de temperatură     100ppm/°C
      Pret 0,09 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AK7b

      DB4

      Recenzie(i): 0
      LUGUANG ELECTRONICtiristor     diacCurent de sarcină max.     2ACarcasă     DO35Tensiune de amorsare     35...45VMontare     THT
      Pret 0,69 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AI8a

      Condensator 47nF 100V smd 1206

      Recenzie(i): 0
         condensator ceramic     condensator MLCC     Capacitanţă     47nF     Tensiune de lucru 100V     Dielectric X7R     Toleranţă ±10%     Montare SMD     Carcasă - inch 1206     Carcasă - mm 3216     Temperatura de lucru -55...125°C     Capacitanţă - µF 0.047µF
      Pret 0,26 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AJ8b

      1/4W 68K SMD 1%

      Recenzie(i): 0
      ROYAL OHM     thick film     Montare SMD     Carcasă - inch     1206     Carcasă - mm     3216     Rezistenţă     68kΩ     Putere     0.25W     Toleranţă     ±1%     Tensiune de lucru max.     200V     Tensiune de impuls max. 400V     Temperatura de lucru     -55...125°C     Coeficient de temperatură 100ppm/°C
      Pret 0,11 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AS1c

      AOD609

      Recenzie(i): 0
      ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR     tranzistor     N/P-MOSFET     Polarizare     unipolar     tranzistor     complementare     Tensiune drenă-sursă     40/-40V     Curent drenă     12/-12A     Putere disipată     14/15W     Carcasă     TO252-4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 30/45mΩ    
      Pret 2,95 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF6a

      IRF610PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: SC13b

      Marca: NXP Semiconductors

      IRF7316TRPBF SMD

      Recenzie(i): 0
      tranzistor    P-MOSFET x2Tehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    -30VCurent drenă    -4.9APutere disipată    2WCarcasă    SO8Montare    SMD canal    îmbogăţit
      Pret 7,58 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-I 1

      IRFD9120PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: G7

      IRFP450

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
      Pret 12,10 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: D3

      IRF2807

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA H8

      IRF740

      Recenzie(i): 0
      IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
      Pret 6,00 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SF7a

      IRF520N

      Recenzie(i): 0
      InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 9.7A     Putere     48W    
      Pret 3,51 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: SJ16b

      IRFP264

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
      Pret 17,18 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM10a

      IRF1010E

      Recenzie(i): 0
      INFINEON TECHNOLOGIES tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 84A Putere disipată 140W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ Montare THT Încărcătură poartă 58nC canal îmbogăţit
      Pret 4,52 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AL12b

      IRFD014PBF

      Recenzie(i): 0
      VISHAY     tranzistor N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 60V     Curent drenă 1.2A     Putere     1.3W     Carcasă DIP4     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω     Încărcătură poartă 11nC
      Pret 2,69 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,68 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AB2c

      IRF830

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa    500VCurent drenă     2.9APutere disipata     74WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     1.5ΩMontare     THTIncarcatura poarta     38nCSubtip canal     îmbogatit
      Pret 3,71 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SG13c

      IRLZ34N

      Recenzie(i): 0
      Tranzistor  N-MOSFET Tehnologie  HEXFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa  55V Curent drena  27A Putere disipata  56W Carcasa  TO220AB Tensiune poarta-sursa ± 16V Rezistenta în timpul functionarii  35mΩ Montare  THT Incarcatura poarta 16.7 nC Canal îmbogatit Logic level
      Pret 3,90 Lei
      Mai multe
      In stoc