



INFINEON TECHNOLOGIES
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 100A
Curent de drenă în impuls 620A
Putere disipată 140W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,5mΩ
Montare THT
canal îmbogăţit
0374043295 ~ 0763490049
Platiti prin transfer bancar
Plata la livrare
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Referinta: F4
Referinta: NB9k
Referinta: NIPPEL.C3
Referinta: NG24g
Referinta: AJ1b
Referinta: AE5a
Referinta: AD5b
Referinta: XG5b
Referinta: AS1c
Referinta: AK9a
Referinta: SJ9c
INFINEON TECHNOLOGIES
tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Polarizare unipolar
Tensiune drenă-sursă 30V
Curent drenă 100A
Curent de drenă în impuls 620A
Putere disipată 140W
Carcasă TO220AB
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,5mΩ
Montare THT
canal îmbogăţit
check_circle
check_circle