- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRFD9120PBF
Rating
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Carcasă DIP4
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Detalii ale produsului
TRA-I 1
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: NA13b
Soclu circuit integrat 18 pini
Soclu:DIL;PIN:18;7,62mm;Montare:THT;Raster:2,54mm
Pret 0,76 Lei
In stoc
Referinta: BB1c
2N7000
ON SEMICONDUCTORtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 60VCurent drena 0.2ACurent de drena în impuls 0.5APutere disipata 0.4W
Pret 0,56 Lei
in stoc
Referinta: AH14b
Adaptor SSOP8, SOP8 PCB dublu placat
- dimensiuni: 11.9x11.7x1.6mm - distanta intre pini SSOP: 0.65mm - distanta intre pini SOP: 1.27mm
Pret 1,68 Lei
in stoc
Referinta: NH42b
Soclu circuit integrat 24 pini
CONNFLYsoclu circuit integrat DIPNumărul de pini 24Distanta între rânduri 7.62mmMontare electrica THTRaster terminale 2.54mmlamelă de presare, fata dubla
Pret 0,67 Lei
In stoc
Pret 0,19 Lei
In stoc
Cablaj simplu placat 300x250x1.5mm
Cablaj simplu placat 300x250mm material FR4 sticlotextolit grosime 1,5mm grosime strat de cupru 18u
Pret 26,90 Lei
In stoc
Referinta: AG8a
IRF1010ZPBF
Infineon N-MOSFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 94A Putere 140W
Pret 4,58 Lei
Stoc epuizat
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
Stoc epuizat
16 alte produse in aceeasi categorie:
Pret 12,10 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AR16b
IRF1407
Tranzistor N-Mosfet 75V 130A 330W capsula
TO220AB producator IR
IRF1407PBF
Pret 4,52 Lei
Stoc epuizat
Referinta: BA4h
IRFP9140
tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -21A Putere disipată 120W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 117mΩ Montare THT Încărcătură poartă 64.7nC
Pret 6,76 Lei
In stoc
Referinta: AM10a
IRF1010E
INFINEON TECHNOLOGIES
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 60V
Curent drenă 84A
Putere disipată 140W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8.5mΩ
Montare THT
Încărcătură poartă 58nC
canal îmbogăţit
Pret 4,52 Lei
in stoc
Pret 3,85 Lei
In stoc
Referinta: AO1a
IRFP240
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 20A Putere 150W Carcasa TO247AC
Pret 9,89 Lei
in stoc
Referinta: D3
IRF2807
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 75V Curent drenă 82A Putere 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ Încărcătură poartă 106.7nC HEXFET
Pret 6,00 Lei
in stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Stoc epuizat
Referinta: TRA-H12
IRFPC50
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare THTIncarcatura poarta 140nCcanal imbogatit
Pret 12,10 Lei
In stoc
Referinta: SG13c
IRLZ34N
Tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET
Polarizare unipolar
Tensiune drena-sursa 55V
Curent drena 27A
Putere disipata 56W
Carcasa TO220AB
Tensiune poarta-sursa ± 16V
Rezistenta în timpul functionarii 35mΩ
Montare THT
Incarcatura poarta 16.7 nC
Canal îmbogatit
Logic level
Pret 3,90 Lei
In stoc
Pret 2,24 Lei
In Stoc
Referinta: AP14a
PDTA143ZT
Tranzistor PNP 50V 100mA 250mW rezistenta 4,7kOhm
capsula SOT23 producator NXP
Pret 0,19 Lei
in stoc
Referinta: AB8b
IRFP250
tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 30A Putere disipată 214W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ Montare THT Incărcătura poartă 123nC canal îmbogatit
Pret 6,45 Lei
In stoc
Referinta: AG3b
IRF640
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 200VCurent drenă 18APutere disipată 150WCarcasă TO220ABTensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0,15ΩMontare THTÎncărcătură poartă 44,7nCcanal îmbogăţit
Pret 3,25 Lei
In stoc
Referinta: AP4b
IRF540NS
tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 33A Putere disipată 3.8W Carcasa D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ SMD Încărcătură poartă 47.3nC
Pret 2,95 Lei
In stoc
Referinta: SJ16b
IRFP264
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata 280WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.75ΩÎncarcatura poarta 0.21µCcanal îmbogătit
Pret 17,18 Lei
In stoc
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ