- Nu mai sunt produse in cosul tau
- Livrare
- Total 0,00 Lei
- Tiristoare/triace/diace
- Tranzistori 2Nxx
- Tranzistori 2SAxx
- Tranzistori 2SBxx
- Tranzistori 2SCxx
- Tranzistori 2SDxx
- Tranzistori 2SKxx
- Tranzistori BCxx
- Tranzistori BDX/BDW/BDT
- Tranzistori BDxx
- Tranzistori BS/BFR/BFG/BF
- Tranzistori BUT/BUV/BUH/BUX
- Tranzistori Buxx
- Tranzistori BUZxx
- Tranzistori diversi
- Tranzistori IRFxx
- Tranzistori MJxx
- Tranzistori SMD
Payments
IRFP064
Rating
Tip tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tip tranzistor HEXFET
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 98A
Putere 150W
Carcasa TO247AC
Informatii si comenzi 0374043295 ~ 0763490049
Transfer bancar Platiti prin transfer bancar
Plata ramburs Plata la livrare
Descriere
Tip tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tip tranzistor HEXFET
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 98A
Putere 150W
Carcasa TO247AC
Tensiune poartă-sursă 20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ
Rezistenţa termică conector-carcasă 1K/W
Montare THT
Încărcătură poartă 113.3nC
Detalii ale produsului
AK10b
0
Nou
Recenzii
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Clientii care au cumparat acest produs au mai cumparat si:
Referinta: B7
10W 3K3
ROYAL OHM rezistor bobinat rezistor cu ciment Montare THT Rezistenţă 3.3kΩ Putere 10W Toleranţă ±5% Dimensiuni carcasă 10 x 9 x 49mm Dimensiuni terminale Ø0.8 x 35mm
Pret 1,58 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AJ7a
NE555P
NE555,LM555,555, circuit integrat circuit periferic circuit integrat astabil, ceas RC, monostabil Tensiune controlată 10 V Frecvenţă 500kHz Tensiune alimentare 4.5...16V DC Carcasă DIP8 Curent alimentare DC 10mA Curent ieşire 200mA Temperatura de lucru 0...70°C Număr canale 1
Pret 1,47 Lei
Stoc epuizat
Pret 1,27 Lei
In stoc
Referinta: NC41c
1/4W 100R
rezistor carbonMontare THTRezistenţă 100ΩPutere 0.25WToleranţă ±5%Tensiune de lucru max. 250VDimensiuni carcasă Ø2.3x6mmDimensiuni terminale Ø0.4x28mmTensiune de impuls max. 500VTerminale axial
Pret 0,08 Lei
In Stoc
Pret 0,07 Lei
In stoc
Referinta: SB6a
IR2153
circuit integrat driver Tensiune ieşire 625.3V Putere 625mW Număr canale 2 Tensiune alimentare 10...16.8V DC Temperatura de lucru -40...125°C DIP8
Pret 6,90 Lei
in stoc
Referinta: NF8g
5W 10R
SR Passives rezistor bobinat rezistor cu ciment Montare THT Rezistenţă 10Ω Putere 5W Toleranţă ±5% Dimensiuni carcasă 9.5 x 9.5 x 22mm Dimensiuni terminale Ø0.8 x 35mm
Pret 0,97 Lei
in stoc
Pret 1,47 Lei
In stoc
16 alte produse in aceeasi categorie:
Referinta: G7
IRFP450
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 500V Curent drenă 8.7A Putere 190W TO247AC Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.4Ω
Pret 12,10 Lei
in stoc
Referinta: SA10a
IRF540N
tranzistor N-MOSFETTehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă 100VCurent drenă 33APutere disipată 140WCarcasa TO220ABTensiune poartă-sursă ±20VRezistenţă în timpul funcţionării 44mΩMontare THTIncărcătură poarta 47.3nCcanal imbogatit
Pret 3,97 Lei
In stoc
Referinta: SE15a
IRFD120 -IR
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 0.94A Putere 1.3W DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.27Ω Încărcătură poartă 16nC
Pret 2,24 Lei
Stoc epuizat
Pret 11,69 Lei
in stoc
Referinta: SC13b
Marca: NXP Semiconductors
IRF7316TRPBF SMD
tranzistor P-MOSFET x2Tehnologie HEXFET®Polarizare unipolarTensiune drenă-sursă -30VCurent drenă -4.9APutere disipată 2WCarcasă SO8Montare SMD canal îmbogăţit
Pret 7,58 Lei
In stoc
Referinta: AL8a
IRF4905
Infineon (IRF) tranzistor P-MOSFET Tehnologie HEXFET® Polarizare unipolar Tensiune drena-sursă -55V Curent drenă -74A Putere disipată 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ Montare THT Incărcatura poartă 120nC canal...
Pret 7,02 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AI4b
IRFPC60
VISHAYtranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 600VCurent drena 10APutere disipata 280WCarcasă TO247ACTensiune poartă-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 400mΩMontare THTIncarcatura poarta 210nCcanal imbogatit
Pret 16,17 Lei
In stoc
Pret 10,68 Lei
in stoc
Referinta: K2
IRF5210 -IRF
P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -40A Putere 200W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ Încărcătură poartă 120nC HEXFET
Pret 5,74 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AL10b
IRFR3910PBF
Tip tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tip tranzistor HEXFET Tensiune drenă-sursă 100V Curent drenă 15A Putere 52W Carcasa DPAK
Pret 2,62 Lei
Stoc epuizat
Referinta: AL12b
IRFD014PBF
VISHAY tranzistor N-MOSFET Polarizare unipolar Tensiune drenă-sursă 60V Curent drenă 1.2A Putere 1.3W Carcasă DIP4 Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 0.2Ω Încărcătură poartă 11nC
Pret 2,69 Lei
in stoc
Pret 4,52 Lei
in stoc
Referinta: AR15c
IRF730
tranzistor N-MOSFETPolarizare unipolarTensiune drenă-sursa 400VCurent drenă 3.5APutere disipata 74WCarcasă TO220ABTensiune poarta-sursa ±20VRezistenta în timpul functionarii 1ΩMontare THTIncarcatura poarta 38nCSubtip canal îmbogatit
Pret 3,71 Lei
In stoc
Referinta: SI14a
IRF9530N
Infineon P-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă -100V Curent drenă -14A Putere 79W TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 200mΩ Încărcătură poartă 38.7nC HEXFET
Pret 3,97 Lei
in stoc
Referinta: AL10a
IRG4BC30UDPBF
Tip tranzistor IGBT Tensiune colector-emiţător 600V Curent de colector 23A Putere 100W Carcasa TO220AB
Pret 8,97 Lei
in stoc
Referinta: D3
IRF2807
N-MOSFET unipolar Tensiune drenă-sursă 75V Curent drenă 82A Putere 200W Carcasă TO220AB Tensiune poartă-sursă ±20V Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ Încărcătură poartă 106.7nC HEXFET
Pret 6,00 Lei
in stoc
Tip tranzistor N-MOSFET
Polarizare unipolar
Tip tranzistor HEXFET
Tensiune drenă-sursă 55V
Curent drenă 98A
Putere 150W
Carcasa TO247AC