220pF 100V

Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     55V     Curent drenă     80A     Putere disipată     200W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistentă în timpul functionării 8mΩ     Montare     THT     Incarcătură poarta     146nC     canal...

SR Passives     multitură     Rezistenţă 100Ω     Putere     500mW     Montare THT     Toleranţă ±10%     Caracteristici     lineare     Material pistă     metalo-ceramic     Temperatura de lucru     -55...125°C 

Rezistor:decarbon;THT;27kΩ;500mW;±5%;Ø3,2x9mm;T

rezistor    carbonMontare    THTRezistenţă    1MΩPutere    0.25WToleranţă    ±5%Tensiune de lucru max.    250VDimensiuni carcasă    Ø2.3x6mmDimensiuni terminale    Ø0.4x28mmTensiune de impuls max.    500VTerminale    axial

tranzistor    N-MOSFETTehnologie    HEXFET®Polarizare    unipolarTensiune drenă-sursă    200VCurent drenă    18APutere disipată    150WCarcasă    TO220ABTensiune poartă-sursă    ±20VRezistenţă în timpul funcţionării    0,15ΩMontare    THTÎncărcătură poartă    44,7nCcanal    îmbogăţit

LUGUANG ELECTRONIC     componentă semiconductor punte redresoare monofazată     Structura semiconductorului     diodă/diodă     Tensiune inversă max.     600V     Curent de sarcină     1A     Curent de şoc direct max.     35A     Carcasă MBM     Montare electrică THT     glass passivated

SR PASSIVESrezistor     metal oxideMontare     THTRezistenţă     470ΩPutere     1WToleranţă     ±5%Tensiune de lucru max.     350VDimensiuni carcasă     Ø3.2x9mmDimensiuni terminale     Ø0.6x26mmTensiune de impuls max. 700VTerminale     axial

Rezistor:decarbon;THT;2,7Ω;500mW;±5%;Ø2,3x6mm;