- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRFD9120PBF
Rating
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Carcasă DIP4
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
Detalii ale produsului
TRA-I 1
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: AG8a
IRF1010ZPBF
Infineon N-MOSFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 94A Putere 140W
Pret 4,58 Lei
Stoc epuizat
Pret 1,78 Lei
In stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Stoc epuizat
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
Stoc epuizat
Pret 1,78 Lei
In stoc
Referinta: BB1c
2N7000
ON SEMICONDUCTORtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 60VCurent drena 0.2ACurent de drena în impuls 0.5APutere disipata 0.4W
Pret 0,56 Lei
in stoc
Pret 1,78 Lei
In stoc
Referinta: AT7b
UF4007 -DIO
DIOTEC SEMICONDUCTOR diodă redresoare Tensiune inversă max. 1kV Tensiune directă la If 1.7V Curent de sarcină 1A Curent de sarcină max. 10A o singură diodă diodă ultrarapidă Carcasă DO41 Timp de restabilire 75ns Curent de şoc direct max. 30A Curent de scurgere 5µA
Pret 0,45 Lei
in stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: NF24p
IRF510
tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drena-sursa 100V Curent drena 4A Putere disipata 43W Carcasa TO220AB Tensiune poarta-sursa ±20V Rezistenta în timpul functionarii 540mΩ Montare THT Incărcatura poarta 8.3nC canal îmbogatit
Pret 2,95 Lei
Stoc epuizat
Pret 9,05 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AK10b
IRFP064
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 98A Putere 150W Carcasa TO247AC
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: TRA-J-1
IRF9540N
tranzistor P-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -100VCurent drenă -23APutere disipată 140WCarcasă TO220Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.117ΩMontare THTÎncărcătură poartă 64.7nCcanal îmbogăţit
Pret 4,98 Lei
In stoc
Pret 6,56 Lei
in stoc
Referinta: SF7a
IRF520N
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.7A Putere 48W
Pret 3,51 Lei
in stoc
Referinta: SF6a
IRF610PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 200V Curent drenă 2.1A Putere 36W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω Încărcătură poartă 8.2nC
Pret 3,51 Lei
in stoc
Referinta: AL10b
IRFR3910PBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 15A Putere 52W Carcasa DPAK
Pret 2,62 Lei
Stoc epuizat
Referinta: TRA-I6
IRF630
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursă 200VCurent drenă 5.7APutere disipată 75WCarcasă TO220-3Tensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 400mΩMontare THTcanal îmbogăţit
Pret 2,69 Lei
In stoc
Referinta: AJ10b
IRFR120NPBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 9.1A Putere 39W Carcasa DPAK
Pret 1,88 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AK3b
IRFP150N
Tip tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 30A Putere disipată 160W Carcasă TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ Montare THT Încărcătură poartă 110nC
Pret 7,90 Lei
In stoc
Referinta: SG16b
IRFP350
N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drena 10APutere disipata 190WCarcasa TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 0.3ΩÎncarcatura poarta 150nCcanal îmbogătit
Pret 13,12 Lei
in stoc
Pret 2,24 Lei
In Stoc
Referinta: SI14a
IRF9530N
Infineon P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -14A Putere 79W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ Încărcătură poartă 38.7nC HEXFET
Pret 3,97 Lei
in stoc
Referinta: SE4b
IRF3205SPBF -SMD
InfineonN-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 110A Putere 200W Carcasă D2PAK Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ SMD Încărcătură poartă 97.3nC HEXFET
Pret 4,32 Lei
in stoc
Referinta: SA4a
IRF3205
Infineon (IRF) tranzistor N-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 55V Curent drenă 80A Putere disipată 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistentă în timpul functionării 8mΩ Montare THT Incarcătură poarta 146nC canal...
Pret 4,90 Lei
In stoc
VISHAY
tranzistor P-MOSFET
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă -100V
Curent drenă -1A
Putere 1.3W
Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ