1/2W 820R

Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    

rezistor    carbonMontare    THTRezistenta  6.8kΩPutere    0.5WToleranta    ±5%Tensiune de lucru max.    350VDimensiuni carcasă    Ø3.2x9mmDimensiuni terminale    Ø0.6x26mmTensiune de impuls max.    700VTerminale    axial

suport termoconductor     din mică Utilizare     SOT32     Rezistenţă termică     0.4K/W     Lungime     11mm     Lăţime     8mm     Grosime 0.05mm     Diametru orificiu fixare 3.1mm

SR Passives     rezistor de carbon     THT     Rezistenţă 82kΩ     Putere     0.25W     Toleranţă ±5%     Tensiune de lucru max.    250V     Dimensiuni carcasă Ø2.3 x 6mm     Dimensiuni terminale Ø0.5 x 28mm     Tensiune de impuls max. 500V     axial

tranzistor     PNP     Polarizare     bipolar     Tensiune colector-emitator     45V     Curent de colector     0.1A     Putere disipata     0.5W     Carcasa     TO92     Amplificare curent     75...800     Frecventa     100MHz

rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă 56ΩPutere    2WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    500VDimensiuni carcasă    Ø4,2x11mmDimensiuni terminale    Ø0,7x35mmTensiune de impuls max.    1kVTerminale     axial

diodă     redresoare     Tensiune inversă max.     800V     Curent de sarcină     6A     Curent de sarcină max.     60A     o singură diodă     Curent de şoc direct max.     400A     Carcasă P600     Tensiune conducţie max. 1.1V     Curent de scurgere     10µA     Timp de restabilire     1.5µs

Rezistor:decarbon;THT;47kΩ;500mW;±5%;Ø3,2x9mm;