IRFD9120PBF
    • IRFD9120PBF

    IRFD9120PBF

    TRA-I 1
    Rating 

      VISHAY     
      tranzistor P-MOSFET     
      Polarizare unipolar     
      Tensiune drenă-sursă -100V     
      Curent drenă -1A     
      Putere     1.3W     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ

      2,60 Lei
      Cu TVA
      Cantitate
      In stoc

        Informatii si comenzi

      0374043295 ~ 0763490049

        Transfer bancar

      Platiti prin transfer bancar

        Plata ramburs

      Plata la livrare

      Descriere

      VISHAY     
      tranzistor P-MOSFET     
      Polarizare unipolar     
      Tensiune drenă-sursă -100V     
      Curent drenă -1A     
      Putere     1.3W     
      Carcasă DIP4     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ

      Detalii ale produsului
      TRA-I 1
      0
      Nou
      Recenzii

      Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

      Scrie-ti recenzia

      IRFD9120PBF

      IRFD9120PBF

      VISHAY     
      tranzistor P-MOSFET     
      Polarizare unipolar     
      Tensiune drenă-sursă -100V     
      Curent drenă -1A     
      Putere     1.3W     
      Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ

      Scrie-ti recenzia
      Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

      Referinta: AT7b

      UF4007 -DIO

      Recenzie(i): 0
      DIOTEC SEMICONDUCTOR     diodă     redresoare     Tensiune inversă max.     1kV     Tensiune directă la If     1.7V     Curent de sarcină 1A     Curent de sarcină max.     10A     o singură diodă     diodă ultrarapidă     Carcasă DO41     Timp de restabilire 75ns     Curent de şoc direct max. 30A     Curent de scurgere 5µA
      Pret 0,44 Lei
      Mai multe
      in stoc
      16 alte produse in aceeasi categorie:

      Referinta: AI4b

      IRFPC60

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare     THTIncarcatura poarta 210nCcanal     imbogatit
      Pret 15,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AD6c

      IRF530N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFETPolarizare     unipolarTensiune drena-sursa     100VCurent drenă     17APutere disipata     79WCarcasă     TO220ABTensiune poarta-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii     90mΩMontare     THTIncarcatură poarta     24.7nCcanal     îmbogatit
      Pret 4,65 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AL8a

      IRF4905

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...
      Pret 6,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM4a

      IRF7319PBF

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N/P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     30/-30V     Curent drenă     6.5/-4.9A     Putere     2W     Carcasă     SO8     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     29/58mΩ     Montare     SMD     Încărcătură poartă     22/23nC
      Pret 2,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: SA4a

      IRF3205

      Recenzie(i): 0
      Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
      Pret 5,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: D3

      IRF2807

      Recenzie(i): 0
      N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 75V     Curent drenă 82A     Putere     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ     Încărcătură poartă 106.7nC     HEXFET
      Pret 5,90 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: AK3b

      IRFP150N

      Recenzie(i): 0
          Tip tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     30A     Putere disipată     160W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     36mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     110nC
      Pret 7,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: TRA-H12

      IRFPC50

      Recenzie(i): 0
       VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena     7APutere disipata 180WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa     ±20VRezistenta în timpul functionarii 600mΩMontare     THTIncarcatura poarta 140nCcanal     imbogatit
      Pret 11,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: BH4b

      IRLZ44N

      Recenzie(i): 0
      tranzistor     N-MOSFETTehnologie     HEXFET®Polarizare     unipolarTensiune drenă-sursă     55VCurent drenă     41APutere disipată     83WCarcasă     TO220ABTensiune poartă-sursă     ±16VRezistenţă în timpul funcţionării     22mΩMontare     THTÎncărcătură poartă     32nCcanal     îmbogăţitlogic level
      Pret 4,45 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: K2

      IRF5210 -IRF

      Recenzie(i): 0
      P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
      Pret 5,65 Lei
      Mai multe
      in stoc

      Referinta: TRA H8

      IRF740

      Recenzie(i): 0
      IRF740     Tranzistor N-Mosfet 400V 10A 125W capsula TO220AB producator IR
      Pret 5,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AK10a

      IRFR320PBF

      Recenzie(i): 0
      Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     400V     Curent drenă     3.1A     Putere     42W     Carcasa     TO252AA Montare     SMD
      Pret 2,58 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat

      Referinta: AP4b

      IRF540NS

      Recenzie(i): 0
      tranzistor N-MOSFET     Tehnologie HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     100V     Curent drenă     33A     Putere disipată 3.8W     Carcasa D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 44mΩ     SMD     Încărcătură poartă 47.3nC
      Pret 2,90 Lei
      Mai multe
      In stoc

      Referinta: AM4b

      IRFZ46N -IR

      Recenzie(i): 0
      Producător     Infineon (IRF)     Tip tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tip tranzistor     HEXFET     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     46A     Putere     88W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     20V    
      Pret 2,64 Lei
      Mai multe
      Stoc epuizat