2SK1118 Metalloxid-N-Kanal-FET,600V, 6A, 45W

N-FET 600V 10A 35W 0.75R TO220-ISO producator ST MICROELECTRONICS

STMicroelectronics     tranzistor     NPN     Polarizare     bipolar     tranzistor     Darlington     Tensiune colector-emitator     100V     Curent de colector     12A     Putere disipata     80W     Carcasa     TO220AB     Amplificare curent     750     Montare     THT

±36V -53V 40mA 5A 50W  20Hz-20KHz 0.1% 40dB

 WeEn Semiconductors tiristor     triacTensiune inversă max.     600VCurent de sarcină max.     1ACarcasă     TO92Curent de poartă     3/7mACurent de şoc direct max.     12.5ATehnologie     4Qsensitive gateMontare     THT

rezistor    metal filmMontare    THTRezistenţă    10ΩPutere    1WToleranţă    ±1%Tensiune de lucru max.    350VDimensiuni terminale    Ø0,54x28mmDimensiuni corp    Ø3,5x10mmCaracteristici ale rezistorilor    zgomote reduseCoeficient de temperatură    50ppm/°CTerminale     axial

diodă    LEDMontare    SMDCarcasă    0805Culoare diodă LED    albastruLuminozitate    90...200mcdDimensiuni    2x1.25x0.7mmUnghi lum.    140°Curent diode LED    20mALungime undă λd    465...475nmLentilă diodă    transparentTensiune de lucru    2.8...3.5V

rezonator    de cuartFrecventa  8MHzToleranţă rezonatoare    ±30ppmCapacitanţă    20pFPutere    1mWMontare    THTStabilitate în timp    ±5ppm/anRaster terminale    4.88mm

MOS-FET N-Kanal 200V 9.2A 90W (TO-220)

605nm 450mcd 20mA 90grade

Semireglabil vertical 1M

Fototranzistor 5mm 940nm