• Stoc epuizat
Tranzistori IRFxx IRFD120 -IR 2,24 Lei
  • Tranzistori IRFxx IRFD120 -IR 2,24 Lei

IRFD120 -IR

SE15a
Rating 

    N-MOSFET     
    unipolar     
    Tensiune drenă-sursă 100V     
    Curent drenă 0.94A     
    Putere     1.3W     
    DIP4     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     
    Încărcătură poartă 16nC

    2,24 Lei
    Cu TVA
    Cantitate
    Stoc epuizat

      Informatii si comenzi

    0374043295 ~ 0763490049

      Transfer bancar

    Platiti prin transfer bancar

      Plata ramburs

    Plata la livrare

    Detalii ale produsului
    SE15a
    Nou
    Recenzii

    Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.

    Scrie-ti recenzia

    IRFD120 -IR

    IRFD120 -IR

    N-MOSFET     
    unipolar     
    Tensiune drenă-sursă 100V     
    Curent drenă 0.94A     
    Putere     1.3W     
    DIP4     
    Tensiune poartă-sursă     ±20V     
    Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω     
    Încărcătură poartă 16nC

    Scrie-ti recenzia
    Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:

    Referinta: TRA-I 1

    IRFD9120PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor P-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă -100V     Curent drenă -1A     Putere     1.3W     Rezistenţă în timpul funcţionării 600mΩ
    Pret 2,64 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: AT7b

    UF4007 -DIO

    Recenzie(i): 0
    DIOTEC SEMICONDUCTOR     diodă     redresoare     Tensiune inversă max.     1kV     Tensiune directă la If     1.7V     Curent de sarcină 1A     Curent de sarcină max.     10A     o singură diodă     diodă ultrarapidă     Carcasă DO41     Timp de restabilire 75ns     Curent de şoc direct max. 30A     Curent de scurgere 5µA
    Pret 0,45 Lei
    Mai multe
    in stoc
    16 alte produse in aceeasi categorie:

    Referinta: NA28p

    IRF3710

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 100V     Curent drenă 57A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ     Încărcătură poartă 86.7nC     HEXFET
    Pret 6,00 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SA4a

    IRF3205

    Recenzie(i): 0
    Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...
    Pret 4,90 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NB19s

    IRF5305

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     Tensiune drenă-sursă     -55V     Curent drenă     -31A     Putere     110W     
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SI14a

    IRF9530N

    Recenzie(i): 0
    Infineon P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -14A     Putere     79W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ     Încărcătură poartă     38.7nC     HEXFET
    Pret 3,97 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SJ16b

    IRFP264

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFETPolarizare     unipolarTensiune drenă-sursa 250VCurent drena 24APutere disipata    280WCarcasa    TO247ACTensiune poartă-sursa    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării  0.75ΩÎncarcatura poarta    0.21µCcanal    îmbogătit
    Pret 17,18 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: K2

    IRF5210 -IRF

    Recenzie(i): 0
    P-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -40A     Putere     200W     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ     Încărcătură poartă 120nC     HEXFET
    Pret 5,74 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: XN4

    IRF840

    Recenzie(i): 0
    Tranzistor N-Mosfet 500V 8A 125W capsula TO220AB producator Fairchild
    Pret 4,45 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: BA4h

    IRFP9140

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     -100V     Curent drenă     -21A     Putere disipată     120W     Carcasă     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     117mΩ     Montare     THT     Încărcătură poartă     64.7nC
    Pret 6,76 Lei
    Mai multe
    In stoc

    Referinta: NF24p

    IRF510

    Recenzie(i): 0
    tranzistor     N-MOSFET     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursa     100V     Curent drena     4A     Putere disipata     43W     Carcasa     TO220AB     Tensiune poarta-sursa     ±20V     Rezistenta în timpul functionarii     540mΩ     Montare     THT     Incărcatura poarta    8.3nC     canal     îmbogatit
    Pret 2,95 Lei
    Mai multe
    Stoc epuizat

    Referinta: SF6a

    IRF610PBF

    Recenzie(i): 0
    VISHAY     tranzistor     N-MOSFET     Polarizare unipolar     Tensiune drenă-sursă 200V     Curent drenă 2.1A     Putere     36W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 1.5Ω     Încărcătură poartă 8.2nC
    Pret 3,51 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: SE4b

    IRF3205SPBF -SMD

    Recenzie(i): 0
    InfineonN-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 55V     Curent drenă 110A     Putere     200W     Carcasă D2PAK     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ     SMD     Încărcătură poartă 97.3nC     HEXFET
    Pret 4,32 Lei
    Mai multe
    in stoc

    Referinta: G7

    IRFP450

    Recenzie(i): 0
    N-MOSFET     unipolar     Tensiune drenă-sursă 500V     Curent drenă     8.7A     Putere     190W     TO247AC     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
    Pret 12,10 Lei
    Mai multe
    in stoc