Tranzistor N-Mosfet 600V 13A Rds 0,48Ohm capsula TO220-ISO producator ST

Integrated circuit, switch regulator CTV 115V 100W

Rezistor:decarbon;THT;820kΩ;500mW;±5%;Ø3,2x9mm;

diodă     Zener     Putere disipată 1/1.3W     Tensiune Zener     18V         Carcasă     DO41     Toleranţă     ±5%     o singură diodă     Curent de sarcină max.     500mA     Tensiune conducţie max. 1V

Infineon (IRF)     tranzistor     P-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drena-sursă     -55V     Curent drenă     -74A     Putere disipată     200W     Carcasă TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării     20mΩ     Montare     THT     Incărcatura poartă 120nC     canal...

rezistor    bobinatrezistor    cu cimentMontare    THTRezistenţă 120ΩPutere    10WToleranţă    ±5%Dimensiuni carcasă 48x9.5x9.5mmDimensiuni terminale Ø0.8x35mm

Siguranta fuzibila 6x30mm 10A siguranta rapida

condensator    cu polipropilenăCapacitanţă    4.7nFDimensiuni carcasă    13x11x5mmMontare    THTToleranţă    ±10%Raster terminale    10mmX2Tensiune de lucru max.    310V AC

rezistor bobinat Montare THT Rezistenţă 0.33Ω Putere 3W Toleranţă ±5% Dimensiuni terminale Ø0,7x28mm Dimensiuni corp Ø5,5x16mm carcasă rezistentă la temperaturi înalte Coeficient de temperatură 400ppm/°C Terminale axial Lungime 16mm Diametru 5,5mm

circuit integratamplificator audioPutere    18WMontare    THTCarcasă    Pentawatt

circuit integrat    amplificator operaţionalbandă transmisie    5MHzMontare    THTNumăr canale    1Carcasă    DIP8Viteză creştere tensiune    12V/μsTemperatura de lucru    0...70°CTensiune de lucru    10...36V

WeEn Semiconductorssemiconductor     tiristorTensiune inversa max.     800VCurent de sarcina     5ACurent de sarcina max.     8ACurent de poarta     50µAMontare     THTCarcasa     TO220ABTimp activare     2µs BT258-800R