Silicium-NPN-Transistor (TO-218-ISO) SI-N+D 1500V 8A 60W

PNP-Darlington-Transistor 80V 4A 40W (TO-126)

BU2508AW NPN-Transistor, 700V 8A(TO-247)

Power MOSFET, 13W (DIP-8)

tranzistor     NPNPolarizare     bipolartranzistor     DarlingtonTensiune colector-emitator     100VCurent de colector     5APutere disipată     65WCarcasă     TO220AB

Stabilizator detensiune:nereglabil;5V;SO8

tranzistor     PNP     Polarizare     bipolar     Tensiune colector-emitator     45V     Curent de colector     0.1A     Putere disipata     0.5W     Carcasa     TO92     Amplificare curent     75...800     Frecventa     100MHz

VISHAY senzor termistor NTC Rezistenţă 4.7kΩ Montare THT Constantă de material B 3977K Temperatura de lucru -40...125°C Putere 0,5W

potenţiometru     de montare     singură tură, orizontal     Rezistenţă     200kΩ     Putere     100mW     Toleranţă     ±30%     Caracteristici     lineare     Standard trimer     6mm     Unghi rotaţie mecanică     200°     Moment de torsiune     0,4...3,5Ncm     Tensiune de lucru max.     50V    

tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit

CONNFLY     soclu circuit integrat     DIP     Numarul de pini     40     Distanta intre randuri     15.24mm     Montare electrica     THT     Raster terminale     2.54mm     Caracteristici soclu     lamelă de presare, fata dubla

TEXAS INSTRUMENTScircuit integrat     digitalcircuit integrat instabil/monostabil,   multivibratorNumăr canale     1Tehnologie     CMOSTensiune alimentare     3...18V DCMontare     THTCarcasa DIP14Serie     4000B