- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
IRFD9120PBF
Rating
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Carcasă DIP4
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Detalii ale produsului
TRA-I 1
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: AT7b
UF4007 -DIO
DIOTEC SEMICONDUCTOR diodă redresoare Tensiune inversă max. 1kV Tensiune directă la If 1.7V Curent de sarcină 1A Curent de sarcină max. 10A o singură diodă diodă ultrarapidă Carcasă DO41 Timp de restabilire 75ns Curent de şoc direct max. 30A Curent de scurgere 5µA
Pret 0,44 Lei
in stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,20 Lei
in stoc
Pret 1,85 Lei
in stoc
Referinta: BB1c
2N7000
ON SEMICONDUCTORtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 60VCurent drena 0.2ACurent de drena în impuls 0.5APutere disipata 0.4W
Pret 0,55 Lei
in stoc
Referinta: AG8a
IRF1010ZPBF
Infineon N-MOSFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 94A Putere 140W
Pret 4,50 Lei
Stoc epuizat
Referinta: NC16a
Potentiometru mono 100K
Potentiometru mono 100K liniar lungime ax: 20mm
Pret 1,75 Lei
In stoc
Pret 1,75 Lei
In stoc
Pret 1,75 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Pret 3,79 Lei
In stoc
Referinta: NA28p
IRF3710
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 57A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ Încărcătură poartă 86.7nC HEXFET
Pret 5,90 Lei
in stoc
Referinta: SI14a
IRF9530N
Infineon P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -14A Putere 79W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ Încărcătură poartă 38.7nC HEXFET
Pret 3,90 Lei
in stoc
Referinta: SF7a
IRF520N
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.7A Putere 48W
Pret 3,45 Lei
in stoc
Referinta: TRA-H12
IRFPC50
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare THTIncarcatura poarta 140nCcanal imbogatit
Pret 11,90 Lei
In stoc
Referinta: AG3b
IRF640
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 200VCurent drenă 18APutere disipată 150WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0,15ΩMontare THTÎncărcătură poartă 44,7nCcanal îmbogăţit
Pret 3,45 Lei
In stoc
Referinta: AL8a
IRF4905
Infineon (IRF) tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drena-sursă -55V Curent drenă -74A Putere disipată 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ Montare THT Incărcatura poartă 120nC canal...
Pret 6,90 Lei
In stoc
Pret 2,21 Lei
In Stoc
Referinta: AP14a
PDTA143ZT
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP
Pret 0,19 Lei
in stoc
Referinta: NF24p
IRF510
tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa 100V Curent drena 4A Putere disipata 43W Carcasa TO220AB Tensiune poarta-sursa ±20V Rezistenta în timpul functionarii 540mΩ Montare THT Incărcatura poarta 8.3nC canal îmbogatit
Pret 2,90 Lei
in stoc
Referinta: BH4b
IRLZ44N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 55VCurent drenă 41APutere disipată 83WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±16VRezistenţă în timpul funcţionării 22mΩMontare THTÎncărcătură poartă 32nCcanal îmbogăţitlogic level
Pret 4,45 Lei
In stoc
Referinta: AR8
IRFZ48N
N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 64A Putere disipată 94W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 14mΩ Încărcătură poartă 54nC
Pret 4,90 Lei
In Stoc
Referinta: SF6a
IRF610PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 2.1A Putere 36W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,45 Lei
in stoc
Referinta: AD6c
IRF530N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare unipolarTensiune drena-sursa 100VCurent drenă 17APutere disipata 79WCarcasă TO220ABTensiune poarta-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 90mΩMontare THTIncarcatură poarta 24.7nCcanal îmbogatit
Pret 4,65 Lei
In stoc
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,65 Lei
in stoc
Referinta: AK3b
IRFP150N
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 30A Putere disipată 160W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ Montare THT Încărcătură poartă 110nC
Pret 7,90 Lei
In stoc
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ