2SB772 - NEC

SR PASSIVES     rezistor     de carbon     Montare     THT     Rezistenţă     470Ω     Putere     0.25W     Toleranţă     ±5%     Tensiune de lucru max.     250V     Dimensiuni carcasă     Ø2.3x6mm     Dimensiuni terminale     Ø0.4x28mm     Tensiune de impuls max. 500V     Terminale     axial

Burghiu 1mm Burghiu  folosit pentru gaurirea cablajelor etc.

Tranzistor N-Mosfet 250V 14A 125W capsula TO220AB producator IR

Silicon-NPN-transistor (TO-92) 40V 0.1A 180MC UNI

Infineon (IRF)     tranzistor     N-MOSFET     Tehnologie     HEXFET®     Polarizare     unipolar     Tensiune drenă-sursă     60V     Curent drenă     48A     Putere disipată 110W     Carcasă     TO220AB     Tensiune poartă-sursă     ±20V     Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ    

Dioda redresoare Schottky Iav = 3A Vrrm = 60V capsula DO201AD

Rezistor:de carbon;THT;8,2R;0,25W;±5%;Ø2,5x6,8mm

Putere 0,25 W Toleranţă ±5% Tens. lucru max. 250 V Tens. de impuls max. 500 V